利用pHEMT工藝設計了一個2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設計中采用了具有低噪聲、較高關聯增益、pHEMT技術設計的ATF-54143晶體管,電路采用二級級聯放大的結構形式,利用微帶電路實現輸入輸出和級間匹配,通過ADS軟件提供的功能模塊和優化環境對電路增益、噪聲系數、駐波比、穩定系數等特性進行了研究設計,最終使得該LNA在2~4 GHz波段內增益大于20 dB,噪聲小于1.2 dB,輸出電壓駐波比小于2,達到了設計指標的要求。
標簽:
GHz
波段
低噪聲放大器
仿真設計
上傳時間:
2014-07-03
上傳用戶:遠遠ssad