壓力傳感器與彈性模量-w，有需要的可以參考！
標(biāo)簽： 壓力傳感器
上傳時(shí)間： 2022-01-18
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使用LinkSwitch-3（LNK6404D）的2 W通用輸入（85 VAC-265 VAC）非隔離反激式（5 V，400 mA輸出）電源，用于家庭和樓宇自動(dòng)化
標(biāo)簽： LinkSwitch-3 樓宇自動(dòng)化
上傳時(shí)間： 2022-02-09
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該文檔為邊干邊學(xué)LabVIEW報(bào)表的生成教程文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
標(biāo)簽： labview
上傳時(shí)間： 2022-02-19
上傳用戶：得之我幸78
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標(biāo)簽： labview
上傳時(shí)間： 2022-03-03
上傳用戶：jiabin
帶有PPS電源適配器的60 W USB PD 3.0具有PowiGaN的InnoSwitch3-Pro(INN3379C-H302); MinE-CAP(MIN1072M);威盛Labs VP302控制器輸入：90 VAC – 265 VAC可變輸出：5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 3 APPS輸出：3.3 V – 21 V / 3 A
標(biāo)簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN
上傳時(shí)間： 2022-03-24
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使用InnoSwitch3-Pro PowiGaN和MinE-CAP的3.3 W-21 V PPS電源的65 W USB PD 3.0
標(biāo)簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN PPS電源
上傳時(shí)間： 2022-04-02
上傳用戶：kingwide
使用InnoSwitch3-CP(具有PowiGaN技術(shù)的INN3270C-H215)和HiperPFS-4的100 W USB PD Type-C充電器(5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 5 A輸出) (PFS7628C)
標(biāo)簽： InnoSwitch3-CP HiperPFS-4
上傳時(shí)間： 2022-05-09
上傳用戶：XuVshu
安裝塌所1、通凰良好少溫策及灰座之塌所。2、雜腐蝕性、引火性氛髓、油急、切削液、切前粉、戴粉等聚境。3、雜振勤的場(chǎng)所。4、雜水氟及踢光直射的場(chǎng)所。1、本距勤器探用自然封流冷御方式正隨安裝方向局垂直站立方式2、在配電箱中需考感溫升情況未連有效散熟及冷御效果需保留足豹的空固以取得充分的空氟。3、如想要使控制箱內(nèi)溫度連到一致需增加凰扇等散熱毅倩。4、組裝睛廊注意避免贊孔屑及其他翼物掉落距勤器內(nèi)。5、安裝睛請(qǐng)硫資以M5螺練固定。6、附近有振勤源時(shí)請(qǐng)使用振勤吸收器防振橡腥來作腐噩勤器的防振支撐。7、勤器附近有大型磁性陰嗣、熔接樓等雄部干援源睛，容易使距勤器受外界干攝造成誤勤作，此時(shí)需加裝雄部濾波器。但雍訊濾波器舍增加波漏電流，因此需在愿勤器的輸入端裝上經(jīng)緣羹愿器（Transformer）。*配象材料依照使用電象規(guī)格]使用。*配象的喪度：指令輸入象3公尺以內(nèi)。編碼器輸入綜20公尺以內(nèi)。配象時(shí)請(qǐng)以最短距薄速接。*硫賞依照操單接象圈配象，未使用到的信貌請(qǐng)勿接出。*局連輸出端（端子U、V、W）要正硫的速接。否則伺服焉速勤作舍不正常。*隔雄綜必須速接在FG端子上。*接地請(qǐng)以使用第3砸接地（接地電阻值腐100Ω以下），而且必須罩黏接地。若希望易速輿械之周腐紀(jì)緣狀懲畸，請(qǐng)將連接地。*伺服距勤器的輸出端不要加裝電容器，或遇（突波）吸收器及雅訊濾波器。*裝在控制輸出信號(hào)的DC繼電器，其遏（突波）吸收用的二梗溜的方向要速接正硫，否則食造成故障，因而雜法輸出信猶，也可能影馨緊急停止的保渡迎路不座生作用。*腐了防止雍部造成的錯(cuò)溪勤作，請(qǐng)?zhí)较铝械耐茫赫?qǐng)?jiān)陔娫瓷霞尤虢?jīng)緣雯愿器及雅亂濾波器等裝置。請(qǐng)將勤力緣（雷源象、焉連緣等的蘊(yùn)雷回路）奧信蔬緣相距30公分以上來配練，不要放置在同一配緣管內(nèi)。
標(biāo)簽： tsda
上傳時(shí)間： 2022-05-28
上傳用戶：zhanglei193
傅里葉光學(xué)導(dǎo)論 J.W.顧德
標(biāo)簽： 傅里葉光學(xué)
上傳時(shí)間： 2022-06-01
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本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ)，針對(duì)手機(jī)芯片封裝行業(yè)過于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù)，建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng)，通過對(duì)手機(jī)芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理，對(duì)手機(jī)芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進(jìn)行分析和統(tǒng)計(jì)，診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢(shì)，并對(duì)手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理進(jìn)行了綜述。在對(duì)數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進(jìn)行深入分析探討的基礎(chǔ)上，提出了手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)目標(biāo)、設(shè)計(jì)思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個(gè)方面：1、對(duì)手機(jī)芯片封裝的制造過程、系統(tǒng)模式進(jìn)行了分析，著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機(jī)芯片封裝中的應(yīng)用；2、運(yùn)用數(shù)據(jù)挖掘的方法，針對(duì)影響芯片封裝質(zhì)量的多個(gè)相關(guān)因素，進(jìn)行各因素的權(quán)重判定，確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，針對(duì)影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，通過對(duì)低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析，定位封裝過程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點(diǎn)，為質(zhì)量改善提供依據(jù)：3、搜集W公司2006年5月到8月的手機(jī)芯片封裝測(cè)試數(shù)據(jù)，進(jìn)行實(shí)證研究，驗(yàn)證了所提出的研究方法的準(zhǔn)確性。
標(biāo)簽： 手機(jī)芯片封裝 質(zhì)量管理系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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