半導體的產(chǎn)品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗及技術(shù)不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態(tài)維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨 投資大量維修設備,操作複雜,績效不彰
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：neu_liyan
諸如電信設備、存儲模塊、光學繫統(tǒng)、網(wǎng)絡設備、服務器和基站等許多復雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個特定的順序進行啟動和停機操作，否則 IC 就會遭到損壞。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：packlj
在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設計師當中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要
標簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時間： 2014-12-01
上傳用戶：lhc9102
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：immanuel2006
透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：jelenecheung
介紹了一種反對稱漸變波導微帶探針過渡結(jié)構(gòu)，采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個波導微帶過渡結(jié)構(gòu)在 W 頻段的特性，并對影響過渡性能的幾個因素進行了敏感性分析，得出了可供工程應用參考的設計曲線。在全波導帶寬內(nèi)，實現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB，回波損耗大于27 dB。該結(jié)構(gòu)具有寬頻帶、結(jié)構(gòu)簡單和易加工等優(yōu)點，可廣泛用于毫米波固態(tài)電路系統(tǒng)中。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：名爵少年
符合全球標準的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導軌安裝• 安全標準 ： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上傳時間： 2014-04-17
上傳用戶：fklinran
本文介紹了一種由低次級聯(lián)形式構(gòu)成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號先經(jīng)過MMIC得到二倍頻，再由反向并聯(lián)二極管對平衡結(jié)構(gòu)實現(xiàn)寬帶三倍頻，從而將Ku波段信號六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉(zhuǎn)換接頭，輸出為 WR-10 標準矩形波導結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明當輸入信號功率為20dBm時，三倍頻器在整個W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右，變頻損耗小于17dB。該設計可以降低毫米波設備的主振頻率，擴展已有微波信號源的工作頻段。
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：qingzhuhu
由于電子對抗技術(shù)的飛速發(fā)展，低頻段電子干擾設備已經(jīng)非常完善，低頻段主動雷達的工作效能相應地大幅度降低。為了提高雷達系統(tǒng)的抗干擾能力，通過對國內(nèi)外雷達技術(shù)發(fā)展趨勢的研究，以及影響雷達系統(tǒng)抗干擾能力主要因素的分析，說明了采用更高頻段的雷達導引頭技術(shù)發(fā)展的重要性。以W波段雷達導引頭技術(shù)發(fā)展及應用為前提，對其中需要解決的關(guān)鍵技術(shù)進行了分解，論述了W波段雷達導引頭的基本實現(xiàn)方案、關(guān)鍵技術(shù)解決途徑，得出W波段雷達導引頭技術(shù)發(fā)展具有策略上的必要性和技術(shù)上的可行性的結(jié)論。
上傳時間： 2013-12-04
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