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無(wú)線(xiàn)充電

  • 程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與試驗(yàn)

    為降低大功率開關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)功率器件的選擇、開關(guān)頻率和功率密度的提高所面臨的困難,改善單電源供電的可靠性,設(shè)計(jì)并制作程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。系統(tǒng)由2個(gè)額定輸出功率為16 W的8 V DC/DC模塊構(gòu)成的程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。以STM32F103微控制器為核心芯片,通過程序控制內(nèi)部DAC調(diào)節(jié)PWM主控芯片UC3845的反饋端電壓,使DC/DC模塊輸出電壓產(chǎn)生微小變動(dòng),進(jìn)而可調(diào)整DC/DC模塊的輸出電流并實(shí)時(shí)分配各DC/DC模塊的輸出電流,軟件采用PI算法。試驗(yàn)表明,系統(tǒng)滿載效率高于80.23%,電流分配誤差最大為1.54%;電源輸出在1 s內(nèi)快速達(dá)到穩(wěn)態(tài);系統(tǒng)以4.5 A為閾值實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)和自恢復(fù)功能。

    標(biāo)簽: 程控開關(guān)電源 并聯(lián)供電系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-11-15

    上傳用戶:王慶才

  • AT850 AT系列電池自動(dòng)檢測(cè)裝置說明書

    鎳氫鎳鎘,鋰電充放

    標(biāo)簽: 850 AT 電池 自動(dòng)檢測(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-10-26

    上傳用戶:qiao8960

  • 開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā)

    開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā) 資料

    標(biāo)簽: 開關(guān)電源設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:38553903210

  • 使用簡(jiǎn)易閂鎖電路保護(hù)電源

    設(shè)計(jì)時(shí)需要過一款簡(jiǎn)單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

    標(biāo)簽: 閂鎖電路 保護(hù)電源

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:zq70996813

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中,工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會(huì)採用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí),還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應(yīng)力越小,電源效率也就越高。

    標(biāo)簽: 輸入電容 電流

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

  • 基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器

    為簡(jiǎn)化總線式RS485隔離器的設(shè)計(jì),提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術(shù)方案。該方案具有簡(jiǎn)單實(shí)用、無需電源、無需考慮數(shù)據(jù)流向、在有限范圍內(nèi)波特率自適應(yīng)、底層用戶群體易于理解和掌控等特點(diǎn)。給出了基本實(shí)驗(yàn)電路和脈沖變壓器的主要設(shè)計(jì)依據(jù)。基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器,尤其適合工業(yè)環(huán)境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網(wǎng)的升級(jí)改造,其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網(wǎng)。

    標(biāo)簽: 485 RS 脈沖變壓器 總線式

    上傳時(shí)間: 2013-10-07

    上傳用戶:lizx30340

  • 針對(duì)GJB181過壓浪涌要求的保護(hù)電路設(shè)計(jì)

    基于輸入28.5 VDC,輸出總功率180 W的機(jī)載計(jì)算機(jī)電源的設(shè)計(jì),為滿足“GJB181飛機(jī)供電特性”中對(duì)飛機(jī)用電設(shè)備輸入28.5 VDC時(shí)過壓浪涌80 V/50ms的要求,采用檢測(cè)輸入電壓并控制MOSFET導(dǎo)通和關(guān)斷的方法,通過對(duì)該電路的理論數(shù)據(jù)分析及與實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)做比較,模擬了80 V/50 ms過壓浪涌的試驗(yàn),并用示波器記錄了測(cè)試波形,得出該設(shè)計(jì)電路在輸入28.5 VDC時(shí),可以完全滿足GJB181飛機(jī)供電特性過壓浪涌要求的結(jié)論。并通過擴(kuò)展應(yīng)用介紹了在其他輸入電壓類型時(shí)過壓浪涌保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。

    標(biāo)簽: GJB 181 過壓 浪涌

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶:cuibaigao

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