在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
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能實現(xiàn)VCO 功能的電路很多，常用的有分立器件構(gòu)成的振蕩器和集成壓控振蕩器。如串聯(lián)諧振電容三點式電路、壓控晶體振蕩器，積分-施密特電路、射級耦合多諧振蕩器、變?nèi)荻O管調(diào)諧LC 振蕩器和數(shù)字門電路等幾種。它們之間各有優(yōu)缺點，下面做簡要分析，并選擇最合適的方案。
標(biāo)簽： 壓控 振蕩電路
上傳時間： 2013-11-06
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德州儀器(TI)通過多種不同的處理工藝提供了寬范圍的運算放大器產(chǎn)品，其類型包括了高精度、微功耗、低電壓、高電壓、高速以及軌至軌。TI還開發(fā)了業(yè)界最大的低功耗及低電壓運算放大器產(chǎn)品選集，其設(shè)計特性可滿足寬范圍的多種應(yīng)用。為使您的選擇流程更為輕松，我們提供了一個交互式的在線運算放大器參數(shù)搜索引擎——amplifier.ti.com/search，可供您鏈接至各種不同規(guī)格的運算放大器。設(shè)計考慮因素為某項應(yīng)用選擇最佳的運算放大器所要考慮的因素涉及到多個相關(guān)聯(lián)的需求。為此，設(shè)計人員必須經(jīng)常權(quán)衡彼此矛盾的尺寸、成本、性能等指標(biāo)因素。即使是資歷最老的工程師也可能會為此而苦惱，但您大可不必如此。緊記以下的幾點，您將會發(fā)現(xiàn)選擇范圍將很快的縮小至可掌控的少數(shù)幾個。電源電壓(VS)——選擇表中包括了低電壓（最小值低于2.7V）及寬電壓范圍（最小值高于5V）的部分。其余運放的選擇類型（例如精密），可通過快速查驗供電范圍欄來適當(dāng)選擇。當(dāng)采用單電源供電時，應(yīng)用可能需要具有軌至軌(rail-to-rail)性能，并考慮精度相關(guān)的參數(shù)。精度——主要與輸入偏移電壓(VOS)相關(guān)，并分別考慮隨溫度漂移、電源抑制比(PSRR)以及共模抑制比(CMRR)的變化。精密(precision)一般用于描述具有低輸入偏置電壓及低輸入偏置電壓溫度漂移的運算放大器。微小信號需要高精度的運算放大器，例如熱電偶及其它低電平的傳感器。高增益或多級電路則有可能需求低偏置電壓。
標(biāo)簽： 放大器 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 選擇指南
上傳時間： 2013-11-25
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聲控開關(guān)和光控開關(guān)的制作
標(biāo)簽： 聲控開關(guān) 光控開關(guān)
上傳時間： 2013-10-27
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TI公司經(jīng)典
標(biāo)簽： TI 運算放大器 設(shè)計指南 有源濾波器
上傳時間： 2013-11-07
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TI-公司msp430開發(fā)板原理圖
標(biāo)簽： 430 msp TI 開發(fā)板原理圖
上傳時間： 2013-12-23
上傳用戶：digacha
TI封裝
標(biāo)簽： 封裝技術(shù)
上傳時間： 2013-10-30
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計一種基于Howland電流源電路的精密壓控電流源，論述了該精密壓控電流源的原理。該電路以V/I轉(zhuǎn)換電路作為核心，Howland電流源做為誤差補(bǔ)償電路，進(jìn)一步提高了電流源的精度，使絕對誤差仿真值達(dá)到nA級，實際電路測量值絕對誤差達(dá)到?滋A級，得到高精度的壓控電流源。仿真和實驗測試均證明該方案是可行的。
標(biāo)簽： Howland 電流源 壓控 精密
上傳時間： 2014-12-24
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電源設(shè)計經(jīng)典案例集錦(TI內(nèi)部培訓(xùn)資料)
標(biāo)簽： 電源設(shè)計 案例 內(nèi)部培訓(xùn)資料 集錦
上傳時間： 2013-11-04
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對低壓差穩(wěn)壓器工作與性能的技術(shù)綜論TI
標(biāo)簽： 低壓差穩(wěn)壓器 性能
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