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生產計劃

  • 浙江春生電子接插件開關產品樣本-156頁-22.3M-pdf版.pdf

    專輯類-元器件樣本專輯-116冊-3.03G 浙江春生電子接插件開關產品樣本-156頁-22.3M-pdf版.pdf

    標簽: M-pdf 22.3 156

    上傳時間: 2013-07-26

    上傳用戶:dpuloku

  • (臺達)開關電源基本原理與設計介紹

    (臺達)開關電源基本原理與設計介紹,比較實用

    標簽: 開關電源

    上傳時間: 2013-06-15

    上傳用戶:ybysp008

  • 數字圖像處理與分析(劉定生老師)

    ·詳細說明:數字圖像處理與分析-劉定生老師, 非常好的講述數字圖像處理的課件,包括所有基本的圖像處理知識,Image processing ang analysis by Teacher LiuDingsheng, very good for you to study the knowledge of image processing

    標簽: 數字圖像處理

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:visit8888

  • 用FPGA設計數字系統

    用FPGA設計數字系統,2007年上海FPGA研修班王巍老師講義

    標簽: FPGA 數字系統

    上傳時間: 2013-08-16

    上傳用戶:duoshen1989

  • FPGA可促進嵌入式系統設計改善即時應用性能

    FPGA可促進嵌入式系統設計改善即時應用性能,臺灣人寫的,關于FPGA應用的技術文章

    標簽: FPGA 嵌入式 系統 性能

    上傳時間: 2013-08-20

    上傳用戶:liuwei6419

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 按鈕接通關斷控制器簡化了系統設計

    手持式產品設計師常常需要找到實現便攜式設備接通/關斷按鈕的防反跳和控制的方法

    標簽: 按鈕 關斷控制器 系統設計

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:225588

  • 按鈕接通關斷控制器簡化了系統設計

    手持式產品設計師常常需要找到實現便攜式設備接通/關斷按鈕的防反跳和控制的方法

    標簽: 按鈕 關斷控制器 系統設計

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:dianxin61

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 艾默生開關電源基礎

    艾默生開關電源基礎

    標簽: 開關電源

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:sjy1991

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