I2C 的上拉電阻可以是1.5K，2.2K，4.7K， 電阻的大小對時序有一定影響，對信號的上升時間和下降時間也有影響，一般接1.5K 或2.2K.
標簽： I2C 上拉電阻
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：michael20
軟件 色環電阻計算
標簽： 色環電阻 計算
上傳時間： 2014-11-23
上傳用戶：qlpqlq
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，對驅動電路進行了參數計算并且選擇應用了實用可靠的驅動電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯山于不同的參數影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。
標簽： MOSFET 高頻 功率 驅動電路
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：lijinchuan
從線路布線和參數配置等方面分析了導致MOSFET并聯時電壓和電流不均衡的原因，并聯MOSFET易產生振蕩的原因作了詳細的分析，并輔以仿真說明振蕩產生的原因。
標簽： MOSFET 功率 并聯
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：xiaohanhaowei
由于電磁兼容的迫切要求，電磁干擾(EMI)抑制元件獲得了廣泛的應用。然而實際應用中的電磁兼容問題十分復雜，單單依靠理論知識是完全不夠的，它更依賴于廣大電子工程師的實際經驗。為了更好地解決電子產品的電磁兼容性這一問題，還要考慮接地、 電路與PCB板設計、電纜設計、屏蔽設計等問題[1][2]。本文通過介紹磁珠的基本原理和特性來說明它在開關電源電磁兼容設計中的重要性與應用，以期為設計者在設計新產品時提供必要的參考。 2 磁珠及其工作原理 磁珠的主要原料為鐵氧體，鐵氧體是一種立方晶格結構的亞鐵磁性材料，鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金，它的制造工藝和機械性能與陶瓷相似，顏色為灰黑色。電磁干擾濾波器中經常使用的一類磁芯就是鐵氧體材料，許多廠商都提供專門用于電磁干擾抑制的鐵氧體材料。這種材料的特點是高頻損耗非常大，具有很高的導磁率，它可以使電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產生的電容最小。鐵氧體材料通常應用于高頻情況，因為在低頻時它們主要呈現電感特性，使得損耗很小。在高頻情況下，它們主要呈現電抗特性并且隨頻率改變。實際應用中，鐵氧體材料是作為射頻電路的高 頻衰減器使用的。實際上，鐵氧體可以較好的等效于電阻以及電感的并聯，低頻下電阻被電感短路，高頻下電感阻抗變得相當高，以至于電流全部通過電阻。鐵氧體是一個消耗裝置，高頻能量在上面轉化為熱能，這是由它的電阻特性決定的。 對于抑制電磁干擾用的鐵氧體，最重要的性能參數為磁導率和飽和磁通密度。磁導率可以表示為復數，實數部分構成電感，虛數部分代表損耗，隨著頻率的增加而增加。因此它的等效電路為由電感L和電阻R組成的串聯電路，如圖1所示，電感L和電阻R都是頻率的函數。當導線穿過這種鐵氧體磁芯時，所構成的電感阻抗在形式上是隨著頻率的升高而增加，但是在不同頻率時其機理是完全不同的。
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上傳時間： 2013-11-19
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色環電阻識別小程序V1.0--功能說明： 1、能直接根據色環電阻的顏色計算出電阻值和偏差； 2、能根據電阻值，反標電阻顏色； 3、支持四環、五環電阻計算； 4、帶萬用表直讀數； 色環電阻識別小程序--使用說明： 1、選擇電阻環數；（四環電阻或五環電阻） 2、如果是“色環轉阻值”則：鼠標點擊對應環的顏色，然后點按鈕“色環→阻值” 3、如果是“阻值轉色環”則：輸入相應阻值、單位、精度，點按鈕“阻值→色環” 國家標稱電阻值說明： ★E6±20%系列：1.0、1.5、2.2、3.3、4.7、6.8 E12±10%系列：1.0、1.2、1.5、1.8、2.2、2.7、3.3、3.9、4.7、5.6、6.8、8.2、9.1 E24 I級±5%：1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、2.7、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.1 使用注意事項： 1、請不要帶電和在路測試電阻，這樣操作既不安全也不能測出正確阻值； 2、請不要用手接觸到電阻引腳，因為人體也有電阻，會使測試值產生誤差； 3、請正確選擇萬用表的檔位（電阻檔）和量程（200、20K、2M量程)
標簽： 最新電阻色環的 教程 識別
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：pinksun9
電路板短路電阻作用
標簽： 電路板 短路 電阻作用
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：wweqas
開關電源并聯系統中往往存在兩個并聯電源性能參數不同甚至差異較大的情況，因此不能采用傳統的并聯均流方案來平均分攤電流，這就需要按各個電源模塊的輸出能力分擔輸出功率。基于這種靈活性的需要，本設計在采用主從設置法設計并聯均流開關電源的基礎上新增加了單片機控制模塊，實現了分流比可任意調節、各模塊電流可實時監控的半智能化并聯開關電源系統。實測結果表明，該并聯開關電源系統分流比設置誤差小于0.5%，具有總過流和單路過流保護功能。
標簽： 單片機 電流 并聯 電源設計
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為了提高交錯并聯變換器的性能，對四相交錯并聯雙向DC/DC變換器中不對稱耦合電感進行分析，推導出等效穩態電感和等效暫態電感的數學表達式。結合提出的耦合電感結構進行不對稱耦合電感對稱化研究。通過Saber和3D Maxwell軟件進行仿真驗證和樣機實驗，驗證了理論分析和仿真結果的正確性。
標簽： 交錯并聯 變換器 耦合電感 對稱
上傳時間： 2013-10-19
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介紹了由兩個DC/DC開關電源模塊并聯構成的供電系統電路結構和工作原理。該系統采用ARM芯片STM32為主控芯片產生驅動功率開關器件MOSFET的PWM脈沖[1]，對供電系統的輸出電壓和各個模塊的輸出電流均實現了全數字閉環PI控制。系統輸出電壓穩定，能實現兩個模塊電流的比例分配，同時具有輸出負載短路及延時恢復功能。仿真和實驗結果驗證了控制技術的正確性和可行性。
標簽： DC_DC 開關電源模塊 并聯供電系統 均流
上傳時間： 2013-11-20
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