基于HT45R37的低功耗C/R-F型八位OTP單片機 HT45R37 是一款低功耗C/R-F 型具有8 位高性能精簡指令集的單片機。作為一款C/R-F 型的單片機,它可以連接16 個外部電容/電阻式傳感器,并把它們的電容值或電阻值轉換成相應的頻率進行處理。此外,單片機帶有內部A/D 轉換器,能夠直接與模擬信號相連接,且它還集成了雙通道的脈沖寬度調節器,用于控制外部的馬達和LED 燈等。
上傳時間: 2013-11-23
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HT45R35VC/R-F型八位OTP單片機 HT45R35V 是一款C/R-F 型具有8 位高性能精簡指令集的單片機,專門為需要VFD 功能的產品而設計。 秉承HOLTEK MCU 一般特性,該單片機帶有暫停和喚醒功能,振蕩器選項等等,這些都保證使用者的應用只需極少的外部元器件便可實現。這款單片機專門為直接與VFD 面板相連的VFD 應用而設計。集成C/R-F 功能,外加功耗低、性能良好、I/O 使用靈活、成本低等優勢,使這款單片機可以廣泛應用于VFD 相關產品中,例如家電定時產品,各種消費產品,子系統控制器,其他家電應用等方面。
上傳時間: 2013-11-07
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SPMC75F2413A在三相交流感應電機的開環V/F控制的應用:系統輸入電源電壓為AC110V/AC220V,經全波整流后供系統使用。系統使用Sunplus公司的SPMC75F2413A產生AC三相異步電機的VVVF控制所需的SPWM信號,并完成系統控制。使用三菱公司的智能功率模塊PS21865實現電機的功率驅動。在AC220V輸入時,系統最大能驅動1.5KW的負載。系統的變頻區間為2Hz~200Hz。
上傳時間: 2013-11-06
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三種方法讀取鍵值 使用者設計行列鍵盤介面,一般常採用三種方法讀取鍵值。 中斷式 在鍵盤按下時產生一個外部中斷通知CPU,並由中斷處理程式通過不同位址讀資料線上的狀態判斷哪個按鍵被按下。 本實驗採用中斷式實現使用者鍵盤介面。 掃描法 對鍵盤上的某一行送低電位,其他為高電位,然後讀取列值,若列值中有一位是低,表明該行與低電位對應列的鍵被按下。否則掃描下一行。 反轉法 先將所有行掃描線輸出低電位,讀列值,若列值有一位是低表明有鍵按下;接著所有列掃描線輸出低電位,再讀行值。 根據讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤按4行4列組成如圖電路結構。按鍵按下將會使行列連成通路,這也是見的使用者鍵盤設計電路。 //-----------4X4鍵盤程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時去抖動 if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開 { display(data); } i=4; //計算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤碼 } } else return 17; //沒有按鍵按下 }
上傳時間: 2013-11-12
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射頻識別 (RFID) 技術采用輻射和反射 RF 功率來識別和跟蹤各種目標。典型的 RFID 繫統由一個閱讀器和一個轉發器 (或標簽) 組成。
上傳時間: 2013-11-17
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無線感測器已變得越來越普及,短期內其開發和部署數量將急遽增加。而無線通訊技術的突飛猛進,也使得智慧型網路中的無線感測器能夠緊密互連。此外,系統單晶片(SoC)的密度不斷提高,讓各式各樣的多功能、小尺寸無線感測器系統相繼問市。儘管如此,工程師仍面臨一個重大的挑戰:即電源消耗。
上傳時間: 2013-10-30
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特點 精確度0.1%滿刻度 ±1位數 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-1999-9999可任意規劃 具有異常值與異常次數記錄保留功能 異常信號過高或過低或范圍內或范圍外檢測可任意設定 報警繼電器復歸方式可任意設定 尺寸小,穩定性高 2.主要規格 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數: 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間: 2013-11-02
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特點 精確度0.1%滿刻度 可輸入交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器...等信號 16 BIT類比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 寬范圍交直流兩用電源設計 尺寸小,穩定性高 2主要規格 精確度: 0.1% F.S. (23 ±5℃) 顯示值范圍: 0-±19999 digit adjustable 類比輸出解析度: 16 bit DAC 輸出反應速度: < 250 ms (0-90%)(>10Hz) 輸出負載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 最大值調整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 溫度系數: 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16mm (0.4") 隔離特性: Input/Output/Power/Case 參數設定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環境條件: 0-60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 安裝方式: Socket/plugin type with barrier terminals CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間: 2014-01-05
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特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數 顯示范圍-19999-99999可任意規劃 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩定性高 分離式端子,配線容易 CE 認證 主要規格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數 : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間: 2013-10-09
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文章對美國升級臺灣F-16機載多功能雷達的技術進行了研究。首先介紹了有源電掃相控陣技術,該技術是提高雷達性能的關鍵所在。其次對多普勒銳化和合成孔徑技術進行了深入的討論,研究表明合成孔徑技術能更好地提高成像效果。最后分析了升級F-16帶來的不足,說明升級不能阻止國家的統一大業。
上傳時間: 2013-11-14
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