交流功率因數轉換器 特點： 精確度0.25%滿刻度 ±0.25o 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩定性高 主要規格： 精確度: 0.25% F.S. ±0.25°(23 ±5℃) 輸入負載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2 x rated continuous 輸出反應速度: < 250ms(0~90%) 輸出負載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調整范圍: 0~ ±5% F.S. 最大值調整范圍: 0~ ±10% F.S. 溫度系數: 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power/case) 突波測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV(1.2x50us) 使用環境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-10-22
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交流頻率轉換器 特點： 精確度0.05%滿刻度(Accuracy 0.05%F.S.) 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩定性高 2:主要規格 精確度: 0.05% F.S. (23 ±5℃) 輸入負載: <0.2VA 最大過載能力:maximum 2 x rated continuous 輸出反應時間: <250ms (0~90%) 輸出負載能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 輸出漣波: <0.1% F.S. 歸零調整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數: 50ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100M ohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行動測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波測試: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用環境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-10-11
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交流電壓，電流轉換器 特點： 精確度0.25%滿刻度(RMS) 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩定性高 2:主要規格 精確度:0.25%F.S.(RMS) (23 ±5℃) 輸入負載: <0.2VA(voltage) <0.2VA(current) 最大過載能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2x rated continuous 輸出反應時間: <250ms (0~90%) 輸出負載能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 輸出漣波: <0.1% F.S. 歸零調整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數: 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行動測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波測試: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用環境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-11-09
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schematic常用快捷鍵 x：檢查并存盤 s：存盤 [：縮小 ]：放大 F：整圖居中顯示 u：撤銷上一次操作 Esc：清楚剛鍵入的命令 c：復制 m：移動
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：王楚楚
零漂移放大器可動態校正其失調電壓并重整其噪聲密度。自穩零型和斬波型是兩種常用類型，可實現 nV 級失調電壓和極低的失調電壓時間/溫度漂移。放大器的 1/f 噪聲也視為直流誤差，也可一并消除。零漂移放大器為設計師提供了很多好處：首先，溫漂和 1/f 噪聲在系統中始終起著干擾作用，很難以其它方式消除，其次，相對于標準的放大器，零漂移放大器具有較高的開環增益、電源抑制比和共模抑制比，另外，在相同的配置下，其總輸出誤差低于采用標準精密放大器的輸出誤差
上傳時間： 2013-11-23
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提出了一種應用于CSTN-LCD系統中低功耗、高轉換速率的跟隨器的實現方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高壓工藝SPICE模型的仿真結果表明，在典型的轉角下，打開2個輔助模塊時，靜態功耗約為35 μA；關掉輔助模塊時，主放大器的靜態功耗為24 μA。有外接1 μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為10 μs；沒有外接1μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為13μs。驗證表明，該跟隨器能滿足CSTN-LCD系統低功耗、高轉換速率性能要求。
上傳時間： 2013-11-18
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三極管代換手冊下載 前言 使用說明 三極管對照表 A B C D E F G H K L M …… 外形與管腳排列圖
上傳時間： 2013-10-24
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enter——選取或啟動 esc——放棄或取消 f1——啟動在線幫助窗口 tab——啟動浮動圖件的屬性窗口 pgup——放大窗口顯示比例 pgdn——縮小窗口顯示比例 end——刷新屏幕 del——刪除點取的元件（1個） ctrl+del——刪除選取的元件（2個或2個以上） x+a——取消所有被選取圖件的選取狀態 x——將浮動圖件左右翻轉 y——將浮動圖件上下翻轉 space——將浮動圖件旋轉90度 crtl+ins——將選取圖件復制到編輯區里 shift+ins——將剪貼板里的圖件貼到編輯區里 shift+del——將選取圖件剪切放入剪貼板里 alt+backspace——恢復前一次的操作 ctrl+backspace——取消前一次的恢復 crtl+g——跳轉到指定的位置 crtl+f——尋找指定的文字
上傳時間： 2013-12-29
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隨著科學技術的不斷發展，人們的生活水平的不斷提高，通信技術的不斷擴延，計算機已經涉及到各個不同的行業，成為人們生活、工作、學習、娛樂不可缺少的工具。而計算機主板作為計算機中非常重要的核心部件，其品質的好壞直接影響計算機整體品質的高低。因此在生產主板的過程中每一步都是要嚴格把關的，不能有絲毫的懈怠，這樣才能使其品質得到保證。 基于此，本文主要介紹電腦主板的SMT生產工藝流程和F/T(Function Test)功能測試步驟（F/T測試步驟以惠普H310機種為例）。讓大家了解一下完整的計算機主板是如何制成的，都要經過哪些工序以及如何檢測產品質量的。 本文首先簡單介紹了PCB板的發展歷史，分類，功能及發展趨勢，SMT及SMT產品制造系統，然后重點介紹了SMT生產工藝流程和F/T測試步驟。
上傳時間： 2013-11-06
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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