本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，對驅(qū)動電路進(jìn)行了參數(shù)計算并且選擇應(yīng)用了實用可靠的驅(qū)動電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。
標(biāo)簽： MOSFET 高頻 功率 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：lijinchuan
射頻電路PCB設(shè)計
上傳時間： 2014-01-13
上傳用戶：a1054751988
PCB 設(shè)計對于電路設(shè)計而言越來越重要。但不少設(shè)計者往往只注重原理設(shè)計,而對PCB 板的設(shè)計布局考慮不多,因此在完成的電路設(shè)計中常會出現(xiàn)EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設(shè)計中需要注意的一些問題。
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：jiangxiansheng
介紹了采用protel 99se進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計的設(shè)計流程為了保證電路的性能。在進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計時應(yīng)考慮電磁兼容性，因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達(dá)到電磁兼容的目的.關(guān)鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：竺羽翎2222
利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設(shè)計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進(jìn)行理論分析，導(dǎo)出設(shè)計參數(shù)方程，并通過HFSS進(jìn)行仿真優(yōu)化。仿真和測量結(jié)果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達(dá)到20 dB。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：1966649934
利用v自步離散法，得到變換器輸入控制變量與狀態(tài)變量之間的直接映射關(guān)系，基于混雜系統(tǒng)理論分析系統(tǒng)的動態(tài)方程，建立其分段仿射模型。在此模型的基礎(chǔ)上，結(jié)合非線性預(yù)測控制算法，通過模型預(yù)測系統(tǒng)的輸出，利用反饋校正誤差，給出二次型性能指標(biāo)的優(yōu)化計算方法，并由此設(shè)計預(yù)測控制器。最后，以Buck功率變換器為研究對象，通過與峰值電流控制算法的仿真結(jié)果進(jìn)行比較，驗證模型的正確性以及控制器設(shè)計的有效性。
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：teddysha
低功率LED設(shè)計的挑戰(zhàn)在于實現(xiàn)由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的電源調(diào)節(jié)、 由監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)指導(dǎo)的能量變換以及通常由市場接受度設(shè)定的有效負(fù)載控制（其中包括調(diào)光保真度）這三者的平衡。 FL7730和FL7732能較好地取得這種平衡，用一個電路即可執(zhí)行全部三項功能。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：cherrytree6
為研究功率型鋰離子電池性能，對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：清風(fēng)冷雨
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
功率MOSFET的驅(qū)動電路和保護(hù)技術(shù)
標(biāo)簽： MOSFET 功率 保護(hù)技術(shù) 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：wutong
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
