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監(jiān)(jiān)測(cè)(cè)器

  • 串行編程器源程序(Keil C語(yǔ)言)

    串行編程器源程序(Keil C語(yǔ)言)//FID=01:AT89C2051系列編程器//實(shí)現(xiàn)編程的讀,寫(xiě),擦等細(xì)節(jié)//AT89C2051的特殊處:給XTAL一個(gè)脈沖,地址計(jì)數(shù)加1;P1的引腳排列與AT89C51相反,需要用函數(shù)轉(zhuǎn)換#include <e51pro.h> #define C2051_P3_7 P1_0#define C2051_P1 P0//注意引腳排列相反#define C2051_P3_0  P1_1#define C2051_P3_1 P1_2#define C2051_XTAL P1_4#define C2051_P3_2 P1_5#define C2051_P3_3 P1_6#define C2051_P3_4 P1_7#define C2051_P3_5 P3_5 void InitPro01()//編程前的準(zhǔn)備工作{ SetVpp0V(); P0=0xff; P1=0xff; C2051_P3_5=1; C2051_XTAL=0; Delay_ms(20); nAddress=0x0000; SetVpp5V();} void ProOver01()//編程結(jié)束后的工作,設(shè)置合適的引腳電平{ SetVpp5V(); P0=0xff; P1=0xff; C2051_P3_5=1; C2051_XTAL=1;} BYTE GetData()//從P0口獲得數(shù)據(jù){ B_0=P0_7; B_1=P0_6; B_2=P0_5; B_3=P0_4; B_4=P0_3; B_5=P0_2; B_6=P0_1; B_7=P0_0; return B;} void SetData(BYTE DataByte)//轉(zhuǎn)換并設(shè)置P0口的數(shù)據(jù){ B=DataByte; P0_0=B_7; P0_1=B_6; P0_2=B_5; P0_3=B_4; P0_4=B_3; P0_5=B_2; P0_6=B_1; P0_7=B_0;} void ReadSign01()//讀特征字{ InitPro01(); Delay_ms(1);//----------------------------------------------------------------------------- //根據(jù)器件的DataSheet,設(shè)置相應(yīng)的編程控制信號(hào) C2051_P3_3=0; C2051_P3_4=0; C2051_P3_5=0; C2051_P3_7=0; Delay_ms(20); ComBuf[2]=GetData(); C2051_XTAL=1; C2051_XTAL=0; Delay_us(20); ComBuf[3]=GetData(); ComBuf[4]=0xff;//----------------------------------------------------------------------------- ProOver01();} void Erase01()//擦除器件{ InitPro01();//----------------------------------------------------------------------------- //根據(jù)器件的DataSheet,設(shè)置相應(yīng)的編程控制信號(hào) C2051_P3_3=1; C2051_P3_4=0; C2051_P3_5=0; C2051_P3_7=0; Delay_ms(1); SetVpp12V(); Delay_ms(1); C2051_P3_2=0; Delay_ms(10); C2051_P3_2=1; Delay_ms(1);//----------------------------------------------------------------------------- ProOver01();} BOOL Write01(BYTE Data)//寫(xiě)器件{//----------------------------------------------------------------------------- //根據(jù)器件的DataSheet,設(shè)置相應(yīng)的編程控制信號(hào) //寫(xiě)一個(gè)單元 C2051_P3_3=0; C2051_P3_4=1; C2051_P3_5=1; C2051_P3_7=1; SetData(Data); SetVpp12V(); Delay_us(20); C2051_P3_2=0; Delay_us(20); C2051_P3_2=1; Delay_us(20); SetVpp5V(); Delay_us(20); C2051_P3_4=0; Delay_ms(2); nTimeOut=0; P0=0xff; nTimeOut=0; while(!GetData()==Data)//效驗(yàn):循環(huán)讀,直到讀出與寫(xiě)入的數(shù)相同 {  nTimeOut++;  if(nTimeOut>1000)//超時(shí)了  {   return 0;  } } C2051_XTAL=1; C2051_XTAL=0;//一個(gè)脈沖指向下一個(gè)單元//----------------------------------------------------------------------------- return 1;} BYTE Read01()//讀器件{ BYTE Data;//----------------------------------------------------------------------------- //根據(jù)器件的DataSheet,設(shè)置相應(yīng)的編程控制信號(hào) //讀一個(gè)單元 C2051_P3_3=0; C2051_P3_4=0; C2051_P3_5=1; C2051_P3_7=1; Data=GetData(); C2051_XTAL=1; C2051_XTAL=0;//一個(gè)脈沖指向下一個(gè)單元//----------------------------------------------------------------------------- return Data;} void Lock01()//寫(xiě)鎖定位{ InitPro01();//先設(shè)置成編程狀態(tài)//----------------------------------------------------------------------------- //根據(jù)器件的DataSheet,設(shè)置相應(yīng)的編程控制信號(hào) if(ComBuf[2]>=1)//ComBuf[2]為鎖定位 {  C2051_P3_3=1;  C2051_P3_4=1;  C2051_P3_5=1;  C2051_P3_7=1;  Delay_us(20);  SetVpp12V();  Delay_us(20);  C2051_P3_2=0;  Delay_us(20);  C2051_P3_2=1;  Delay_us(20);  SetVpp5V(); } if(ComBuf[2]>=2) {  C2051_P3_3=1;  C2051_P3_4=1;  C2051_P3_5=0;  C2051_P3_7=0;  Delay_us(20);  SetVpp12V();  Delay_us(20);  C2051_P3_2=0;  Delay_us(20);  C2051_P3_2=1;  Delay_us(20);  SetVpp5V(); }//----------------------------------------------------------------------------- ProOver01();} void PreparePro01()//設(shè)置pw中的函數(shù)指針,讓主程序可以調(diào)用上面的函數(shù){ pw.fpInitPro=InitPro01; pw.fpReadSign=ReadSign01; pw.fpErase=Erase01; pw.fpWrite=Write01; pw.fpRead=Read01; pw.fpLock=Lock01; pw.fpProOver=ProOver01;}

    標(biāo)簽: Keil 串行 C語(yǔ)言 編程器

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來(lái),變壓器生產(chǎn)廠(chǎng)家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠(chǎng)家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門(mén)話(huà)題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱(chēng)THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線(xiàn)性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專(zhuān)用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話(huà)設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線(xiàn)路放大器系統(tǒng),其非線(xiàn)性失真有很?chē)?yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線(xiàn)圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線(xiàn)圈應(yīng)用絲包銅電磁線(xiàn)SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線(xiàn)架上繞制 120 匝, (線(xiàn)架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很?chē)?yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線(xiàn)性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線(xiàn)圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿(mǎn)足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠(chǎng),從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2013-12-15

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  • C系列智能型溫度變送器

    C系列智能型溫度變送器,word文檔資料。

    標(biāo)簽: 智能型 溫度變送器

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  • 又一個(gè)Pascal 到C的轉(zhuǎn)換器

    又一個(gè)Pascal 到C的轉(zhuǎn)換器

    標(biāo)簽: Pascal 轉(zhuǎn)換器

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  • C語(yǔ)言語(yǔ)法檢查器。

    C語(yǔ)言語(yǔ)法檢查器。

    標(biāo)簽: C語(yǔ)言

    上傳時(shí)間: 2014-01-11

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  • PC機(jī)上小型的C語(yǔ)言文本編緝器

    PC機(jī)上小型的C語(yǔ)言文本編緝器

    標(biāo)簽: PC機(jī) C語(yǔ)言

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  • C語(yǔ)言作的四色驗(yàn)證1.需求分析問(wèn)題描述:證明了可以用不多于4種顏色對(duì)n個(gè)區(qū)域著色

    C語(yǔ)言作的四色驗(yàn)證1.需求分析問(wèn)題描述:證明了可以用不多于4種顏色對(duì)n個(gè)區(qū)域著色,而滿(mǎn)足相鄰的區(qū)域具有不同的顏色輸入形式 : 暫定最多50個(gè)區(qū)域,如需證明更多區(qū)域,修改#define S 50 即可;以整形形式輸入(取值范圍1-32767)用戶(hù)需要證明的區(qū)域數(shù)目,相聯(lián)的一對(duì)矩陣; 輸出形式:以0和1輸出關(guān)聯(lián)矩陣,和以blue yellow orange pink形式輸出每個(gè)區(qū)域相對(duì)應(yīng)證明出的顏色;

    標(biāo)簽: C語(yǔ)言

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  • 用匯編編寫(xiě)的河內(nèi)塔程序 將第一柱a上n-1個(gè)盤(pán)借助第二柱c移到第三柱b 把a(bǔ)上剩下的一個(gè)盤(pán)移到c 將n-1個(gè)盤(pán)從b借助a移到第三柱c 這三步是圖示河內(nèi)塔的根本方法 功能一:自己動(dòng)手移動(dòng)河內(nèi)塔 先按左右

    用匯編編寫(xiě)的河內(nèi)塔程序 將第一柱a上n-1個(gè)盤(pán)借助第二柱c移到第三柱b 把a(bǔ)上剩下的一個(gè)盤(pán)移到c 將n-1個(gè)盤(pán)從b借助a移到第三柱c 這三步是圖示河內(nèi)塔的根本方法 功能一:自己動(dòng)手移動(dòng)河內(nèi)塔 先按左右鍵選擇要移的盤(pán),按箭頭上鍵確定 再按左右鍵移到要的盤(pán) 如此,再根據(jù)河內(nèi)塔的規(guī)則確定較好的次數(shù)step2 功能二:圖示河內(nèi)塔移動(dòng)過(guò)程 根據(jù)河內(nèi)塔的基本方法,確定圖象,按任意鍵選下一步,(開(kāi)始時(shí)輸入level)

    標(biāo)簽: 匯編 編寫(xiě) 程序 移動(dòng)

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  • kalman估值器,為了簡(jiǎn)潔未使用矩陣計(jì)算,應(yīng)用了kalman濾波,c語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)

    kalman估值器,為了簡(jiǎn)潔未使用矩陣計(jì)算,應(yīng)用了kalman濾波,c語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)

    標(biāo)簽: kalman 矩陣計(jì)算 濾波 語(yǔ)言

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  • 著名的C語(yǔ)言編輯器

    著名的C語(yǔ)言編輯器

    標(biāo)簽: C語(yǔ)言 編輯器

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