影響數(shù)字信號(hào)處理發(fā)展的最主要因素之一就是處理速度。DFT使計(jì)算機(jī)處理頻域信號(hào)成為可能，但當(dāng)N很大時(shí)，直接計(jì)算N點(diǎn)DFT的計(jì)算量非常大。FFT可使DFT的運(yùn)算量下降幾個(gè)數(shù)量級(jí)，從而使數(shù)字信號(hào)處理的速度大大提高。本文介紹了如何利用高性能數(shù)字信號(hào)處理器實(shí)現(xiàn)FFT算法，給出了程序流程圖及關(guān)鍵程序源碼。該算法采用基2 FFT算法，參數(shù)計(jì)算主要采用查表法，計(jì)算量小，實(shí)時(shí)性高。在電網(wǎng)諧波檢測應(yīng)用中表明，該方法既能有效地檢測出電網(wǎng)諧波，又能滿足實(shí)時(shí)性要求。
標(biāo)簽： FFT 算法 電網(wǎng)諧波 檢測
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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利用單片機(jī)MSP430F449設(shè)計(jì)寬帶直流放大器。采用單片機(jī)MSP430F449作為寬帶直流放大器的控制芯片，利用三級(jí)放大器級(jí)聯(lián)的形式實(shí)現(xiàn)對輸入小信號(hào)的放大。其中MSP430F449 單片機(jī)來控制雙路數(shù)模轉(zhuǎn)換器TLV5638實(shí)現(xiàn)AD603的程控增益調(diào)節(jié)和整體后級(jí)放大模塊引入的直流的軟件補(bǔ)償，并利用OPA847作為固定增益放大器。通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證明整個(gè)系統(tǒng)輸出穩(wěn)定，性能良好。該系統(tǒng)具有可行性和實(shí)用性。
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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數(shù)字式直流電機(jī)雙閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： PWM 直流雙閉環(huán) 調(diào)速系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-06
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PT4115是一款連續(xù)電感電流導(dǎo)通模式的降壓恒流源，用于驅(qū)動(dòng)一顆或者多顆串聯(lián)LED。根據(jù)不同外部器件，芯片可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)數(shù)十瓦的LED。PT4115具有調(diào)光功能，通過DIM引腳實(shí)現(xiàn)模擬調(diào)光和寬范圍PWM調(diào)光。當(dāng)VDIM低于0.3V時(shí)，功率開關(guān)關(guān)斷，芯片進(jìn)入低功耗待機(jī)狀態(tài) 主要技術(shù)參數(shù) ? 輸入電壓范圍：6V to 40V ? 最大輸出LED電流1.2A ? 5%的輸出電流精度 ? 高達(dá)97%的效率 ? 極少的外部器件 ? 復(fù)用DIM引腳進(jìn)行LED開關(guān)、模擬調(diào)光和PWM調(diào)光 ? LED開路保護(hù) ? LED過熱保護(hù) ? 輸出電流可調(diào)節(jié) ? 具有輸入欠壓保護(hù)功能 應(yīng)用 ? 低壓LED射燈代替鹵素?zé)?? 車載LED燈 ? LED備用燈 ? LED信號(hào)燈
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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直流電源參考設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 2674 LM 直流電源 參考設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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電流型PWM整流器因其良好的功率因數(shù)和直流電流源特性，可望在某些場合取代產(chǎn)生大量諧波的二極管或晶閘管相控整流裝置，但是由于其本身的強(qiáng)耦合非線性特性，使得變流器常采用復(fù)雜的直接電流控制策略，從而使控制器的設(shè)計(jì)非常復(fù)雜。文中提出一種改進(jìn)的基于d-q坐標(biāo)系的間接電流控制方法，在電網(wǎng)電壓平衡情況下，通過解耦控制，能獲得線性的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。
標(biāo)簽： PWM 電流型 整流器 制器設(shè)計(jì)
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Z源逆變器
標(biāo)簽： 隨機(jī) 開關(guān)頻率 Z源逆變器 并網(wǎng)
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這是篇不錯(cuò)的論文
標(biāo)簽： 畢業(yè)論文 單片機(jī) 數(shù)控直流 電壓源
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±800 kV典型直流設(shè)備電暈起始電壓的海拔校正方法
上傳時(shí)間： 2013-11-01
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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
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