近年來，人們對環(huán)境保護(hù)越來越重視，SF<,6>氣體的使用和排放受到限制，從而使電器領(lǐng)域內(nèi)SF<,6>斷路器的發(fā)展也受到限制。而真空斷路器充分利用了真空優(yōu)異的絕緣與熄弧特性，且對環(huán)境不造成污染，所以目前在中壓領(lǐng)域已經(jīng)占據(jù)了主導(dǎo)地位，而且不斷向高電壓、大容量方向發(fā)展。因此，未來高壓真空斷路器必然取代高壓SF<,6>斷路器。真空滅弧室是真空斷路器的“心臟”，所以，開發(fā)高壓真空斷路器最關(guān)鍵的是滅弧室的設(shè)計(jì)。本文對110kV的真空滅弧室的內(nèi)部電磁場進(jìn)行了仿真分析，為我國開發(fā)110kV真空斷路器提供一定的參考。 本文采用有限元軟件對110kV真空斷路器滅弧室內(nèi)部靜電場進(jìn)行了仿真分析，得到了滅弧室內(nèi)部各種屏蔽罩的大小、尺寸和位置對電場分布的影響；觸頭距離對滅弧室內(nèi)部電場分布的影響；傘裙對滅弧室內(nèi)部電場分布的影響。再根據(jù)等離子體和金屬蒸氣具有一定導(dǎo)電率的特點(diǎn)，從麥克斯韋基本方程出發(fā)，推導(dǎo)了滅弧室內(nèi)部電場所滿足的計(jì)算方程，然后用有限元法對二維電場進(jìn)行了求解。考慮到弧后粒子消散過程中，電極和懸浮導(dǎo)體表面會(huì)有帶電微粒的存在，又計(jì)算分析了帶電微粒對真空滅弧室電場分布的影響，進(jìn)而提出了使滅弧室內(nèi)部電場更加均勻的措施。 根據(jù)大電流真空電弧的物理模型，基于磁場對電流的作用力理論，計(jì)算分析了真空電弧自生磁場的收縮效應(yīng)以及對分?jǐn)嚯娀〉挠绊懀玫搅嘶≈凶陨艌霎a(chǎn)生的電磁壓強(qiáng)分布，最后分析了外加縱向磁場分量對減小自生磁場收縮效應(yīng)的作用。 建立了110kV、1/2線圈以及1/3線圈縱向磁場觸頭三維電極模型，并利用有限元法進(jìn)行了三維靜磁場和渦流場仿真。得到了電流在峰值和過零時(shí)縱向磁場分別在觸頭片表面和觸頭間隙中心平面上的二維和三維分布，給出了這兩種觸頭在電流過零時(shí)縱向磁場滯后時(shí)間沿徑向路徑和軸向路徑的分布規(guī)律，最后還對這兩種觸頭的性能進(jìn)行了比較。
上傳時(shí)間： 2013-07-09
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高中壓斷路器是電力系統(tǒng)中最重要的開關(guān)設(shè)備，用高中壓斷路器保護(hù)電力系統(tǒng)至今已經(jīng)歷了一段漫長歷史。從最初的油斷路器發(fā)展到壓縮空氣斷路器，再到目前作為無油化開關(guān)的真空斷路器和SF6斷路器。其中真空斷路器以其小型化和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，已在高中壓領(lǐng)域得到愈來愈廣泛的應(yīng)用。作為真空斷路器的核心部件，真空滅弧室的研究和開發(fā)顯得尤為重要。 真空滅弧室的小型化是國外關(guān)注的問題，我國很多相關(guān)的研究所和高等院校都曾作過不少研制工作，研究的方向是采用各種縱向磁場結(jié)構(gòu)電極的真空滅弧室和尋求新的觸頭材料。由于縱向磁場結(jié)構(gòu)的電極開斷能力強(qiáng)，在額定短路開斷電流、設(shè)計(jì)裕度和工藝水平相同的情況下，縱向磁場的電極比橫向磁場的電極小得多。因此，采用縱向磁場結(jié)構(gòu)電極的真空滅弧室可以縮小整體尺寸。 本設(shè)計(jì)從真空滅弧室的具體模型出發(fā)，應(yīng)用ANSYS8.1的電磁場分析軟件，對600A的真空滅弧室觸頭間的縱磁場進(jìn)行計(jì)算與分析，可得到接近實(shí)際的動(dòng)、靜觸頭電流流向矢量分布圖，線圈磁感應(yīng)強(qiáng)度與線圈幾何尺寸的關(guān)系，觸頭開距對磁場分布的影響及電弧在不同位置時(shí)的受力分析等。由不同線圈截面積與縱磁磁場強(qiáng)度的關(guān)系分布，可得出在分?jǐn)嚯娏鞑蛔兊那闆r下，線圈愈小磁場強(qiáng)度愈強(qiáng)。由觸頭開距與磁場強(qiáng)度的關(guān)系，可見觸頭間距越小，兩觸頭間越能獲得較大的磁感應(yīng)強(qiáng)度。對真空滅弧室極問磁場分布以及電弧在觸頭上不同位置受力進(jìn)行分析，結(jié)果表明隨著磁感應(yīng)強(qiáng)度變小，電弧受力也相對的變小。 通過ANSYS仿真分析，為真空斷路器滅弧室的設(shè)計(jì)提供了比較準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)資料。進(jìn)而使產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、開發(fā)建立在較為科學(xué)的基礎(chǔ)上，為產(chǎn)品實(shí)際研制提供理論依據(jù)。
上傳時(shí)間： 2013-06-20
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QJZ2-120礦用隔爆兼本質(zhì)安全型(可逆)真空電磁起動(dòng)器
標(biāo)簽： QJZ 120 本質(zhì)安全 電磁起動(dòng)器
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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QJZ2-80(60)礦用隔爆兼本質(zhì)安全型(可逆)真空電磁起動(dòng)器
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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KJZ5系列真空饋電開關(guān)說明書
標(biāo)簽： KJZ5 饋電開關(guān) 說明書
上傳時(shí)間： 2013-10-20
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QJZ3-200礦用隔爆兼本質(zhì)安全型(可逆)真空電磁起動(dòng)器
標(biāo)簽： QJZ 200 本質(zhì)安全 電磁起動(dòng)器
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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數(shù)字電子技朮
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上傳時(shí)間： 2013-10-09
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功能、性能、特點(diǎn) 采用電磁場優(yōu)化分布的設(shè)計(jì)原理，使局部放電和局部過熱最小。 小型化、高功能的真空滅弧室利用縱向旋轉(zhuǎn)磁場滅弧原理， 有效地保證了截流值小于3A， 使開斷性能極為穩(wěn)定。 彈簧儲(chǔ)能機(jī)構(gòu)采用模塊化設(shè)計(jì)，一件多用，使機(jī)構(gòu)主件分布合理，結(jié)構(gòu)簡單，性能穩(wěn)定。 絕緣性能優(yōu)越可靠，順利通過了凝露試驗(yàn)，適合在最惡劣的環(huán)境條件下運(yùn)行，并具有比IEC和GB標(biāo)準(zhǔn)要求更高的爬電距離和電氣間隙。 接地方式可靠，確保了斷路器從工作位置到試驗(yàn)位置接地的連續(xù)性。
上傳時(shí)間： 2013-12-28
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摘要:介紹了一種真空冷凍干燥試驗(yàn)儀的溫度控制器設(shè)計(jì)，以AT89C52為控制核心，選用PT100傳感器，MC14433A/D，利用增量式PID算法來完成對電機(jī)執(zhí)行機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)控制，從而實(shí)現(xiàn)溫度的精確控制。 關(guān)鍵字:溫度傳感器，單片機(jī)，溫度控制器
標(biāo)簽： 單片機(jī) 制器設(shè)計(jì) 試驗(yàn)儀 溫度
上傳時(shí)間： 2013-10-11
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真空斷路器滅弧室觸頭是斷路器實(shí)現(xiàn)分閘合閘的關(guān)鍵部件，需定期檢查，但常規(guī)人工檢測方法費(fèi)時(shí)費(fèi)力。經(jīng)過對真空斷路器滅弧室機(jī)械結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與動(dòng)作過程的研究，設(shè)計(jì)出一種基于ARM處理器的觸頭磨損度檢測系統(tǒng)，此系統(tǒng)由安裝在斷路器端的從機(jī)和安裝在控制室電腦上的主機(jī)適配器組成，系統(tǒng)使用搭載ARM1176JZF-S處理器的S3C6410芯片、AD3812模塊、W-DCD5位移傳感器、4432系列射頻無線模塊等器件實(shí)現(xiàn)了在機(jī)房使用一臺(tái)PC機(jī)或手機(jī)短信對多臺(tái)真空斷路器滅弧室觸頭磨損進(jìn)行遠(yuǎn)程檢測與控制。經(jīng)測試，系統(tǒng)檢測誤差低于0.78%。系統(tǒng)檢測精度高，使用方便實(shí)時(shí)性好，可靠性強(qiáng)，大大減少了以往的觸頭檢測工作量。
標(biāo)簽： ARM 真空斷路器 檢測系統(tǒng) 磨損
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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