電子工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)手冊(cè) (第四卷) 電真空器件卷
標(biāo)簽： 電子工業(yè)生產(chǎn)
上傳時(shí)間： 2022-01-09
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CYCLONE4E FPGA開發(fā)板EP4CE10F17 開拓者FPGA開發(fā)板PDF原理圖+主要器件技術(shù)手冊(cè)00-CYCLONE4E FPGA開發(fā)板EP4CE10F17 開拓者FPGA開發(fā)板PDF原理圖.pdfAD9708.pdfAMS1117.pdfAP3216C.pdfAT24C64.pdfCH340.pdfCyclone IV EP4CE10引腳信息.pdfCyclone IV器件手冊(cè).pdfDHT11.pdfDS18B20_cn.pdfDS18B20_en.pdfGT9147數(shù)據(jù)手冊(cè).pdfGT9147編程指南.pdfHR911105A-datasheet.pdfHS0038B.pdfnRF24L01P(新版無線模塊控制IC).PDFOTT2001A IIC協(xié)議指導(dǎo).pdfOTT2001A_V02.pdfOV5640_CSP3_DS_2.01_Ruisipusheng.pdfPCF8563.pdfPCF8591.pdfRJ45_HR911105A.pdfRTL8201CP.pdfSMBJ3.3-440_series.pdfSMBJ5.0ca.pdfSN74LVC1G00.pdfSP3232.pdfSP3485.pdfTJA1050.pdfTLC5510.pdfW9825G6KH.pdfWM8978G.pdfWM8978中文資料.doc
標(biāo)簽： cyclone4e fpga 開發(fā)板
上傳時(shí)間： 2022-01-10
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昆騰微KT0646無線麥克風(fēng)發(fā)射資料，包括demo軟件代碼+ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB板+技術(shù)手冊(cè)文檔,硬件DEMO板為AltiumDesigner 設(shè)計(jì)的工程文件，包括完整原理圖及PCB文件2層板，大小為29X181mm，KT0646M_Datasheet_V1.3_CN技術(shù)手冊(cè)。
標(biāo)簽： kt0646 無線麥克風(fēng) pcb
上傳時(shí)間： 2022-01-23
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GD32F103的移植說明和開發(fā)指南，幫助新手快速了解GD32F103芯片，縮短上手時(shí)間。本教程結(jié)合官方的用戶手冊(cè)以及固件庫例程，通過實(shí)際例程講解以及實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象來幫助讀者理解和使 用 GD32F130xx 這 個(gè) 系 列 的 芯 片 。 軟 件 平 臺(tái) 使 用 的 是 MDK-ARM 和 官 方 外 設(shè) 驅(qū) 動(dòng) 庫 GD32F1x0_Firmware_Library_v3.1.0（庫函數(shù)開發(fā)），硬件使用技新 GD32F130G8U6 核心板 V1.0 和 GD-LINK 下載&調(diào)試器。 教程從開發(fā)平臺(tái)介紹、開發(fā)環(huán)境搭建、建立工程等基礎(chǔ)內(nèi)容，到 GD13F130xx 外設(shè)應(yīng)用，包括： GPIO應(yīng)用、EXTI應(yīng)用、CLK應(yīng)用、USART 應(yīng)用、TIMER 應(yīng)用、I2C應(yīng)用、SPI應(yīng)用、ADC應(yīng)用、FWDGT 應(yīng)用和 WWDGT 應(yīng)用等十大部分內(nèi)容。外設(shè)應(yīng)用部分的內(nèi)容都配有源碼，并配合硬件平臺(tái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)講 解。教程面對(duì)的對(duì)象是具有一定的 MCU 編程基礎(chǔ)以及 C 語言基礎(chǔ)的，主旨是幫助開發(fā)者快速入門和快速 開發(fā)使用 GD32F130xx 系列產(chǎn)品。
標(biāo)簽： gd32f103
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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低壓斷路器是電力系統(tǒng)中低壓配電網(wǎng)中的主要電器開關(guān)之一，它不僅可以接通和分?jǐn)嗾Ｘ?fù)載電流和過載電流，而且可以接通和分?jǐn)喽搪冯娏鳌Ｖ饕陬l繁操作的低壓配電線路或開關(guān)柜中作為電源開關(guān)使用，并對(duì)線路、電器設(shè)備等實(shí)行保護(hù)，當(dāng)它們發(fā)生嚴(yán)重過流、過載、短路、斷相、漏電等故障時(shí)，能自動(dòng)切斷線路，起保護(hù)作用，應(yīng)用十分廣泛。智能控制器是斷路器上的保護(hù)裝置，也是斷路器的核心控制裝置。 20世紀(jì)90年代，隨著電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)和通信技術(shù)的飛速發(fā)展，斷路器的保護(hù)裝置己由傳統(tǒng)的電磁式過流脫扣器發(fā)展成采用集成電路的電子式脫扣器，直至目前出現(xiàn)了帶高性能微處理器的智能控制器。新一代的智能控制器采用了模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，集測量、監(jiān)視、控制、通信、保護(hù)等功能于一體，在低壓系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。 在本課題中，該智能控制器在硬件上以美國Microchip公司推出的公司生產(chǎn)的PIC148F448為核心處理器，主要進(jìn)行數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)采集處理和斷路器的故障保護(hù)，實(shí)時(shí)顯示線路運(yùn)行時(shí)電流或故障信息等。利用帶有CAN接口的高性能的PIC18F448單片機(jī)設(shè)計(jì)了CAN總線接口，給出了CAN接口的硬件電路、軟件流程。該電路具有硬件設(shè)計(jì)簡單、可靠性高、實(shí)時(shí)性強(qiáng)等特點(diǎn)。實(shí)現(xiàn)了智能控制器與PC機(jī)的雙向通信功能，通過總線系統(tǒng)達(dá)到遙調(diào)、遙控的目的，使得智能控制器的性能得到增強(qiáng)，符合配電系統(tǒng)的要求，達(dá)到了本課題研究要求。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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隨著我國電力系統(tǒng)不斷發(fā)展，高壓開關(guān)柜以其結(jié)構(gòu)簡單、維護(hù)工作量小、適合于頻繁操作等特點(diǎn)，受到廣大用戶歡迎，并成為高壓開關(guān)向無油化發(fā)展的一大主流。近年來，隨著電力系統(tǒng)不斷向大容量、高電壓、小型化發(fā)展，40.5kV高壓開關(guān)柜在電力系統(tǒng)中也得到普遍的采用。絕緣問題是電力設(shè)備穩(wěn)定、可靠運(yùn)行的重要影響因素之一，并且絕緣也是高壓電器設(shè)備中的薄弱環(huán)節(jié)，高壓開關(guān)柜故障中很大一部分就是由于絕緣破壞而造成的。因此如何能夠合理的配置母線、真空斷路器及其它電器元件，得到較佳的絕緣配合和設(shè)計(jì)，達(dá)到具有高度可靠的絕緣性能，保證高壓開關(guān)柜在配電系統(tǒng)中安全運(yùn)行，且有較小的安裝空間，是開關(guān)柜設(shè)計(jì)中一個(gè)值得研究的重要問題。 在計(jì)算機(jī)模擬電場分布的求解中，有限元方法以其剖分簡便易行、可適用于多種介質(zhì)和較高的計(jì)算效率，已成為電磁場問題求解的主要方法之一。ANSYS是有限元計(jì)算方法的代表軟件，通過對(duì)模型特征參數(shù)化，使用用戶參數(shù)化設(shè)計(jì)語言(APDL)，可以進(jìn)一步提高分析效率，使得整個(gè)分析過程自動(dòng)、通用。 本文從實(shí)際產(chǎn)品設(shè)計(jì)入手，根據(jù)開關(guān)柜的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，建立了三維電場數(shù)值計(jì)算模型，在滿足技術(shù)條件要求的基礎(chǔ)上，通過采用電場的數(shù)值仿真分析及相應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究，描述了40．5kv高壓開關(guān)柜配電系統(tǒng)接地開關(guān)相間及接地柜中全場域電場分布情況，確定了接地開關(guān)在不同情況下的電場分布、變化情況，通過理論的計(jì)算和分析，對(duì)產(chǎn)品的絕緣進(jìn)行了校核與驗(yàn)證，進(jìn)而得到合理的布置結(jié)構(gòu)和達(dá)到最佳的絕緣配合，為實(shí)際產(chǎn)品的開發(fā)和設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。
標(biāo)簽： 高壓開關(guān)柜 電場 分
上傳時(shí)間： 2013-07-27
上傳用戶：sy_jiadeyi
隨著社會(huì)生產(chǎn)的發(fā)展和人民生活水平的提高，對(duì)供電質(zhì)量的要求也越來越高，電壓是標(biāo)志電能質(zhì)量的一個(gè)基本技術(shù)指標(biāo)，它與無功功率密切相關(guān)。本文闡述了電壓無功綜合控制對(duì)于電力系統(tǒng)運(yùn)行及工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的重大意義；綜述了國內(nèi)外在這一領(lǐng)域中的研究所取得的成果、面臨的問題和發(fā)展的前景。針對(duì)目前我國應(yīng)用最為廣泛、性能價(jià)格比最佳的并聯(lián)電容與有載調(diào)壓變壓器綜合控制裝置的研制開發(fā)中所涉及的問題進(jìn)行了較全面的分析與研究，提出了一種符合當(dāng)前變電站綜合自動(dòng)化發(fā)展需要的可靠性高、組態(tài)靈活、功能齊全的變電站電壓無功綜合控制方案。該方案主控單元選用抗干擾能力強(qiáng)、指令豐富、擴(kuò)展靈活、通訊聯(lián)網(wǎng)能力強(qiáng)的西門子S7-226PLC作為控制核心；參數(shù)檢測單元選用可靠性高、具有通訊功能的智能型綜合電量變送器；控制主機(jī)通過與參數(shù)檢測單元通訊獲得所需參數(shù)，同時(shí)還可與上位機(jī)或其他具有串口的設(shè)備通訊。采用的電壓無功控制策略，從系統(tǒng)的實(shí)際需要出發(fā)，充分考慮了影響電壓無功控制效果的主要因素，控制決策以實(shí)時(shí)計(jì)算數(shù)據(jù)為參考，控制精度高，并有效避免了無效調(diào)節(jié)對(duì)設(shè)備及系統(tǒng)造成的危害；控制軟件根據(jù)已經(jīng)確定的控制算法做出控制決策并能夠完成系統(tǒng)運(yùn)行方式的自動(dòng)識(shí)別、電容器的循環(huán)投切，電容器及分接頭的保護(hù)及通訊等功能。文中還闡述了電容器接線形式選擇、串聯(lián)電抗及高壓真空開關(guān)的選擇依據(jù)以及變壓器調(diào)檔控制原理。 理論分析和仿真計(jì)算均證明了本文中所提出的控制策略的精確性和嚴(yán)密性；試驗(yàn)證明了該設(shè)計(jì)方案先進(jìn)、靈活、可靠、功能齊全，符合電力系統(tǒng)自動(dòng)化對(duì)控制裝置的要求。
上傳時(shí)間： 2013-06-01
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選相控制開關(guān)又稱同步開關(guān)或相控開關(guān)，其實(shí)質(zhì)就是控制開關(guān)在電壓或電流的期望相位完成合閘或分閘，以主動(dòng)消除開關(guān)過程所產(chǎn)生的涌流和過電壓等電磁暫態(tài)效應(yīng)，提高開關(guān)的開斷能力。本論文以電力系統(tǒng)的無功補(bǔ)償為背景，分析了隨機(jī)投切電容器組的暫態(tài)過程所帶來的各種危害，從而提出選相投切技術(shù)；本文以真空開關(guān)選相投切電容器組為研究對(duì)象，著重介紹了電容器組選相投切技術(shù)的相關(guān)理論，給出了電容器組選相投切的控制策略，為同步開關(guān)選相控制器的設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。 雙穩(wěn)態(tài)永磁機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡單、動(dòng)作穩(wěn)定可靠，其出力特性能與真空開關(guān)良好匹配，在中壓領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。相控真空開關(guān)采用三相獨(dú)立操動(dòng)的雙穩(wěn)態(tài)永磁機(jī)構(gòu)，其操作電源為由大功率電力電子器件控制的儲(chǔ)能大容量電容器，通過多次的測試結(jié)果表明雙穩(wěn)態(tài)永磁機(jī)能很好地滿足相控開關(guān)的要求，是相控開關(guān)的理想選擇。 IPM(智能功率模塊)作為一種新型的大功率開關(guān)器件，以其設(shè)計(jì)簡單(內(nèi)置驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路)，低功耗，開關(guān)速度快等特點(diǎn)成為越來越多設(shè)計(jì)者的首選，得到了越來越廣泛的應(yīng)用。本文討論了IPM在選相投切電容器組中的相關(guān)邏輯控制策略，光耦隔離驅(qū)動(dòng)，IPM過流、過熱相關(guān)保護(hù)等內(nèi)容，設(shè)計(jì)了以DSP(TMS320LF2407A)為核心的永磁機(jī)構(gòu)同步控制系統(tǒng)，實(shí)時(shí)采集電網(wǎng)信號(hào)，經(jīng)過FIR數(shù)字濾波提取零點(diǎn)，通過IPM控制大容量電容器放電來驅(qū)動(dòng)永磁機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)斷路器在期望相位上分?jǐn)嗷蜿P(guān)合以減小暫態(tài)沖擊，并保證儲(chǔ)能電容器的一次儲(chǔ)能完成一次完整的O-C-O操作。 通過相關(guān)試驗(yàn)測試，表明本系統(tǒng)已經(jīng)初步達(dá)到了設(shè)計(jì)所要達(dá)到的預(yù)期效果，為以后的研究以及同步控制控制系統(tǒng)的完善和優(yōu)化提供了有益的經(jīng)驗(yàn)和參考。
標(biāo)簽： 并聯(lián)電容器組 相控 技術(shù)研究
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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選相控制開關(guān)又稱同步開關(guān)或相控開關(guān)，其實(shí)質(zhì)就是控制開關(guān)在電壓或電流的期望相位完成合閘或分閘，以主動(dòng)消除開關(guān)過程所產(chǎn)生的涌流和過電壓等電磁暫態(tài)效應(yīng)，提高開關(guān)的開斷能力。本論文首先分析了提高斷路器可靠性的途徑，介紹了相控開關(guān)的研究意義及其優(yōu)點(diǎn)；相控開關(guān)的基本原理和分合閘操作過程，為同步開關(guān)選相控制器的設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。 永磁操動(dòng)機(jī)構(gòu)是近幾年正在發(fā)展的一種新型操動(dòng)機(jī)構(gòu)，它利用永久磁鐵產(chǎn)生的磁力將真空斷路器保持在分合閘位置，而無需任何傳統(tǒng)機(jī)械脫扣鎖扣裝置。它機(jī)構(gòu)零部件少，結(jié)構(gòu)簡單，使斷路器動(dòng)作的可靠性大大提高。二次控制回路采用電子控制模塊，動(dòng)作迅速并可以實(shí)現(xiàn)精確時(shí)間控制，采用開關(guān)電源輸入范圍寬，輸入輸出用光耦隔離，功耗低，極大地提高了可靠性，使永磁機(jī)構(gòu)真空斷路器成為真正意義的免維護(hù)智能化斷路器。單線圈永磁機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡單、體積小，在中壓領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。相控真空開關(guān)采用三相獨(dú)立操動(dòng)的單線圈永磁機(jī)構(gòu)，其操作電源為由大功率電力電子器件控制的儲(chǔ)能大容量電容器，通過多次的測試結(jié)果表明單線圈永磁機(jī)構(gòu)能很好地滿足相控開關(guān)的要求，是相控開關(guān)的理想選擇。 本文詳細(xì)介紹了以Mega16為控制核心的單線圈永磁機(jī)構(gòu)智能控制器，這種控制系統(tǒng)集保護(hù)、控制、開關(guān)量監(jiān)測等功能于一體。可實(shí)現(xiàn)對(duì)電容電壓實(shí)時(shí)顯示，具有過電流速斷保護(hù)、過電壓和欠電壓保護(hù)、閉鎖以及報(bào)警等功能。 通過相關(guān)試驗(yàn)測試，表明本系統(tǒng)已經(jīng)初步達(dá)到了設(shè)計(jì)所要達(dá)到的預(yù)期效果，為以后的研究以及同步控制系統(tǒng)的完善和優(yōu)化提供了有益的經(jīng)驗(yàn)和參考。
標(biāo)簽： 單線圈 永磁機(jī)構(gòu) 開關(guān)控制器
上傳時(shí)間： 2013-07-02
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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測試與討論。通過對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
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