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雙晶硅
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：SimonQQ
介紹了晶閘管調(diào)速粗動(dòng)裝原理, 分析了典型故障的原因
標(biāo)簽： 晶閘管 故障診斷 調(diào)速 檢修
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：cmc_68289287
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計(jì)與應(yīng)用，文中提出了一種簡(jiǎn)化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發(fā)信號(hào)就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個(gè)高性能定時(shí)器及周邊AD接口，完成了高精度觸發(fā)信號(hào)發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過(guò)實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)簡(jiǎn)便可靠，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽： STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：wfymay
晶閘管交流調(diào)功器主電路設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 晶閘管 交流 主電路 調(diào)功器
上傳時(shí)間： 2013-12-13
上傳用戶：lgd57115700
一種實(shí)用的晶閘管調(diào)速電路
標(biāo)簽： 晶閘管 調(diào)速電路
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：youke111
4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術(shù)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：JamesB
上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司(Bright Power Semiconductor ) 是一家從事電源管理芯片設(shè)計(jì)和銷售的公司，公司主要產(chǎn)品是大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片.
標(biāo)簽： 源級(jí)驅(qū)動(dòng) 晶豐明源
上傳時(shí)間： 2013-10-16
上傳用戶：aysyzxzm
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和電力電子元器件制造水平的提高，中頻感應(yīng)加熱技術(shù)日臻完善。中頻感應(yīng)加熱以其便捷高效的加熱性能正逐步取代煤、油等燃料加熱而成為工業(yè)加熱的首選方式。作為感應(yīng)加熱裝置的電源，KGPS（晶閘管靜止變頻裝置）與傳統(tǒng)BPS機(jī)組（中頻發(fā)電機(jī)組）相比，負(fù)載適應(yīng)性強(qiáng)，效率高，易于形成自動(dòng)加熱線，已在工業(yè)加熱領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
標(biāo)簽： 晶閘管 中頻電源 抗干擾 運(yùn)行
上傳時(shí)間： 2014-01-06
上傳用戶：dave520l
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