采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
標簽：
NIP
非晶硅
薄膜太陽能電池
上傳時間：
2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
石英具有非凡的機械和壓電特性, 使得從19 世紀40 年代中期以來一直作為基本的時鐘器件. 盡管在陶瓷, 硅晶和RLC電路方面有60 多年的研究, 在此之前沒有哪種材料或技術能替代石英振蕩器, 鑒于其異常的溫度穩定性和相位噪聲特性. 估計2006 年將有100億顆石英振蕩器被制造出來并放置到汽車, 數碼相機, 工業設備, 游戲設備, 寬帶設備,蜂窩電話, 以及事實上每一種數字產品當中. 石英振蕩器的制造數量比地球上的人口還要多.
標簽：
MEMS
石英晶體
振蕩器
硅
上傳時間：
2013-10-17
上傳用戶：xinshou123456
