氛及其子體的能譜測量中常用到鈍化離子注人硅探測器或金硅面壘探測器。本文介紹了一種用于這兩類硅半導體探測器的電荷靈敏放大器的實例，它由電荷靈敏級和電壓放大級構成。給出了它的設計思想和調試過程。介紹了測試手段并測試了它的技術指標，說明了應用場合。
標簽： 硅半導體 探測器 電荷靈敏 放大器
上傳時間： 2014-12-23
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采用扇形微帶短截線作為濾波器的基本單元,設計出具有寬頻特性的濾波器,在微波平面電路的設計中有著良好的應用前景。通過設計扇形微帶短截線單元的物理尺寸,能夠實現特定頻段的高選擇性濾波器。用ADS 和HFSS 對這種新型濾波器與傳統直形濾波器進行了特性對比,在特性方面,新型濾波器比傳統濾波器具有更陡峭的過渡帶和更寬的頻帶等優點;在結構方面,新型濾波器電路相對傳統濾波器可以減少基板面積。
標簽： 線型 濾波器
上傳時間： 2013-10-20
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導熱硅脂的介紹
標簽： 導熱硅脂
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：gaome
對高速PCB中的微帶線在多種不同情況下進行了有損傳輸的串擾仿真和分析, 通過有、無端接時改變線間距、線長和線寬等參數的仿真波形中近端串擾和遠端串擾波形的直觀變化和對比, 研究了高速PCB設計中串擾的產生和有效抑制, 相關結論對在高速PCB中合理利用微帶線進行信號傳輸提供了一定的依據.
標簽： PCB 微帶線 串擾分析
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：dragonhaixm
PCB 被動組件的隱藏特性解析 傳統上，EMC一直被視為「黑色魔術（black magic）」。其實，EMC是可以藉由數學公式來理解的。不過，縱使有數學分析方法可以利用，但那些數學方程式對實際的EMC電路設計而言，仍然太過復雜了。幸運的是，在大多數的實務工作中，工程師并不需要完全理解那些復雜的數學公式和存在于EMC規范中的學理依據，只要藉由簡單的數學模型，就能夠明白要如何達到EMC的要求。本文藉由簡單的數學公式和電磁理論，來說明在印刷電路板（PCB）上被動組件（passivecomponent）的隱藏行為和特性，這些都是工程師想讓所設計的電子產品通過EMC標準時，事先所必須具備的基本知識。導線和PCB走線導線（wire）、走線（trace）、固定架……等看似不起眼的組件，卻經常成為射頻能量的最佳發射器（亦即，EMI的來源）。每一種組件都具有電感，這包含硅芯片的焊線（bond wire）、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會影響導線的阻抗大小，而且對頻率很敏感。依據LC 的值（決定自共振頻率）和PCB走線的長度，在某組件和PCB走線之間，可以產生自共振（self-resonance），因此，形成一根有效率的輻射天線。在低頻時，導線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時，導線就具有電感的特性。因為變成高頻后，會造成阻抗大小的變化，進而改變導線或PCB 走線與接地之間的EMC 設計，這時必需使用接地面（ground plane）和接地網格（ground grid）。導線和PCB 走線的最主要差別只在于，導線是圓形的，走線是長方形的。導線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL，在高頻時，此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL，沒有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時，感抗大于電阻，此時導線或走線不再是低電阻的連接線，而是電感。一般而言，在音頻以上工作的導線或走線應該視為電感，不能再看成電阻，而且可以是射頻天線。
標簽： PCB 被動組件
上傳時間： 2013-10-09
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
標簽： 封裝 IC封裝 制程
上傳時間： 2014-01-20
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微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內連續可調。本文首先介紹了微弧氧化電源技術的發展現狀，然后對試驗中使用過的幾種IGBT驅動模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅動電路的結構、工作原理和使用性能做了詳細分析對比。實驗表明，Eupec系列的2ED300驅動電路結構簡單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅動。
標簽： 鎂合金 氧化 可靠性分析 電源驅動電路
上傳時間： 2014-01-21
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LTC®4223 是一款符合微通信計算架構 (MicroTCA) 規範電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規範於近期得到了 PCI 工業計算機制造商組織 (PICMG) 的批準。
標簽： MicroTCA AMC 熱插拔 方案
上傳時間： 2014-12-24
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為了產生驅動多幅閃光照相的高重頻猝發高壓電脈沖，開展了基于硅堆隔離的猝發高壓脈沖發生裝置的可行性研究。對普通整流硅堆脈沖條件的導通電流，反向關斷時間進行了實驗研究；采用脈沖形成線產生矩形脈沖，利用不同長度傳輸線的傳輸時延產生多脈沖，以硅堆隔離的方式實現多脈沖在負載的輸出。研究表明：硅堆在500 ns脈寬條件下，其電流過載至少736倍，關斷時間約200 ns，硅堆的絕緣恢復時間決定產生脈沖的最高重復頻率。
標簽： 硅 實驗 高壓脈沖源
上傳時間： 2013-11-20
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微安級數控恒流源的設計
標簽： 數控恒流源
上傳時間： 2013-10-10
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