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硅整流

  • 雙反星形可控硅整流電路中的平衡電抗器

    介紹了雙反星形可控硅整流電路中的平衡電抗器及其在電路中所起的作用,即保證兩組三相半波整流電路同時導電和電路輸出電流的平衡,并例舉了該電抗器在運行過程中發生的故障及處理事例。

    標簽： 雙反 可控硅 整流電路 電抗器

    上傳時間： 2013-11-22

    上傳用戶：來茴

  • 同步整流技術簡單介紹

    同步整流技術簡單介紹大家都知道，對于開關電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向導電特性），它可以理解為一種被動式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高，快恢復二極管（FRD）或超快恢復二極管（SRD）可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個例子：如有一個管子壓降為0.7V，其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低，損耗產生的熱能導致整流管進而開關電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統運行不穩定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術的飛速發展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達24A）的電源轉換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現，為廣大用戶提供更高轉換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標準）的電源轉換器就是我們整個開關電源行業的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術和通態電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。因為用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中，一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態電阻的乘積，故小電流時，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農田來理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統肖特基加磁放大整流技術17.5%的損耗，其技術的進步已不僅僅是一個量的變化，而可以說是有了一個質的飛躍了。也可以說，我們為用戶修建了一條嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。

    標簽： 同步整流

    上傳時間： 2013-10-27

    上傳用戶：杏簾在望

  • 基于51單片機的倍壓整流時鐘設計

    基于51單片機的倍壓整流時鐘設計

    標簽： 51單片機 倍壓整流 時鐘設計

    上傳時間： 2013-11-09

    上傳用戶：非衣2016

  • SGV系列單片機三相整流移相調壓模塊使用說明

    簡介：本產品是將三相晶閘管主電路和移相觸發調控電路封裝在一起的多功能功率集成模塊。它是一個完整電力移相開環控制系統，可實現對三相電力進行整流調壓。產品可廣泛用于直流電機調速、工業自動化、電加熱控制、機電一體化、各類電源、化工、紡織通訊等領域；可實現手動、自動控制接口，主電路交流輸入無相序要求，線性控制電路，精度高，穩定性好。

    標簽： SGV 單片機 三相整流 使用說明

    上傳時間： 2013-11-12

    上傳用戶：MATAIYES

  • 代替石英晶體的硅MEMS振蕩器介紹

    石英具有非凡的機械和壓電特性, 使得從19 世紀40 年代中期以來一直作為基本的時鐘器件. 盡管在陶瓷, 硅晶和RLC電路方面有60 多年的研究, 在此之前沒有哪種材料或技術能替代石英振蕩器, 鑒于其異常的溫度穩定性和相位噪聲特性. 估計2006 年將有100億顆石英振蕩器被制造出來并放置到汽車, 數碼相機, 工業設備, 游戲設備, 寬帶設備,蜂窩電話, 以及事實上每一種數字產品當中. 石英振蕩器的制造數量比地球上的人口還要多.

    標簽： MEMS 石英晶體 振蕩器 硅

    上傳時間： 2013-10-17

    上傳用戶：xinshou123456

  • 波形發生器,含原理圖+電路圖+源程序

    含原理圖+電路圖+程序的波形發生器:在工作中，我們常常會用到波形發生器，它是使用頻度很高的電子儀器。現在的波形發生器都采用單片機來構成。單片機波形發生器是以單片機核心，配相應的外圍電路和功能軟件，能實現各種波形發生的應用系統，它由硬件部分和軟件部分組成，硬件是系統的基礎，軟件則是在硬件的基礎上，對其合理的調配和使用，從而完成波形發生的任務。 波形發生器的技術指標：（1） 波形類型：方型、正弦波、三角波、鋸齒波；（2） 幅值電壓：1V、2V、3V、4V、5V；（3） 頻率值：10HZ、20HZ、50HZ、100HZ、200HZ、500HZ、1KHZ；（4） 輸出極性：雙極性操作設計1、 機器通電后，系統進行初始化，LED在面板上顯示6個0，表示系統處于初始狀態，等待用戶輸入設置命令，此時，無任何波形信號輸出。2、 用戶按下“F”、“V”、“W”，可以分別進入頻率，幅值波形設置，使系統進入設置狀態，相應的數碼管顯示“一”，此時，按其它鍵，無效；3、 在進入某一設置狀態后，輸入0~9等數字鍵，（數字鍵僅在設置狀態時，有效）為欲輸出的波形設置相應參數，LED將參數顯示在面板上；4、 如果在設置中，要改變已設定的參數，可按下“CL”鍵，清除所有已設定參數，系統恢復初始狀態，LED顯示6個0，等待重新輸入命令；5、 當必要的參數設定完畢后，所有參數顯示于LED上，用戶按下“EN”鍵，系統會將各波形參數傳遞到波形產生模塊中，以便控制波形發生，實現不同頻率，不同電壓幅值，不同類型波形的輸出；6、 用戶按下“EN”鍵后，波形發生器開始輸出滿足參數的波形信號，面板上相應類型的運行指示燈閃爍，表示波形正在輸出，LED顯示波形類型編號，頻率值、電壓幅值等波形參數；7、 波形發生器在輸出信號時，按下任意一個鍵，就停止波形信號輸出，等待重新設置參數，設置過程如上所述，如果不改變參數，可按下“EN”鍵，繼續輸出原波形信號；8、 要停止波形發生器的使用，可按下復位按鈕，將系統復位，然后關閉電源。硬件組成部分通過綜合比較，決定選用獲得廣泛應用，性能價格高的常用芯片來構成硬件電路。單片機采用MCS-51系列的89C51（一塊）,74LS244和74LS373（各一塊）,反相驅動器 ULN2803A（一塊）,運算放大器 LM324（一塊）  波形發生器的硬件電路由單片機、鍵盤顯示器接口電路、波形轉換（D/ A）電路和電源線路等四部分構成。1.單片機電路功能：形成掃描碼，鍵值識別，鍵功能處理，完成參數設置；形成顯示段碼,向LED顯示接口電路輸出；產生定時中斷；形成波形的數字編碼,并輸出到D/A接口電路；如電路原理圖所示： 89C51的P0口和P2口作為擴展I/O口，與8255、0832、74LS373相連接，可尋址片外的寄存器。單片機尋址外設，采用存儲器映像方式，外部接口芯片與內部存儲器統一編址，89Ｃ51提供16根地址線P0（分時復用）和P2，P2口提供高8位地址線，P0口提供低8位地址線。P0口同時還要負責與8255，0832的數據傳遞。P2.7是8255的片選信號，P2.6是0832（1）的片選，P2.5是0832（2）的片選，低電平有效，P0.0、P0.1經過74LS373鎖存后，送到8255的A1、A2作，片內A口，B口，C口，控制口等寄存器的字選。89C51的P1口的低4位連接4只發光三極管，作為波形類型指示燈，表示正在輸出的波形是什么類型。單片機89C51內部有兩個定時器/計數器，在波形發生器中使用T0作為中斷源。不同的頻率值對應不同的定時初值，定時器的溢出信號作為中斷請求。控制定時器中斷的特殊功能寄存器設置如下：定時控制寄存器TCON＝（０００１００００）工作方式選擇寄存器（TMOD）＝（００００００００）中斷允許控制寄存器（IE）＝（１０００００１０）2、鍵盤顯示器接口電路功能：驅動6位數碼管動態顯示；           提供響應界面；           掃面鍵盤；           提供輸入按鍵。由并口芯片8255，鎖存器74LS273，74LS244，反向驅動器ULN2803A，6位共陰極數碼管（LED）和4×4行列式鍵盤組成。8255的C口作為鍵盤的I/O接口，C口的低4位輸出到掃描碼，高4位作為輸入行狀態，按鍵的分布如圖所示。8255的A口作為LED段碼輸出口，與74LS244相連接，B口作為LED的位選信號輸出口，與ULN2803A相連接。8255內部的4個寄存器地址分配如下：控制口:7FFFH , A口:7FFFCH , B口:7FFDH ,  C口:7FFEH    3、D/A電路功能：將波形樣值的數字編碼轉換成模擬值；完成單極性向雙極性的波形輸出；構成由兩片0832和一塊LM324運放組成。0832（1）是參考電壓提供者，單片機向0832（1）內的鎖存器送數字編碼，不同的編碼會產生不同的輸出值，在本發生器中，可輸出1V、2V、3V、4V、5V等五個模擬值，這些值作為0832（2）的參考電壓，使0832（2）輸出波形信號時，其幅度是可調的。0832（2）用于產生各種波形信號，單片機在波形產生程序的控制下，生成波形樣值編碼，并送到0832（2）中的鎖存器，經過D/A轉換，得到波形的模擬樣值點，假如N個點就構成波形的一個周期，那么0832（2）輸出N個樣值點后，樣值點形成運動軌跡，就是波形信號的一個周期。重復輸出N個點后，由此成第二個周期，第三個周期……。這樣0832（2）就能連續的輸出周期變化的波形信號。運放A1是直流放大器，運放A2是單極性電壓放大器，運放A3是雙極性驅動放大器，使波形信號能帶得起負載。地址分配：0832（1）：DFFFH　，0832（2）：BFFFH4、電源電路：功能：為波形發生器提供直流能量；構成由變壓器、整流硅堆，穩壓塊7805組成。220V的交流電，經過開關，保險管（1.5A/250V），到變壓器降壓，由220V降為10V，通過硅堆將交流電變成直流電，對于諧波，用4700μF的電解電容給予濾除。為保證直流電壓穩定，使用7805進行穩壓。最后，＋5V電源配送到各用電負載。

    標簽： 波形發生器 原理圖 電路圖 源程序

    上傳時間： 2013-11-08

    上傳用戶：685

  • 一種應用于2.45GHz的微帶整流天線設計

    為實現對低功耗負載的微波供電，設計了應用于2.45 GHz的微帶整流天線。在接收天線設計中，引入了光子晶體（PBG）結構，提高了接收天線的增益和方向性；在低通濾波器部分引入了缺陷地式（DGS）結構，以相對簡單的結構實現了2.8 GHz低通濾波器特性；最后通過ADS軟件設計得出了用于微帶傳輸線與整流二極管間的匹配電路。將接收天線、低通濾波器和整流電路三部分微帶電路進行整合，完成整流天線的設計。通過實驗測試，該整流天線的增益為4.29 dBi，最高整流效率為63%。通過引入光子晶體結構和缺陷地式結構，在保證整流天線增益和整流效率的基礎上，有效地減小了天線的尺寸，簡化了設計方法。

    標簽： 2.45 GHz 應用于 天線設計

    上傳時間： 2013-10-29

    上傳用戶：cjf0304

  • 硅基片上光互連技術

    硅基片上光互連技術

    標簽： 硅基片 光互連技術

    上傳時間： 2013-12-14

    上傳用戶：ysystc699

  • MSP40-V1.2-CHS[1]微硅壓力傳感器

    MSP40-V1.2-CHS[1]微硅壓力傳感器。

    標簽： MSP 1.2 CHS 40

    上傳時間： 2013-11-13

    上傳用戶：ddddddd

  • 高頻硅PNP晶體管3CG120高溫失效機理研究

    　　為了保證在高溫條件下，正確使用高頻硅PNP晶體管3CG120，文中對3CG120在不同溫度段的失效機理進行了研究。通過對硅PNP型晶體管3CG120進行170~340 ℃溫度范圍內序進應力加速壽命試驗，發現在170~240 ℃，240~290 ℃，以及290~340 ℃分別具有不同的失效機理，并通過分析得到了保證加速壽命試驗中與室溫相同的失效機理溫度應力范圍。

    標簽： PNP 3CG 120 CG

    上傳時間： 2013-10-15

    上傳用戶：bensonlly

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