DM11C 是專為LED 顯示應(yīng)用所設(shè)計(jì)的沈入電流式恒流驅(qū)動(dòng)芯片。內(nèi)建移位緩存器，數(shù)據(jù)鎖存器，以及恒流電路組件于硅CMOS 芯片上。8 個(gè)輸出通道的電流可由一外掛電阻調(diào)整。內(nèi)建開/短路偵測電路組件幫助使用者偵測LED 異常(開路與短路)。系統(tǒng)可藉由讀回串行輸出端的偵測數(shù)據(jù)與原始數(shù)據(jù)進(jìn)行比對以判定哪一通道發(fā)生異常。過溫?cái)嚯姽δ軇t可保護(hù)芯片避免在高溫環(huán)境使用下而毀損
標(biāo)簽： LED 8位 恒流驅(qū)動(dòng)芯片 錯(cuò)誤
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：zw380105939
基于硅光伏電池單元的物理模型和光伏組件及光伏陣列的串并聯(lián)結(jié)構(gòu),采用PSpice構(gòu)建了小型硅光伏陣列的仿真模型,并利用該模型對光伏直流BUCK變換電路的開環(huán)和恒壓控制閉環(huán)特性進(jìn)行了仿真研究.仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對比表明,此模型能夠在較高的近似程度上方便地模擬實(shí)際光伏電池的行為特性,將PSpice軟件用于光伏發(fā)電系統(tǒng)的仿真是可行的.
標(biāo)簽： PSpice 光伏電路 仿真 實(shí)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2014-01-05
上傳用戶：hzht
由熱電偶的測溫原理可知，熱電偶產(chǎn)生的熱電勢與熱端（又稱測量端）、參比端（又稱冷端）的熱電勢有關(guān)，只有參比端溫度t1 為零或恒定不變，熱電勢才是熱端溫度的單值函數(shù)（見圖1）。如果不補(bǔ)償?shù)脑挘瑒t熱電偶的參比端溫度與儀表接線端溫度t2間的溫差t1-t2越大，測量誤差也越大。由于大多數(shù)熱電偶的熱電勢與溫度的關(guān)系近似線性，所以造成的測量誤差大致等于上述溫差。以K 分度號(hào)的鎳鉻-鎳硅熱電偶為例，當(dāng)t1=50℃，t2=20℃時(shí)，如熱端溫度為1000℃，則顯示溫度僅969℃，誤差達(dá)31℃。
標(biāo)簽： 補(bǔ)償導(dǎo)線 工作原理
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：哈哈hah
基于槽式聚光熱電聯(lián)供系統(tǒng)，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結(jié)果表明，聚光光強(qiáng)下砷化鎵電池陣列輸出性能優(yōu)于晶硅電池陣列，高光強(qiáng)會(huì)導(dǎo)致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時(shí)耗盡層復(fù)合率變大，開路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強(qiáng)還引起電池溫度升高，電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻對輸出功率影響巨大，串聯(lián)內(nèi)阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：趙一霞a
當(dāng)光照較弱時(shí)漏電電阻對光電流的影響較小，而對開路電壓的影響較大 當(dāng)光照較強(qiáng)時(shí)，二極管電流遠(yuǎn)大于漏電電流，此時(shí)并聯(lián)電阻對光電池影響較小，串聯(lián)電阻對開路電壓機(jī)會(huì)沒有影響，但對短路電流影響很大。 所以要制備并聯(lián)電阻較大但串聯(lián)電阻較小的光電池，提高其填充因子FF。 砷化鎵電池的旁路電阻大于1K，對輸出特情基本沒有影響，當(dāng)總串聯(lián)電阻增加到5時(shí)，電池的轉(zhuǎn)換效率就要下降30%，可見串聯(lián)電阻對砷化鎵太陽能電池的影響是較大的，最近對于硅電池，要求實(shí)用化的產(chǎn)品的串聯(lián)電阻在0.5以下。 影響太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的一些因素 主要以硅電池為例 光生電流的光學(xué)損失，有三種：
標(biāo)簽： 轉(zhuǎn)換效率 太陽能 薄膜
上傳時(shí)間： 2014-01-21
上傳用戶：離殤
產(chǎn)品說明 PaxScan3030 是通常被稱為平板探測器（FPD）的實(shí)時(shí)數(shù)字 X 射線成像設(shè)備。主要系統(tǒng)部件包括 30x30cm、194μm 像素的非晶硅FPD,全球通用的雙輸出電源。通過采用 Va r i an 公司獨(dú)有的高靈敏度碘化銫閃爍體，具有優(yōu)秀的電子吸收能力使其在低劑量范圍仍有優(yōu)秀的表現(xiàn)力。基于 windows2000 的應(yīng)用程序和通信命令庫（DLL）可以幫助 OEM 客戶嘗試開發(fā)自身系統(tǒng)接口。該探測器為 X射線系統(tǒng)制造商進(jìn)行系統(tǒng)整合而設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： AMORPHOUS PaxScan SILICON 3030
上傳時(shí)間： 2013-11-25
上傳用戶：瓦力瓦力hong
來自日本東京，韓國首爾，美國德克薩斯普萊諾，2009年12月10日—MICROTUNE,INC.今日發(fā)布一款基于最新高集成硅技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)射頻-基帶芯片，此款芯片以極具吸引力的價(jià)格提供出色的電視接收性能。MT3141單芯片為全球電視制造商在下一代數(shù)字電視設(shè)計(jì)中引入高性能、低成本、超小型的接收器，從而使他們能夠提供所有品牌、型號(hào)、價(jià)格和屏幕尺寸的超薄超輕的高性能數(shù)字電視產(chǎn)品。
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶：xitai
提出了一種可根據(jù)環(huán)境光強(qiáng)、紅外和溫度變化而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)開關(guān)、調(diào)節(jié)亮度的LED照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。采用單片機(jī)C8051F020為系統(tǒng)控制核心，設(shè)計(jì)了由硅光電池和集成運(yùn)放組成的光強(qiáng)傳感器，選用熱釋電模塊作為紅外無線感應(yīng)器，采用DS18B20為溫度傳感器，還利用液晶實(shí)現(xiàn)了工作信息顯示。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，系統(tǒng)在光強(qiáng)大于2 170 lx或溫度高于82.5 ℃時(shí)能自動(dòng)關(guān)斷，當(dāng)光強(qiáng)小于1 040 lx或溫度低于49.3 ℃時(shí)能自動(dòng)開啟；當(dāng)光強(qiáng)在1 000~2 000 lx變化時(shí)，LED亮度能自動(dòng)調(diào)節(jié)，以維持環(huán)境照度基本穩(wěn)定。
標(biāo)簽： C8051F020 LED 自動(dòng)測控
上傳時(shí)間： 2013-10-10
上傳用戶：xaijhqx
摘要：設(shè)計(jì)并制作了一種基于溫度梯度驅(qū)動(dòng)的液滴傳輸芯片，以實(shí)現(xiàn)對微液滴傳輸?shù)木_控制．介紹了驅(qū)動(dòng)原理和工藝流程，分析了仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果．該芯片利用溫度梯度下液滴表面形成的表面張力梯度來傳輸液滴，采用玻璃作為襯底，Ｔｉ為電阻加熱器，Ａｕ為電極，ＰＥＣＶＤ氧化硅為介質(zhì)層，碳氟聚合物為疏水層，實(shí)現(xiàn)了器件制作．芯片采用開放式結(jié)構(gòu)，制作工藝簡單，操作方便．測試結(jié)果表明，驅(qū)動(dòng)功率為０．３８Ｗ時(shí)，去離子水和硅油的傳輸速率分別達(dá)到０．１ｍｍ燉ｓ和１ｍｍ燉ｓ．關(guān)鍵詞：微液滴；溫度梯度；表面張力梯度；電阻加熱器；開放式結(jié)構(gòu)
標(biāo)簽： 溫度 梯度驅(qū)動(dòng) 傳輸
上傳時(shí)間： 2013-10-29
上傳用戶：ukuk
PCF21xxC系列芯片是單片LCD驅(qū)動(dòng)器，采用硅門CMOS工藝。它采用3總線（CBUS）結(jié)構(gòu)和微控制器連接，所有的輸入均與CMOS/NMOS兼容。
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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