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    標簽: 工程

    上傳時間: 2015-03-20

    上傳用戶:上善若水

  • < 聚類收集大量的生物醫學文獻基于本體富圖代表性和相互細化策略>>

    < 聚類收集大量的生物醫學文獻基于本體富圖代表性和相互細化策略>>

    標簽: gt lt 聚類 生物醫學

    上傳時間: 2013-12-21

    上傳用戶:chenxichenyue

  • 利用北京青云的128×64的臺灣創的ST7920的液晶顯示程序

    利用北京青云的128×64的臺灣創的ST7920的液晶顯示程序,利用高效的總線并行訪問,非串行,訪問CGRAM,具有圖形顯示功能,可用在實時波形計算顯示

    標簽: 7920 128 ST

    上傳時間: 2014-11-12

    上傳用戶:lijianyu172

  • 有機電致發光顯示器件新型封裝技術及材料的研究.rar

    有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點,完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示,應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景,吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而,OLED也存在一些問題,特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標,除了器件的材料,結構設計外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發光機理,結構和封裝入手,首先,探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能;ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大,明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次,針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗,在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素,其厚度在1.2μm左右時,光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實驗一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進行二次封裝。實驗二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比,研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長,其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍,研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后,分別對三種薄膜封裝層材料(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。

    標簽: 機電 發光 顯示器件

    上傳時間: 2013-07-11

    上傳用戶:liuwei6419

  • 科普知識《電子封裝材料與工藝》 學習筆記 54頁

    PCB聯盟網-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學習筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學材料(電子膠水)工作,為更好的理解 IC 封裝產業的動態和技術,自學了《電子封裝材料 與工藝》,貌似一本不錯的教材,在此總結出一些個人的學習筆記和大家分享。此筆記原發在本人的“電子中,有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發展與制造  1、原子結構:原子是由高度密集的質子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道(或能級)上旋 轉的荷負電的電子組成(Neils Bohr 于 1913 年提出)。當原子彼此靠近時,它們之間發生交互作用 的形成所謂的化學鍵,化學鍵可以分成離子鍵、共價鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵;  2、真空管(電子管):  a.真空管問世于 1883 年 Edison(愛迪生)發明白熾燈時,1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發現了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里,燈絲為陰極、金屬板為陽極;  b.當電子管含有兩個電極(陽極和陰極)時,這種電路被稱為二極管,1906 年美國發明家 Lee  DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極(一個精細的金屬絲網),此為最早的三極管,另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中,以擴大電子管的功能;  c.真空管盡管廣泛應用于工業已有半個多世紀,但是有很多缺點,包括體積大,產生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換,固態器件的進展消除了真空管的缺點,真空管開始從許多電子產品的使 用中退出;  3、半導體理論:  a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導體材料有元素半導體硅、鍺、,半導體化合物有砷化鎵(GaAs)、 磷砷化鎵(GaAsP)、磷化銦(InP);  b.二極管(一個 p-n 結),當結上為正向偏壓時可以導通電流,當反向偏壓時則電流停止;  c.結型雙極晶體管:把兩個或兩個以上的 p-n 結組合成一個器件,導致了之!

    標簽: pcb 電子封裝

    上傳時間: 2022-02-06

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