、完成以下描述算術(shù)表達式的算符優(yōu)先文法的算符優(yōu)先分析過程。 G[E]:E→E+T∣E-T∣T T→T*F∣T/F∣F F→(E)∣i
上傳時間： 2017-09-09
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AMR7(LPC2148)的SD卡開發(fā)電子書
上傳時間： 2017-09-13
上傳用戶：xmsmh
#include<stdio.h> void main(void) {int n,k,derivata,a[10],i printf("n=") scanf(" d",&n) for(i=0 i<=n i++) { printf("a[ d]=",i) scanf(" d",&a[i]) } printf("k=") scanf(" d",&k) for(derivata=1 derivata<=k derivata++) { for(i=0 i<=n i++) a[i]=a[i]*(n-i) n-- for(i=0 i<=n i++) printf(" d ",a[i]) printf("\n") }}
標簽： void derivata include printf
上傳時間： 2017-09-17
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C8051F58x CAN BUS 可以提供傳輸 溝通介面 節(jié)省開發(fā)時間
上傳時間： 2017-09-23
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雲(yún)端運算-Google App Engine程式開發(fā)入門 for J
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上傳時間： 2014-04-07
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硬件工程師 電子工程師必備知識手冊關(guān)鍵字： 電阻 基礎(chǔ)知識 線繞電阻器 薄膜電阻器 實心電阻器 電阻 導電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號 R 表示，單位為歐姆、千歐、兆歐， 分別用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、電阻的型號命名方法： 國產(chǎn)電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻） 第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產(chǎn)品的名字。如 R 表示電阻，W 表示電位 器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有機實心、N-無機實心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、 X-線繞。 第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個別類型用字母表示，表示產(chǎn)品屬于什么類 型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6- 精密、7-精密、8-高壓、 9-特殊、G-高功率、T-可調(diào)。 第四部分：序號，用數(shù)字表示，表示同類產(chǎn)品中不同品種，以
上傳時間： 2022-02-17
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I.MX RT1052+SIM7600CE-PCIE板AD版硬件原理圖+PCB(4層) 文件,Altium Designer 09 設(shè)計的項目工程文件，包括原理圖及PCB印制板圖，可以用Altium Designer(AD)軟件打開或修改，都已經(jīng)制板在實際項目中使用，可作為你產(chǎn)品設(shè)計的參考。
上傳時間： 2022-04-18
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隨著存儲技術(shù)的迅速發(fā)展，存儲業(yè)務(wù)需求的不斷增長，獨立的磁盤冗余陣列可利用多個磁盤并行存取提高存儲系統(tǒng)的性能。磁盤陣列技術(shù)采用硬件和軟件兩種方式實現(xiàn)，軟件RAID（Redundant Array of Independent Disks）主要利用操作系統(tǒng)提供的軟件實現(xiàn)磁盤冗余陣列功能，對系統(tǒng)資源利用率高，節(jié)省成本。硬件RAID將大部分RAID功能集成到一塊硬件控制器中，系統(tǒng)資源占用率低，可移植性好。 分析了軟件RAID的性能瓶頸，使用硬件直接完成部分計算提高軟件RAID性能。針對RAID5采用FPGA（Field Programmable Gate Array）技術(shù)實現(xiàn)RAID控制器硬件設(shè)計，完成磁盤陣列啟動、數(shù)據(jù)緩存（Cache）以及數(shù)據(jù)XOR校驗等功能。基于硬件RAID的理論，提出一種基于Virtex-4的硬件RAID控制器的系統(tǒng)設(shè)計方案：獨立微處理器和較大容量的內(nèi)存；實現(xiàn)RAID級別遷移，在線容量擴展，在線數(shù)據(jù)熱備份等高效、用戶可定制的高級RAID功能；利用Virtex-4內(nèi)置硬PowerPC完成RAID服務(wù)器部分配置和管理工作，運行Linux操作系統(tǒng)、RAID管理軟件等。控制器既可以作為RAID控制卡在服務(wù)器上使用，也可作為一個獨立的系統(tǒng)，成為磁盤陣列的調(diào)試平臺。 隨著集成電路的發(fā)展，芯片的體積越來越小，電路的布局布線密度越來越大，信號的工作頻率也越來越高，高速電路的傳輸線效應(yīng)和信號完整性問題越來越明顯。RAID控制器屬于高速電路的范疇，在印刷電路板（Printed Circuit Block, PCB）實現(xiàn)時分別從疊層設(shè)計、布局、電源完整性、阻抗匹配和串擾等方面考慮了信號完整性問題，并基于IBIS（I/O Buffer Information Specification）模型進行了信號完整性分析及仿真。
上傳時間： 2013-04-24
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目 錄 第一章 概述 3 第一節(jié) 硬件開發(fā)過程簡介 3 §1.1.1 硬件開發(fā)的基本過程 4 §1.1.2 硬件開發(fā)的規(guī)范化 4 第二節(jié) 硬件工程師職責與基本技能 4 §1.2.1 硬件工程師職責 4 §1.2.1 硬件工程師基本素質(zhì)與技術(shù) 5 第二章 硬件開發(fā)規(guī)范化管理 5 第一節(jié) 硬件開發(fā)流程 5 §3.1.1 硬件開發(fā)流程文件介紹 5 §3.2.2 硬件開發(fā)流程詳解 6 第二節(jié) 硬件開發(fā)文檔規(guī)范 9 §2.2.1 硬件開發(fā)文檔規(guī)范文件介紹 9 §2.2.2 硬件開發(fā)文檔編制規(guī)范詳解 10 第三節(jié) 與硬件開發(fā)相關(guān)的流程文件介紹 11 §3.3.1 項目立項流程： 11 §3.3.2 項目實施管理流程： 12 §3.3.3 軟件開發(fā)流程： 12 §3.3.4 系統(tǒng)測試工作流程： 12 §3.3.5 中試接口流程 12 §3.3.6 內(nèi)部驗收流程 13 第三章 硬件EMC設(shè)計規(guī)范 13 第一節(jié) CAD輔助設(shè)計 14 第二節(jié) 可編程器件的使用 19 §3.2.1 FPGA產(chǎn)品性能和技術(shù)參數(shù) 19 §3.2.2 FPGA的開發(fā)工具的使用： 22 §3.2.3 EPLD產(chǎn)品性能和技術(shù)參數(shù) 23 §3.2.4 MAX + PLUS II開發(fā)工具 26 §3.2.5 VHDL語音 33 第三節(jié) 常用的接口及總線設(shè)計 42 §3.3.1 接口標準： 42 §3.3.2 串口設(shè)計： 43 §3.3.3 并口設(shè)計及總線設(shè)計： 44 §3.3.4 RS－232接口總線 44 §3.3.5 RS－422和RS－423標準接口聯(lián)接方法 45 §3.3.6 RS－485標準接口與聯(lián)接方法 45 §3.3.7 20mA電流環(huán)路串行接口與聯(lián)接方法 47 第四節(jié) 單板硬件設(shè)計指南 48 §3.4.1 電源濾波： 48 §3.4.2 帶電插拔座： 48 §3.4.3 上下拉電阻： 49 §3.4.4 ID的標準電路 49 §3.4.5 高速時鐘線設(shè)計 50 §3.4.6 接口驅(qū)動及支持芯片 51 §3.4.7 復(fù)位電路 51 §3.4.8 Watchdog電路 52 §3.4.9 單板調(diào)試端口設(shè)計及常用儀器 53 第五節(jié) 邏輯電平設(shè)計與轉(zhuǎn)換 54 §3.5.1 TTL、ECL、PECL、CMOS標準 54 §3.5.2 TTL、ECL、MOS互連與電平轉(zhuǎn)換 66 第六節(jié) 母板設(shè)計指南 67 §3.6.1 公司常用母板簡介 67 §3.6.2 高速傳線理論與設(shè)計 70 §3.6.3 總線阻抗匹配、總線驅(qū)動與端接 76 §3.6.4 布線策略與電磁干擾 79 第七節(jié) 單板軟件開發(fā) 81 §3.7.1 常用CPU介紹 81 §3.7.2 開發(fā)環(huán)境 82 §3.7.3 單板軟件調(diào)試 82 §3.7.4 編程規(guī)范 82 第八節(jié) 硬件整體設(shè)計 88 §3.8.1 接地設(shè)計 88 §3.8.2 電源設(shè)計 91 第九節(jié) 時鐘、同步與時鐘分配 95 §3.9.1 時鐘信號的作用 95 §3.9.2 時鐘原理、性能指標、測試 102 第十節(jié) DSP技術(shù) 108 §3.10.1 DSP概述 108 §3.10.2 DSP的特點與應(yīng)用 109 §3.10.3 TMS320 C54X DSP硬件結(jié)構(gòu) 110 §3.10.4 TMS320C54X的軟件編程 114 第四章 常用通信協(xié)議及標準 120 第一節(jié) 國際標準化組織 120 §4.1.1 ISO 120 §4.1.2 CCITT及ITU-T 121 §4.1.3 IEEE 121 §4.1.4 ETSI 121 §4.1.5 ANSI 122 §4.1.6 TIA/EIA 122 §4.1.7 Bellcore 122 第二節(jié) 硬件開發(fā)常用通信標準 122 §4.2.1 ISO開放系統(tǒng)互聯(lián)模型 122 §4.2.2 CCITT G系列建議 123 §4.2.3 I系列標準 125 §4.2.4 V系列標準 125 §4.2.5 TIA/EIA 系列接口標準 128 §4.2.5 CCITT X系列建議 130 參考文獻 132 第五章 物料選型與申購 132 第一節(jié) 物料選型的基本原則 132 第二節(jié) IC的選型 134 第三節(jié) 阻容器件的選型 137 第四節(jié) 光器件的選用 141 第五節(jié) 物料申購流程 144 第六節(jié) 接觸供應(yīng)商須知 145 第七節(jié) MRPII及BOM基礎(chǔ)和使用 146
標簽： 硬件工程師
上傳時間： 2013-05-28
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差動保護整定范例一： 三圈變壓器參數(shù)如下表： 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn，y，d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側(cè)TA變比nTA 300/5 35KV側(cè)TA變比nTA 1000/5 10KV側(cè)TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側(cè)雙分支 調(diào)壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數(shù)Kjx 當為Y接線時為1，當為Δ接線時為 區(qū)外三相最大短路電流 假設(shè)為1000A(此值需根據(jù)現(xiàn)場情況計算確定) 計算： 高壓側(cè)二次額定電流 中壓側(cè)二次額定電流 低壓側(cè)二次額定電流
上傳時間： 2013-11-01
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