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磁卡<b>讀寫器</b>

  • ITU-T G.729的一個(gè)實(shí)現(xiàn)例子(包括附錄b的vod檢測(cè)等功能)

    ·ITU-T G.729的一個(gè)實(shí)現(xiàn)例子(包括附錄b的vod檢測(cè)等功能)-ITU-T g.729 example, include VOD detect of reference B, etc.文件列表(點(diǎn)擊判斷是否您需要的文件):   g729b_v14   .........\acelp_co.c   .........\basic_op.c   .....

    標(biāo)簽: ITU-T nbsp 729 vod

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  • 蘇泊爾C21S02-B電磁爐電路圖

    蘇泊爾C21S02-B電磁爐電路圖,紅線標(biāo)注,重點(diǎn)模塊說明!

    標(biāo)簽: 21 02 蘇泊爾 電磁爐電路圖

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  • 變頻器原理與應(yīng)用教程

    ·作    者: 三菱電機(jī)株式會(huì)社 I S B N: 7118019917 頁    數(shù): 176 開    本: 大16開 封面形式: 簡(jiǎn)裝本 出 版 社: 國(guó)防工業(yè)出版社   本社特價(jià)書  出版日期: 2001-7-1 定    價(jià): 40元 變頻器原理與應(yīng)用教程 內(nèi)容簡(jiǎn)介本書

    標(biāo)簽: 變頻器原理 應(yīng)用教程

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  • ADS-B接收機(jī)DIY全套資料

    制作基于PIC Mcu 的ADS-B接收機(jī)的全套資料,包括SCH、PCB、源碼和PC端軟件。

    標(biāo)簽: ADS-B DIY 接收機(jī)

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  • 2012TI杯陜西賽題B題--頻率補(bǔ)償電路

    2012TI杯陜西賽題H題,2012TI杯陜西賽題B題--頻率補(bǔ)償電路.

    標(biāo)簽: 2012 TI 頻率補(bǔ)償電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-07

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專用于無中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

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  • 基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器

    為簡(jiǎn)化總線式RS485隔離器的設(shè)計(jì),提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術(shù)方案。該方案具有簡(jiǎn)單實(shí)用、無需電源、無需考慮數(shù)據(jù)流向、在有限范圍內(nèi)波特率自適應(yīng)、底層用戶群體易于理解和掌控等特點(diǎn)。給出了基本實(shí)驗(yàn)電路和脈沖變壓器的主要設(shè)計(jì)依據(jù)。基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器,尤其適合工業(yè)環(huán)境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網(wǎng)的升級(jí)改造,其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網(wǎng)。

    標(biāo)簽: 485 RS 脈沖變壓器 總線式

    上傳時(shí)間: 2013-10-07

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  • 38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器

    38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器 隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,電源技術(shù)被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域,涉及到國(guó)民經(jīng)濟(jì)各行各業(yè)。特別是近年來,隨著IGBT的廣泛應(yīng)用,開關(guān)電源向更大功率方向發(fā)展。研制各種各樣的大功率,高性能的開關(guān)電源成為趨勢(shì)。某電源系統(tǒng)要求輸入電壓為AC220V,輸出電壓為DC38V,輸出電流為100A,輸出電壓低紋波,功率因數(shù)>0.9,必要時(shí)多臺(tái)電源可以直接并聯(lián)使用,并聯(lián)時(shí)的負(fù)載不均衡度<5%。   設(shè)計(jì)采用了AC/DC/AC/DC變換方案。一次整流后的直流電壓,經(jīng)過有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)以提高系統(tǒng)的功率因數(shù),再經(jīng)半橋變換電路逆變后,由高頻變壓器隔離降壓,最后整流輸出直流電壓。系統(tǒng)的主要環(huán)節(jié)有DC/DC電路、功率因數(shù)校正電路、PWM控制電路、均流電路和保護(hù)電路等。 1 有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié) 由于系統(tǒng)的功率因數(shù)要求0.9以上,采用二極管整流是不能滿足要求的,所以,加入了有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)。采用UC3854A/B控制芯片來組成功率因數(shù)電路。UC3854A/B是Unitrode公司一種新的高功率因數(shù)校正器集成控制電路芯片,是在UC3854基礎(chǔ)上的改進(jìn)。其特點(diǎn)是:采用平均電流控制,功率因數(shù)接近1,高帶寬,限制電網(wǎng)電流失真≤3%[1]。圖1是由UC3854A/B控制的有源功率因數(shù)校正電路。   該電路由兩部分組成。UC3854A/B及外圍元器件構(gòu)成控制部分,實(shí)現(xiàn)對(duì)網(wǎng)側(cè)輸入電流和輸出電壓的控制。功率部分由L2,C5,V等元器件構(gòu)成Boost升壓電路。開關(guān)管V選擇西門康公司的SKM75GB123D模塊,其工作頻率選在35kHz。升壓電感L2為2mH/20A。C5采用四個(gè)450V/470μF的電解電容并聯(lián)。因?yàn)椋O(shè)計(jì)的PFC電路主要是用在大功率DC/DC電路中,所以,在負(fù)載輕的時(shí)候不進(jìn)行功率因數(shù)校正,當(dāng)負(fù)載較大時(shí)功率因數(shù)校正電路自動(dòng)投入使用。此部分控制由圖1中的比較器部分來實(shí)現(xiàn)。R10及R11是負(fù)載檢測(cè)電阻。當(dāng)負(fù)載較輕時(shí),R10及R11上檢測(cè)的信號(hào)輸入給比較器,使其輸出端為低電平,D2導(dǎo)通,給ENA(使能端)低電平使UC3854A/B封鎖。在負(fù)載較大時(shí)ENA為高電平才讓UC3854A/B工作。D3接到SS(軟啟動(dòng)端),在負(fù)載輕時(shí)D3導(dǎo)通,使SS為低電平;當(dāng)負(fù)載增大要求UC3854A/B工作時(shí),SS端電位從零緩慢升高,控制輸出脈沖占空比慢慢增大實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)。 2 DC/DC主電路及控制部分分析 2.1 DC/DC主電路拓?fù)?在大功率高頻開關(guān)電源中,常用的主變換電路有推挽電路、半橋電路、全橋電路等[2]。其中推挽電路的開關(guān)器件少,輸出功率大,但開關(guān)管承受電壓高(為電源電壓的2倍),且變壓器有六個(gè)抽頭,結(jié)構(gòu)復(fù)雜;全橋電路開關(guān)管承受的電壓不高,輸出功率大,但是需要的開關(guān)器件多(4個(gè)),驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜。半橋電路開關(guān)管承受的電壓低,開關(guān)器件少,驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。根據(jù)對(duì)各種拓?fù)浞桨傅墓こ袒瘜?shí)現(xiàn)難度,電氣性能以及成本等指標(biāo)的綜合比較,本電源選用半橋式DC/DC變換器作為主電路。圖2為大功率開關(guān)電源的主電路拓?fù)鋱D。

    標(biāo)簽: 100 38 AC DC

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

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  • 80C51特殊功能寄存器地址表

    /*--------- 8051內(nèi)核特殊功能寄存器 -------------*/ sfr ACC = 0xE0;             //累加器 sfr B = 0xF0;  //B 寄存器 sfr PSW    = 0xD0;           //程序狀態(tài)字寄存器 sbit CY    = PSW^7;       //進(jìn)位標(biāo)志位 sbit AC    = PSW^6;        //輔助進(jìn)位標(biāo)志位 sbit F0    = PSW^5;        //用戶標(biāo)志位0 sbit RS1   = PSW^4;        //工作寄存器組選擇控制位 sbit RS0   = PSW^3;        //工作寄存器組選擇控制位 sbit OV    = PSW^2;        //溢出標(biāo)志位 sbit F1    = PSW^1;        //用戶標(biāo)志位1 sbit P     = PSW^0;        //奇偶標(biāo)志位 sfr SP    = 0x81;            //堆棧指針寄存器 sfr DPL  = 0x82;            //數(shù)據(jù)指針0低字節(jié) sfr DPH  = 0x83;            //數(shù)據(jù)指針0高字節(jié) /*------------ 系統(tǒng)管理特殊功能寄存器 -------------*/ sfr PCON  = 0x87;           //電源控制寄存器 sfr AUXR = 0x8E;              //輔助寄存器 sfr AUXR1 = 0xA2;             //輔助寄存器1 sfr WAKE_CLKO = 0x8F;        //時(shí)鐘輸出和喚醒控制寄存器 sfr CLK_DIV  = 0x97;          //時(shí)鐘分頻控制寄存器 sfr BUS_SPEED = 0xA1;        //總線速度控制寄存器 /*----------- 中斷控制特殊功能寄存器 --------------*/ sfr IE     = 0xA8;           //中斷允許寄存器 sbit EA    = IE^7;  //總中斷允許位  sbit ELVD  = IE^6;           //低電壓檢測(cè)中斷控制位 8051

    標(biāo)簽: 80C51 特殊功能寄存器 地址

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  • PSHLY-B回路電阻測(cè)試儀

    PSHLY-B回路電阻測(cè)試儀介紹

    標(biāo)簽: PSHLY-B 回路 電阻測(cè)試儀

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