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磁特性曲線(xiàn)

第4部分磁性元件的特性

磁性元件特性簡介

標簽： 分磁性元件

上傳時間： 2013-11-25

上傳用戶：Wwill
MPP CCD暗電流溫度特性研究

研究了MPP電荷耦合器件(CCD)暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性,并與非MPP CCD的暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性進行了對比分析。研究結果表明,MPP CCD抑制了表面暗電流,相較于非MPP CCD具有較低的暗電流和暗電流非均勻性,可以承受更高的工作溫度。

標簽： MPP CCD 電流溫度特性

上傳時間： 2013-10-23

上傳用戶：netwolf
空間微小間隙放電的伏距特性

　　電阻電壓降的空氣擊穿強度為 500KV/m 已是共識，然而筆者在研制“低壓電源避雷絕緣子”專利產品過程中，發現小間隙的電阻電壓降的空氣擊穿強度大大高于此值，于是就對空氣微小間隙放電的伏距特性進行了測試研究。發現了空氣間隙放電的伏距特性隨著間隙的增大由非線性變化區段發展到線性變化區段的規律。500KV/m 只是間隙無限增大時空氣擊穿強度無限趨近的最低值，與小間隙的空氣擊穿強度嚴重不符。

標簽： 微小間隙放電伏距特性

上傳時間： 2013-10-20

上傳用戶：togetsomething
基于照明特性分析的串聯飽和型恒流驅動設計

摘要：發光二極管（LED）技術的快速發展使其在照明工程中的應用越來越廣泛。針對LED 照明的特點和光學特性參數，從驅動電路入手，設計了一款照明燈實用LED 驅動電路，并將理論分析結果與LED 驅動電路的實際測量結果進行了對比，對比結果表明，該驅動電路具有實用性，既能滿足照明工程的功能性要求，又能夠實現最大限度的節能。

標簽： 照明串聯飽和恒流特性分析

上傳時間： 2013-11-20

上傳用戶：klin3139
光伏電池聚光特性

基于槽式聚光熱電聯供系統，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結果表明，聚光光強下砷化鎵電池陣列輸出性能優于晶硅電池陣列，高光強會導致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時耗盡層復合率變大，開路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強還引起電池溫度升高，電池陣列串聯內阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯內阻對輸出功率影響巨大，串聯內阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +

標簽： 光伏電池聚光特性

上傳時間： 2013-10-18

上傳用戶：趙一霞a
CCFL的亮度特性及其驅動電路

背光組件中主要的發光器件冷陰極熒光燈(CCFL)具有特定的電氣特性．通過實驗研究了CCFL的與發光亮度和發光效率有關的特性．定性地分析了CCFL的自激振蕩電路的工作原理。并在此基礎上，對逆變振蕩電路進行了定量的理論分析．為設計高效率驅動電路提供參考依據。

標簽： CCFL 亮度驅動電路

上傳時間： 2013-11-07

上傳用戶：love1314
圖解冷陰極熒光燈（CCFL）的特性

冷陰極熒光燈（CCFL）是填充了惰性氣體的密封玻璃管。當在管子上加高壓時，氣體電離產生紫外（UV）光。UV光激勵內部磷光粉涂層，產生可見光。CCFL具有很多非常好的特性，包括：

標簽： CCFL 圖解冷陰極熒光燈

上傳時間： 2013-10-23

上傳用戶：vmznxbc
多機電力系統振蕩模式阻尼分配與傳遞

根據電力系統特征分析法，分析了系統勵磁運行方式變化對多機系統阻尼的影響，透過各種因素對系統阻尼特性影響的分析，對低頻振蕩產生機理有了進一步的理解．從而有助于采取必要的預防措旌。

標簽： 多機電力系統模式阻尼分配

上傳時間： 2013-10-20

上傳用戶：yulg
1000kV交流特高壓輸電線路運行特性分析

依據我國及世界各國特高壓輸電研究成果以及前蘇聯和日本特高壓輸電線路運行經驗，并結合我國的特高壓輸電示范工程路徑的特點和途徑地區已有各電壓等級輸電線路的運行經驗，對晉東南一南陽一荊門1000 kV交流特高壓輸電示范工程建成投運后的運行特性及其對自然環境的影響進行了分析，重點分析了特高壓輸電線路的雷電、防污閃、冰風、防鳥害等特性，對建成后特高壓輸電線路的電磁環境進行了評估，并對特高壓輸電線路的運行指標作出了預

標簽： 1000 kV 交流特高壓輸電線路

上傳時間： 2013-10-08

上傳用戶：LP06
同步整流技術簡單介紹

同步整流技術簡單介紹大家都知道，對于開關電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向導電特性），它可以理解為一種被動式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高，快恢復二極管（FRD）或超快恢復二極管（SRD）可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個例子：如有一個管子壓降為0.7V，其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%?？梢姶祟惼骷诘蛪捍箅娏鞯墓ぷ鳝h境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低，損耗產生的熱能導致整流管進而開關電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統運行不穩定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術的飛速發展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達24A）的電源轉換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現，為廣大用戶提供更高轉換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標準）的電源轉換器就是我們整個開關電源行業的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術和通態電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。因為用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中，一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態電阻的乘積，故小電流時，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農田來理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統肖特基加磁放大整流技術17.5%的損耗，其技術的進步已不僅僅是一個量的變化，而可以說是有了一個質的飛躍了。也可以說，我們為用戶修建了一條嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。

標簽： 同步整流

上傳時間： 2013-10-27

上傳用戶：杏簾在望