磁性元件特性簡介
上傳時間： 2013-11-25
上傳用戶：Wwill
研究了MPP電荷耦合器件(CCD)暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性,并與非MPP CCD的暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性進(jìn)行了對比分析。研究結(jié)果表明,MPP CCD抑制了表面暗電流,相較于非MPP CCD具有較低的暗電流和暗電流非均勻性,可以承受更高的工作溫度。
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：netwolf
電阻電壓降的空氣擊穿強(qiáng)度為 500KV/m 已是共識，然而筆者在研制“低壓電源避雷絕緣子”專利產(chǎn)品過程中，發(fā)現(xiàn)小間隙的電阻電壓降的空氣擊穿強(qiáng)度大大高于此值，于是就對空氣微小間隙放電的伏距特性進(jìn)行了測試研究。發(fā)現(xiàn)了空氣間隙放電的伏距特性隨著間隙的增大由非線性變化區(qū)段發(fā)展到線性變化區(qū)段的規(guī)律。500KV/m 只是間隙無限增大時空氣擊穿強(qiáng)度無限趨近的最低值，與小間隙的空氣擊穿強(qiáng)度嚴(yán)重不符。
上傳時間： 2013-10-20
上傳用戶：togetsomething
摘要：發(fā)光二極管（LED）技術(shù)的快速發(fā)展使其在照明工程中的應(yīng)用越來越廣泛。針對LED 照明的特點和光學(xué)特性參數(shù)，從驅(qū)動電路入手，設(shè)計了一款照明燈實用LED 驅(qū)動電路，并將理論分析結(jié)果與LED 驅(qū)動電路的實際測量結(jié)果進(jìn)行了對比，對比結(jié)果表明，該驅(qū)動電路具有實用性，既能滿足照明工程的功能性要求，又能夠?qū)崿F(xiàn)最大限度的節(jié)能。
標(biāo)簽： 照明 串聯(lián)飽和 恒流 特性分析
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：klin3139
基于槽式聚光熱電聯(lián)供系統(tǒng)，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結(jié)果表明，聚光光強(qiáng)下砷化鎵電池陣列輸出性能優(yōu)于晶硅電池陣列，高光強(qiáng)會導(dǎo)致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時耗盡層復(fù)合率變大，開路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強(qiáng)還引起電池溫度升高，電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻對輸出功率影響巨大，串聯(lián)內(nèi)阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：趙一霞a
背光組件中主要的發(fā)光器件冷陰極熒光燈(CCFL)具有特定的電氣特性．通過實驗研究了CCFL的與發(fā)光亮度和發(fā)光效率有關(guān)的特性．定性地分析了CCFL的自激振蕩電路的工作原理。并在此基礎(chǔ)上，對逆變振蕩電路進(jìn)行了定量的理論分析．為設(shè)計高效率驅(qū)動電路提供參考依據(jù)。
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：love1314
冷陰極熒光燈（CCFL）是填充了惰性氣體的密封玻璃管。當(dāng)在管子上加高壓時，氣體電離產(chǎn)生紫外（UV）光。UV光激勵內(nèi)部磷光粉涂層，產(chǎn)生可見光。CCFL具有很多非常好的特性，包括：
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：vmznxbc
根據(jù)電力系統(tǒng)特征分析法，分析了系統(tǒng)勵磁運(yùn)行方式變化對多機(jī)系統(tǒng)阻尼的影響，透過各種因素對系統(tǒng)阻尼特性影響的分析，對低頻振蕩產(chǎn)生機(jī)理有了進(jìn)一步的理解．從而有助于采取必要的預(yù)防措旌。
標(biāo)簽： 多機(jī) 電力系統(tǒng) 模式 阻尼分配
上傳時間： 2013-10-20
上傳用戶：yulg
依據(jù)我國及世界各國特高壓輸電研究成果以及前蘇聯(lián)和日本特高壓輸電線路運(yùn)行經(jīng)驗，并結(jié)合我國的特高壓輸電示范工程路徑的特點和途徑地區(qū)已有各電壓等級輸電線路的運(yùn)行經(jīng)驗，對晉東南一南陽一荊門1000 kV交流特高壓輸電示范工程建成投運(yùn)后的運(yùn)行特性及其對自然環(huán)境的影響進(jìn)行了分析，重點分析了特高壓輸電線路的雷電、防污閃、冰風(fēng)、防鳥害等特性，對建成后特高壓輸電線路的電磁環(huán)境進(jìn)行了評估，并對特高壓輸電線路的運(yùn)行指標(biāo)作出了預(yù)
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：LP06
同步整流技術(shù)簡單介紹大家都知道，對于開關(guān)電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高，快恢復(fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個例子：如有一個管子壓降為0.7V，其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當(dāng)其為3.3V整流時，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低，損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管進(jìn)而開關(guān)電源的溫度上升、機(jī)箱溫度上升--------有時系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達(dá)24A）的電源轉(zhuǎn)換器。而當(dāng)前世界的能源緊張問題的凸現(xiàn)，為廣大用戶提供更高轉(zhuǎn)換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標(biāo)準(zhǔn)）的電源轉(zhuǎn)換器就是我們整個開關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會責(zé)任了。如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系。因為用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復(fù)雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應(yīng)用中，一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態(tài)電阻的乘積，故小電流時，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產(chǎn)品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農(nóng)田來理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態(tài)電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統(tǒng)肖特基加磁放大整流技術(shù)17.5%的損耗，其技術(shù)的進(jìn)步已不僅僅是一個量的變化，而可以說是有了一個質(zhì)的飛躍了。也可以說，我們?yōu)橛脩粜藿艘粭l嚴(yán)絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
標(biāo)簽： 同步整流
上傳時間： 2013-10-27
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