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磁芯選型

電流型二線制光照強(qiáng)度變送器的設(shè)計(jì)

現(xiàn)階段對(duì)電流型二線制光照強(qiáng)度變送器的研究還相對(duì)較少，設(shè)計(jì)的光照強(qiáng)度變送器普遍存在精度不高，線性度不好，性能不夠穩(wěn)定，不能輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流信號(hào)的問題。介紹了一種電流型二線制光照強(qiáng)度變送器的設(shè)計(jì)，其結(jié)構(gòu)由光照強(qiáng)度轉(zhuǎn)電壓電路、電壓范圍轉(zhuǎn)換電路、電壓轉(zhuǎn)電流電路以及穩(wěn)壓電源產(chǎn)生電路組成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該變送器具有精度高、線性度好、功耗低，能夠穩(wěn)定可靠地輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流的特點(diǎn)。

標(biāo)簽： 電流型二線制光照變送器

上傳時(shí)間： 2013-11-08

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電壓驅(qū)動(dòng)型脈寬調(diào)制器TL494

電壓驅(qū)動(dòng)型脈寬調(diào)制器TL494

標(biāo)簽： 494 TL 電壓驅(qū)動(dòng)

上傳時(shí)間： 2013-10-28

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S8JX開關(guān)電源(35/50/100/150-W型)

符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn) ： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

標(biāo)簽： S8JX 100 150 35

上傳時(shí)間： 2014-04-17

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AC通用輸入(100~240V AC)全球?qū)?yīng)型電源1

AC通用輸入(100~240V AC)全球?qū)?yīng)型電源1

標(biāo)簽： 100 240 AC 輸入

上傳時(shí)間： 2014-04-15

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主從型IGCT逆變器及其在STATCOM中的應(yīng)用

本文針對(duì)6KV中壓電網(wǎng)三相平衡負(fù)載的無功功率補(bǔ)償，結(jié)合二極管箝位多電平逆變器和H橋級(jí)聯(lián)多電平逆變器的特點(diǎn)，提出了一種能夠直接并入電網(wǎng)的新型主從式的逆變器結(jié)構(gòu)：主逆變器采用二極管箝位三電平逆變器，從逆變器采用三個(gè)H橋(即全橋)逆變器。主逆變器和H橋逆變器采用級(jí)聯(lián)的形式連接，最后構(gòu)成一個(gè)五電平的混聯(lián)逆變器。從逆變器負(fù)責(zé)產(chǎn)生一個(gè)方波電壓，構(gòu)成輸?shù)A正弦電壓的基本成分：主逆變器產(chǎn)生輸出電壓的補(bǔ)償部分以及負(fù)責(zé)消除低次諧波。對(duì)于主逆變器直流側(cè)電容電壓的平衡問題，本文提出了一種采用硬件電路平衡的方法，從而降低了PWM調(diào)制時(shí)控制方法的復(fù)雜性。因?yàn)榧砷T極換相晶閘管(IGCT)這種新型電力電子器件具有開關(guān)頻率高、無緩沖電路、耐壓高等優(yōu)點(diǎn)，主電路選用IGCT作為開關(guān)器件。本文詳細(xì)分析了用于STATCOM的主從型逆變器電路結(jié)構(gòu)，同時(shí)給出了電路參數(shù)的確定方法，并對(duì)STATCOM逆變器輸出電壓的諧波進(jìn)行了理論分析。根據(jù)本文提出的主從型逆交器結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，建立了基于瞬時(shí)無功理論的STATCOM系統(tǒng)動(dòng)態(tài)控制模型，并給出了一種解藕反饋控制方法。最后通過仿真結(jié)果證明了所提出的這種主從型逆變器STA’rC0^I結(jié)構(gòu)在消除諧波方面的優(yōu)越性。

標(biāo)簽： STATCOM IGCT 逆變器中的應(yīng)用

上傳時(shí)間： 2013-10-31

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NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。

標(biāo)簽： NIP 非晶硅薄膜太陽能電池

上傳時(shí)間： 2013-11-21

上傳用戶：wanqunsheng
級(jí)聯(lián)型高壓變頻調(diào)速系統(tǒng)共模電壓分析

了解高壓變頻系統(tǒng)共模電壓及其特點(diǎn),對(duì)整個(gè)變頻系統(tǒng)的設(shè)計(jì)具有重要意義。文中較詳細(xì)地分析了級(jí)聯(lián)型多電平高壓變頻系統(tǒng)共模電壓的產(chǎn)生機(jī)理,對(duì)兩種電壓胞脈寬調(diào)制(PWM) 方法引起的共模電壓進(jìn)行了比較,提出了采用電壓胞異相調(diào)制和3 次諧波注入法減小變頻系統(tǒng)共模電壓的策略。仿真計(jì)算表明,該方法既能減小變頻系統(tǒng)輸出共模電壓,又不致降低直流電壓利用率。

標(biāo)簽： 級(jí)聯(lián)型共模電壓分高壓變頻

上傳時(shí)間： 2013-11-23

上傳用戶：nairui21
三相電壓源型PWM整流器的DSP控制

描述了三相電壓源型PWM整流器的工作原理，基于整流器網(wǎng)側(cè)電流矢量推導(dǎo)出同步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型，給出了一種電流前饋解耦控制算法。同時(shí)詳細(xì)介紹了基于電流前饋解耦的PWM整流器雙環(huán)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法。并且應(yīng)用TMS320LF2407A建立了PWM整流器的DSP數(shù)字化實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該整流器能獲得單位功率因數(shù)的正弦輸入電流、穩(wěn)定的直流輸出電壓和快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

標(biāo)簽： PWM DSP 三相電壓源

上傳時(shí)間： 2013-10-11

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降壓型開關(guān)穩(wěn)壓電源控制器

概述: MXT2576是降壓型開關(guān)電源穩(wěn)壓器，有很好的電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，能夠提供5V的輸出電壓和3A的驅(qū)動(dòng)電流。 MXT2576應(yīng)用簡(jiǎn)單，需要的外圍器件少，內(nèi)置頻率補(bǔ)償電路和固定頻率振蕩器。外圍器件可以采用不同廠家生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)系列的電感，從而簡(jiǎn)化了開關(guān)電源的設(shè)計(jì)。在規(guī)定的輸入電壓和輸出負(fù)載的條件下，MXT2576輸出電壓的容差為±4%，振蕩器振蕩頻率的容差為±10%。提供外部關(guān)斷信號(hào)，待機(jī)電流小于200uA（典型值50uA）。內(nèi)置電流保護(hù)電路和溫度保護(hù)電路對(duì)芯片進(jìn)行保護(hù)。 MXT2576能夠很好的代替通常的三端線形穩(wěn)壓器，有效地減小散熱片的面積，在一些情況下即使不需要散熱片芯片仍可以正常工作。

標(biāo)簽： 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓電源控制器

上傳時(shí)間： 2013-12-18

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反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)的思考三(磁芯的選取)

在DCM狀態(tài)下選擇：Uin－電源輸入直流電壓Uinmin－電源輸入直流電壓最小值D－占空比Np－初級(jí)繞組匝數(shù)Lp－初級(jí)繞組電感量Ae－磁芯有效面積Ip－初級(jí)峰值電流f－開關(guān)頻率Ton－開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間I－初級(jí)繞組電流有效值η－開關(guān)電源效率J－電流密度

標(biāo)簽： 反激式開關(guān) 電源設(shè)計(jì) 磁芯

上傳時(shí)間： 2013-12-16

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