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神經(jīng)(jīng)網(wǎng)(wǎng)絡(luò)(luò)<b>模型</b>

  • 60 W USB PD 3.0 采用InnoSwitch3-Pro PowiGaN和MinE-CAP

    帶有PPS電源適配器的60 W USB PD 3.0具有PowiGaN的InnoSwitch3-Pro(INN3379C-H302); MinE-CAP(MIN1072M);威盛Labs VP302控制器輸入:90 VAC – 265 VAC可變輸出:5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 3 APPS輸出:3.3 V – 21 V / 3 A

    標(biāo)簽: InnoSwitch3-Pro PowiGaN

    上傳時(shí)間: 2022-03-24

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  • 使用InnoSwitch3-Pro PowiGaN PPS電源的65 W USB PD 3.0

    使用InnoSwitch3-Pro PowiGaN和MinE-CAP的3.3 W-21 V PPS電源的65 W USB PD 3.0

    標(biāo)簽: InnoSwitch3-Pro PowiGaN PPS電源

    上傳時(shí)間: 2022-04-02

    上傳用戶:kingwide

  • MATLAB試題講解(神級版本)

    該文檔為MATLAB試題講解(神級版本)總結(jié)文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………

    標(biāo)簽: matlab

    上傳時(shí)間: 2022-04-06

    上傳用戶:20125101110

  • 芯達(dá)STM32入門系列教程之二《如何安裝J-Link驅(qū)動(dòng)軟件》總結(jié)

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    標(biāo)簽: stm32

    上傳時(shí)間: 2022-05-01

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  • 使用InnoSwitch3-CP和HiperPFS-4的100 W USB PD Type-C電源

    使用InnoSwitch3-CP(具有PowiGaN技術(shù)的INN3270C-H215)和HiperPFS-4的100 W USB PD Type-C充電器(5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 5 A輸出) (PFS7628C)

    標(biāo)簽: InnoSwitch3-CP HiperPFS-4

    上傳時(shí)間: 2022-05-09

    上傳用戶:XuVshu

  • 自制的JLINK-V9,J-LINK-V9.5PCB源文件、原理圖免費(fèi)分享

    自制的JLINK-V9,J-LINK-V9.5PCB源文件、原理圖免費(fèi)分享

    標(biāo)簽: JLINK pcb

    上傳時(shí)間: 2022-06-19

    上傳用戶:shjgzh

  • W公司手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ),針對手機(jī)芯片封裝行業(yè)過于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù),建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng),通過對手機(jī)芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理,對手機(jī)芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進(jìn)行分析和統(tǒng)計(jì),診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢,并對手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理進(jìn)行了綜述。在對數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進(jìn)行深入分析探討的基礎(chǔ)上,提出了手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)目標(biāo)、設(shè)計(jì)思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個(gè)方面:1、對手機(jī)芯片封裝的制造過程、系統(tǒng)模式進(jìn)行了分析,著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機(jī)芯片封裝中的應(yīng)用;2、運(yùn)用數(shù)據(jù)挖掘的方法,針對影響芯片封裝質(zhì)量的多個(gè)相關(guān)因素,進(jìn)行各因素的權(quán)重判定,確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素,針對影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素,通過對低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析,定位封裝過程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點(diǎn),為質(zhì)量改善提供依據(jù):3、搜集W公司2006年5月到8月的手機(jī)芯片封裝測試數(shù)據(jù),進(jìn)行實(shí)證研究,驗(yàn)證了所提出的研究方法的準(zhǔn)確性。

    標(biāo)簽: 手機(jī)芯片封裝 質(zhì)量管理系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2022-06-21

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  • 15 W無線充電發(fā)射器解決方案(原理圖、BOM、應(yīng)用說明等).

    15 W無線充電發(fā)射器解決方案(原理圖、BOM、應(yīng)用說明等).

    標(biāo)簽: 無線充電發(fā)射器

    上傳時(shí)間: 2022-06-21

    上傳用戶:canderile

  • SEGGER J-FlASH ARM(jlink驅(qū)動(dòng))_V4.08_免費(fèi)版

    1:打開J-Flash ARM后,首先點(diǎn)擊File-OpenProject...,從中選擇STM32F103RB.jflash。(例子芯片,直接在提示的目錄下找)    2.點(diǎn)擊File-Open data file...選擇要燒錄的可執(zhí)行文件(.hex 或者 .bin) 3:options-project settings  在里面配置cpu型號,下載方式 4: 選擇燒錄文件后,點(diǎn)擊Target-connect,鏈接一下硬件是否通。如果能夠連接成功會(huì)了LOG窗口最后一行顯示“Connected successfully”。5:按F3擦除芯片。6.按F5鍵將程序?qū)懭胄酒?.硬件鏈接上之后,點(diǎn)擊Target-Secure chip防止程序被惡意讀出。如果您的芯片用于調(diào)試,不要執(zhí)行本步驟。

    標(biāo)簽: J-Flash

    上傳時(shí)間: 2022-06-22

    上傳用戶:kingwide

  • IPC J-STD-033D-CN-濕度、再流焊和工藝敏感器件的操作、包裝、運(yùn)輸及使用

    簡要介紹本文件的目的是,針對潮濕、再流焊和工藝敏感器件,向生產(chǎn)商和用戶提供標(biāo)準(zhǔn)的操作、包裝、運(yùn)輸及使用方法。所提供的這些方法可避免由于吸收濕氣和暴露在再流焊溫度下造成的封裝損傷,這些損傷會(huì)導(dǎo)致合格率和可靠性的降低。一旦正確執(zhí)行IPC/JEDEC J-STD-033D,這些工藝可以提供從密封時(shí)間算起12個(gè)月的最短保質(zhì)期。由IPC和JEDEC開發(fā)。一般的IC封裝零件都需要根據(jù)MSL標(biāo)準(zhǔn)管控零件暴露於環(huán)境濕度的時(shí)間,以確保零件不會(huì)因?yàn)檫^度吸濕在過回焊爐時(shí)發(fā)生popcom(爆裂)或delamination(分層)的后果,不同的零件封裝會(huì)產(chǎn)生不同的MSL等級,當(dāng)濕氣進(jìn)入零件越多,零件因溫度而膨脹剝離的風(fēng)險(xiǎn)就越高,基本上濕度敏感的零件在出廠前都會(huì)經(jīng)過一定時(shí)間及溫度的烘烤,然后連同乾燥劑(desiccant)一起加入真空包裝中來達(dá)到最低的濕氣入侵可能。本文件的目的是,針對潮濕/再流焊敏感表面貼裝器件,向生產(chǎn)商和用戶提供標(biāo)準(zhǔn)的操作、包裝、運(yùn)輸及使用方法。所提供的這些方法可避免由于吸收濕氣和暴露在再流焊溫度下造成的封裝損傷,這些損傷會(huì)導(dǎo)致合格率和可靠性的降低。一旦正確執(zhí)行,這些工藝可以提供從密封時(shí)間算起12個(gè)月的最短保質(zhì)期。由IPC和JEDEC開發(fā)。

    標(biāo)簽: ipc j-std-033d

    上傳時(shí)間: 2022-06-26

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