專輯類-微波相關(guān)專輯-共31冊(cè)-341M 電磁場(chǎng)計(jì)算中的時(shí)域有限差分法（王常清）-382頁(yè)-12.3M-pdf版.pdf
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專輯類-數(shù)字處理及顯示技術(shù)專輯-106冊(cè)-9138M 空時(shí)自適應(yīng)信號(hào)處理-207頁(yè)-4.8M.pdf
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專輯類-國(guó)標(biāo)類相關(guān)專輯-313冊(cè)-701M GB-T-12560-1990-半導(dǎo)體器件-分立器件分規(guī)范-可供認(rèn)證用-.pdf
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超級(jí)電容器是一種介于電池和靜電電容之間的新型儲(chǔ)能元件，其功率密度比電池高數(shù)十倍，能量密度比靜電電容高數(shù)十倍。具有充放電速度快、對(duì)環(huán)境無(wú)污染、循環(huán)壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，有希望成為21世紀(jì)的新型綠色能源。 設(shè)計(jì)了一個(gè)主回路以BUCK降壓電路為主，控制回路以單片機(jī)89C51為核心的超級(jí)電容器充放電測(cè)試系統(tǒng)，用于測(cè)試超級(jí)電容器充放電性能。本系統(tǒng)通過(guò)檢測(cè)超級(jí)電容器的端電壓、電流和溫度，并將采集到的信號(hào)由ADC0809轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，送入89C51分析處理后，再經(jīng)DAC0832輸出，調(diào)節(jié)脈寬調(diào)制器TL494的電壓信號(hào)，調(diào)整PWM的輸出值，控制BUCK轉(zhuǎn)換電路中MOSFET功率開(kāi)關(guān)的占空比，從而改變輸出直流電壓的大小，實(shí)現(xiàn)恒流控制。超級(jí)電容器充電方法采用分階段恒流充電，依照充電狀態(tài)的不同，適時(shí)調(diào)整充電電流大小，避免過(guò)充電造成超級(jí)電容器損害。在其控制方法和實(shí)現(xiàn)手段上，主要通過(guò)單片機(jī)的設(shè)定值與實(shí)測(cè)值的比較來(lái)控制電路的輸出，也可以通過(guò)模糊控制技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，并用MATLAB進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)，仿真結(jié)果證明采用模糊控制能夠取得更好的效果。在整個(gè)系統(tǒng)的保護(hù)功能方面，采用了過(guò)壓、過(guò)流以及過(guò)熱等的保護(hù)方法，實(shí)現(xiàn)軟硬件對(duì)系統(tǒng)的保護(hù)。 利用本測(cè)試系統(tǒng)可以對(duì)超級(jí)電容器進(jìn)行恒電流充放電，其充放電曲線基本上呈現(xiàn)線性。模糊控制能針對(duì)電容器充電狀態(tài)的不同，適時(shí)給予不同的充電電流，不至于發(fā)生大電流過(guò)充造成超級(jí)電容器受損的情況，確保使用壽命。 解決了系統(tǒng)的電磁兼容，從而能夠保證系統(tǒng)能夠安全可靠地工作。在電路裝置硬件電路、軟件以及印制電路板設(shè)計(jì)中所采取了一些抗干擾措施，可以有效地預(yù)防一些干擾帶來(lái)的誤差，提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
標(biāo)簽： 超級(jí)電容器 恒流 測(cè)試電源
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永磁同步發(fā)電機(jī)由于一系列高效節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)，在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、航空航天、國(guó)防和日常生活中得到廣泛應(yīng)用，并且受到許多學(xué)者的關(guān)注，其研究領(lǐng)域主要涉及永磁同步發(fā)電機(jī)的設(shè)計(jì)、精確性能分析、控制等方面。 本課題作為國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目《無(wú)刷無(wú)勵(lì)磁機(jī)諧波勵(lì)磁的混合勵(lì)磁永磁電機(jī)的研究》的課題，主要研究永磁電機(jī)的電磁場(chǎng)空載和負(fù)載計(jì)算，求出永磁電機(jī)的電壓波形和電壓調(diào)整率，為分段式轉(zhuǎn)子的混合勵(lì)磁永磁電機(jī)的研究奠定基礎(chǔ)，主要做了以下工作： 首先介紹了永磁同步發(fā)電機(jī)的基本原理，包括永磁同步發(fā)電機(jī)的結(jié)構(gòu)形式和永磁同步發(fā)電機(jī)的運(yùn)行性能，采用傳統(tǒng)解析理論給出了電壓調(diào)整率的計(jì)算方法及外特性的計(jì)算模型；然后用有限元ANSYS對(duì)永磁同步發(fā)電機(jī)樣機(jī)進(jìn)行實(shí)體建模，經(jīng)過(guò)定義分配材料、劃分網(wǎng)格、加邊界條件和載荷、求解計(jì)算等，得到矢量磁位Az、磁場(chǎng)強(qiáng)度H、磁感應(yīng)強(qiáng)度B等結(jié)果，直觀地看出電機(jī)內(nèi)部的磁場(chǎng)分布情況。 其次根據(jù)電磁場(chǎng)計(jì)算結(jié)果，應(yīng)用齒磁通法對(duì)其進(jìn)行后處理。該方法求解轉(zhuǎn)子在一個(gè)齒距內(nèi)不同位置處的磁場(chǎng)，以定子齒的磁通為計(jì)算單位，根據(jù)繞組與齒的匝鏈關(guān)系，計(jì)算出磁鏈隨時(shí)間的變化，進(jìn)而得到永磁同步發(fā)電機(jī)空、負(fù)載時(shí)電壓大小及波形。通過(guò)計(jì)算結(jié)果寫(xiě)實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)比，驗(yàn)證了齒磁通法的正確性，為計(jì)算永磁同步發(fā)電機(jī)各種性能特性提供有力工具。 最后，基于齒磁通法對(duì)永磁同步發(fā)電機(jī)的外特性進(jìn)行了深入研究，定量分析了結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)外特性的影響規(guī)律，提出了有效降低電壓調(diào)整率的方法的是：增加氣隙長(zhǎng)度g的同時(shí)，適當(dāng)增加永磁體的磁化方向的長(zhǎng)度hm；此外，要盡量的減少每相串聯(lián)匝數(shù)N和增大導(dǎo)線面積以減小阻抗參數(shù)。通過(guò)改變電機(jī)的結(jié)構(gòu)參數(shù)，對(duì)其電磁場(chǎng)進(jìn)行計(jì)算，找到永磁電機(jī)電壓調(diào)整率的變化規(guī)律，為加電勵(lì)磁的混合勵(lì)磁永磁電機(jī)做準(zhǔn)備，達(dá)到穩(wěn)定輸出電壓的目的。
標(biāo)簽： 永磁同步 發(fā)電機(jī) 磁場(chǎng)分析
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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隨著航天技術(shù)的發(fā)展，載人飛船、空間站等復(fù)雜航天器對(duì)空-地或空-空之間數(shù)據(jù)傳輸速率的要求越來(lái)越高。在此情況下，為了提高空間通信中數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?，保證接收端分路系統(tǒng)能和發(fā)送端一致，必須要經(jīng)過(guò)幀同步。對(duì)衛(wèi)星基帶信號(hào)處理來(lái)說(shuō)，幀同步是處理的第一步也是關(guān)鍵的一步。只有正確幀同步才能獲取正確的幀數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。因此，幀同步的效率，將直接影響到整個(gè)衛(wèi)星基帶信號(hào)處理的結(jié)果。 @@ 本設(shè)計(jì)在研究CCSDS標(biāo)準(zhǔn)及幀同步算法的基礎(chǔ)上，利用硬件描述語(yǔ)言及ISE9．2i開(kāi)發(fā)平臺(tái)在基于FPGA的硬件平臺(tái)上設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了單路數(shù)據(jù)輸入及兩路合路數(shù)據(jù)輸入的幀同步算法，并解決了其中可能存在的幀滑動(dòng)及模糊度問(wèn)題。在此基礎(chǔ)之上，針對(duì)兩路合路輸入時(shí)可能存在的兩路輸入不同步或幀滑動(dòng)在兩路中分布不均勻問(wèn)題，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了兩路并行幀同步算法，并利用ModelSim SE 6．1f工具對(duì)上述算法進(jìn)行了前仿真和后仿真，仿真結(jié)果表明上述算法符合設(shè)計(jì)要求。 @@ 本論文首先介紹了課題研究的背景及國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀，其次介紹了與本課題相關(guān)的基礎(chǔ)理論及系統(tǒng)的軟硬件結(jié)構(gòu)。然后對(duì)單路數(shù)據(jù)輸入幀同步、兩路數(shù)據(jù)合路輸入幀同步和兩路并行幀同步算法的具體設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，并給出了后仿真結(jié)果及結(jié)果分析。最后，對(duì)論文工作進(jìn)行了總結(jié)和展望，分析了其中存在的問(wèn)題及需要改進(jìn)的地方。 @@關(guān)鍵詞 FPGA；CCSDS；幀同步：模糊度；幀滑動(dòng)
標(biāo)簽： CCSDS FPGA 標(biāo)準(zhǔn)
上傳時(shí)間： 2013-06-11
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現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)的發(fā)展已經(jīng)有二十多年，從最初的1200門(mén)發(fā)展到了目前數(shù)百萬(wàn)門(mén)至上千萬(wàn)門(mén)的單片F(xiàn)PGA芯片?，F(xiàn)在，F(xiàn)PGA已廣泛地應(yīng)用于通信、消費(fèi)類電子和車用電子類等領(lǐng)域，但國(guó)內(nèi)市場(chǎng)基本上是國(guó)外品牌的天下。 在高密度FPGA中，芯片上時(shí)鐘分布質(zhì)量變的越來(lái)越重要，時(shí)鐘延遲和時(shí)鐘偏差已成為影響系統(tǒng)性能的重要因素。目前，為了消除FPGA芯片內(nèi)的時(shí)鐘延遲，減小時(shí)鐘偏差，主要有利用延時(shí)鎖相環(huán)(DLL)和鎖相環(huán)(PLL)兩種方法，而其各自又分為數(shù)字設(shè)計(jì)和模擬設(shè)計(jì)。雖然用模擬的方法實(shí)現(xiàn)的DLL所占用的芯片面積更小，輸出時(shí)鐘的精度更高，但從功耗、鎖定時(shí)間、設(shè)計(jì)難易程度以及可復(fù)用性等多方面考慮，我們更愿意采用數(shù)字的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。 本論文是以Xilinx公司Virtex-E系列FPGA為研究基礎(chǔ)，對(duì)全數(shù)字延時(shí)鎖相環(huán)(DLL)電路進(jìn)行分析研究和設(shè)計(jì)，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的模塊電路。 本文作者在一年多的時(shí)間里，從對(duì)電路整體功能分析、邏輯電路設(shè)計(jì)、晶體管級(jí)電路設(shè)計(jì)和仿真以及最后對(duì)設(shè)計(jì)好的電路仿真分析、電路的優(yōu)化等做了大量的工作，通過(guò)比較DLL與PLL、數(shù)字DLL與模擬DLL，深入的分析了全數(shù)字DLL模塊電路組成結(jié)構(gòu)和工作原理，設(shè)計(jì)出了符合指標(biāo)要求的全數(shù)字DLL模塊電路，為開(kāi)發(fā)自我知識(shí)產(chǎn)權(quán)的FPGA奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 本文先簡(jiǎn)要介紹FPGA及其時(shí)鐘管理技術(shù)的發(fā)展，然后深入分析對(duì)比了DLL和PLL兩種時(shí)鐘管理方法的優(yōu)劣。接著詳細(xì)論述了DLL模塊及各部分電路的工作原理和電路的設(shè)計(jì)考慮，給出了全數(shù)字DLL整體架構(gòu)設(shè)計(jì)。最后對(duì)DLL整體電路進(jìn)行整體仿真分析，驗(yàn)證電路功能，得出應(yīng)用參數(shù)。在設(shè)計(jì)中，用Verilog-XL對(duì)部分電路進(jìn)行數(shù)字仿真，Spectre對(duì)進(jìn)行部分電路的模擬仿真，而電路的整體仿真工具是HSIM。 本設(shè)計(jì)采用TSMC0.18μmCMOS工藝庫(kù)建模，設(shè)計(jì)出的DLL工作頻率范圍從25MHz到400MHz，工作電壓為1.8V，工作溫度為-55℃～125℃，最大抖動(dòng)時(shí)間為28ps，在輸入100MHz時(shí)鐘時(shí)的功耗為200MW，達(dá)到了國(guó)外同類產(chǎn)品的相應(yīng)指標(biāo)。最后完成了輸出電路設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘占空比調(diào)節(jié)，2倍頻，以及1.5、2、2.5、3、4、5、8、16時(shí)鐘分頻等時(shí)鐘頻率合成功能。
標(biāo)簽： FPGA 全數(shù)字 延時(shí)
上傳時(shí)間： 2013-06-10
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隨著敵對(duì)人為干擾的日益增多和電磁環(huán)境的日益惡劣，抗干擾逐漸成為衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)的必備能力之一。傳統(tǒng)的單天線多延遲系統(tǒng)僅從時(shí)域抗干擾，抑制干擾能力有限。利用陣列天線，增加空域自由度，通過(guò)空域—時(shí)域級(jí)聯(lián)或空時(shí)聯(lián)合處理能夠顯著增強(qiáng)導(dǎo)航信號(hào)接收機(jī)的抗干擾性能。多個(gè)天線以不同的方式放置，即不同的陣形，會(huì)使得導(dǎo)航接收機(jī)具有不同的空域抗干擾性能。針對(duì)多種陣形對(duì)空域抗干擾性能的影響差異，開(kāi)展了基于L陣、十字陣、均勻圓陣和帶圓心圓陣的自適應(yīng)抗干擾性能研究，分析了導(dǎo)致差異的原因，通過(guò)對(duì)比仿真，發(fā)現(xiàn)帶圓心的圓陣具有所選陣形中最優(yōu)的輸出信干噪比，進(jìn)一步推廣到空時(shí)自適應(yīng)抗干擾，也具有同樣的結(jié)論。結(jié)合工程實(shí)現(xiàn)，基于FPGA完成空時(shí)抗干擾硬件模塊設(shè)計(jì)，用Matlab產(chǎn)生的量化數(shù)據(jù)作為激勵(lì)，對(duì)硬件模塊的輸出結(jié)果進(jìn)行分析，與非自適應(yīng)空時(shí)波束形成結(jié)果相比，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了模塊的有效性；與Matlab仿真處理的結(jié)果相比，驗(yàn)證了模塊的正確性。多種陣形自適應(yīng)抗干擾性能差異的研究對(duì)于一定孔徑和陣元個(gè)數(shù)條件下的陣列布陣具有一定的參考價(jià)值，空時(shí)抗干擾硬件模塊是抗干擾系統(tǒng)的核心，所做工作對(duì)工程實(shí)現(xiàn)具有一定的借鑒意義。
標(biāo)簽： FPGA 時(shí)域 導(dǎo)航系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-05-28
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寬帶無(wú)線通信的持續(xù)高速的需求增長(zhǎng)刺激了新的通信技術(shù)的不斷產(chǎn)生，而這些技術(shù)的發(fā)展，很大程度上都來(lái)自于不同技術(shù)的互相補(bǔ)充與融合，這也成為新標(biāo)準(zhǔn)的源泉。正交頻分復(fù)用(OFDM)技術(shù)在提供高效的頻譜利用率以及良好的抗多徑性能的同時(shí)，通過(guò)多輸入輸出(MIMO)技術(shù)來(lái)進(jìn)一步增加信道容量，在不增加信號(hào)帶寬的基礎(chǔ)上取得更高的傳輸速率和更好的傳輸質(zhì)量。因此MIMO-OFDM技術(shù)近年來(lái)在成為研究熱點(diǎn)的同時(shí)，已被認(rèn)為是下一帶移動(dòng)通信和網(wǎng)絡(luò)接入標(biāo)準(zhǔn)中的核心技術(shù)。 本文主要對(duì)MIMO-OFDM系統(tǒng)物理層的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了研究，并主要對(duì)系統(tǒng)的同步和信道估計(jì)算法進(jìn)行了深入的分析，并提出了一些改進(jìn)。最后進(jìn)行了MIMO-OFDM基帶系統(tǒng)基于FPGA的物理層設(shè)計(jì)，對(duì)其中一些關(guān)鍵模塊的設(shè)計(jì)，比如信道估計(jì)和空時(shí)譯碼模塊進(jìn)行了詳細(xì)的討論。 第一章緒論部分首先結(jié)合寬帶無(wú)線通信技術(shù)發(fā)展的歷史就MIMO-OFDM技術(shù)產(chǎn)生發(fā)展的背景進(jìn)行了分析，指出了MIMO-OFDM研究與發(fā)展方向，最后總結(jié)了本文的工作目標(biāo)和基本要求。 第二章主要是推導(dǎo)分析了MIMO-OFDM系統(tǒng)的基本原理，先分別從OFDM技術(shù)和MIMO技術(shù)兩方面概括性的介紹了其理論以及技術(shù)特點(diǎn)，最后對(duì)MIMO與OFDM結(jié)合的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了討論。 第三章是對(duì)MIMO-OFDM同步算法的研究，主要針對(duì)基于訓(xùn)練序列的同步算法進(jìn)行了深入討論，關(guān)注點(diǎn)是訓(xùn)練序列的設(shè)計(jì)。針對(duì)原有的一些算法進(jìn)行了總結(jié)與比較，并主要對(duì)基于頻域設(shè)計(jì)的訓(xùn)練序列符號(hào)同步算法做出了改進(jìn)。 第四章首先從基于導(dǎo)頻的信道估計(jì)算法推導(dǎo)開(kāi)始，關(guān)注點(diǎn)放在MIMO-OFDM系統(tǒng)下的自適應(yīng)信道估計(jì)算法研究。文章將原有的一些OFDM自適應(yīng)信道估計(jì)算法擴(kuò)展到MIMO領(lǐng)域，結(jié)合基于共軛梯度的自適應(yīng)算法并做出了一些改進(jìn)。 第五章節(jié)是本文的硬件設(shè)計(jì)部分，文章基于一個(gè)2發(fā)2收MIMO-OFDM系統(tǒng)進(jìn)行了基帶數(shù)字處理部分的FPGA設(shè)計(jì)工作，根據(jù)設(shè)計(jì)要求實(shí)現(xiàn)了發(fā)送端和接收端數(shù)據(jù)處理的基本功能，為完善的和更高性能的MIMO-OFDM系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)奠定了基礎(chǔ)。
標(biāo)簽： MIMOOFDM FPGA 關(guān)鍵技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-06-26
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該文針對(duì)汽輪發(fā)電機(jī)定子在空冷及蒸發(fā)冷卻條件下的溫度分布進(jìn)行了仿真計(jì)算和實(shí)驗(yàn)研究.在仿真方面，對(duì)仿真的數(shù)值分析方法進(jìn)行了研究，建立了三維熱傳導(dǎo)模型，分析討論了溫度場(chǎng)計(jì)算過(guò)程中邊界條件的計(jì)算和設(shè)置.對(duì)三種不同絕緣結(jié)構(gòu)的定子試件，在不同的工況下，進(jìn)行了溫度場(chǎng)仿真計(jì)算.在空冷條件下，進(jìn)行了三維溫度場(chǎng)仿真，得到了多組曲線，獲得了不同電流密度、不同絕緣結(jié)構(gòu)、不同風(fēng)速情況下，定子鐵芯和繞組絕緣表面的溫度分布.在蒸發(fā)冷卻條件下，對(duì)定子進(jìn)行了二維溫度場(chǎng)的仿真計(jì)算，并分析了冷卻介質(zhì)F-113的不同液位高度對(duì)定子溫度分布的影響.在實(shí)驗(yàn)方面，建立了不銹鋼套筒模型，在空冷條件下，測(cè)得了不同風(fēng)速時(shí)定子表面的溫升數(shù)據(jù)，分析了風(fēng)速、絕緣厚度、以及電流密度對(duì)定子溫度場(chǎng)的影響.在蒸發(fā)冷卻條件下，測(cè)得了定子的溫度分布，并與空冷的數(shù)據(jù)進(jìn)行了對(duì)比，可以看出在大電流密度條件下，蒸發(fā)冷卻技術(shù)冷卻效果的優(yōu)勢(shì)非常明顯.通過(guò)該文的研究，更直接地了解了在空冷和蒸發(fā)冷卻兩種冷卻方式下，定子的溫度分布情況.在工程應(yīng)用中，可作為選擇電機(jī)冷卻方式的參考.
標(biāo)簽： 冷卻 條件下 電機(jī)定子 溫度場(chǎng)
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