電機(jī)測(cè)速時(shí)震動(dòng)引起光電編碼器輸出波形毛刺嚴(yán)重，該程序提供了一種解決該問題的方法，通過濾除一定寬度的窄脈沖達(dá)到整形目的
標(biāo)簽： vhdl濾波
上傳時(shí)間： 2015-03-11
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一種帶寬闊展的小行化微帶天線
標(biāo)簽： antenna
上傳時(shí)間： 2015-05-05
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放墨香商業(yè)版本， 巨陵-蠻牛掉元寶,願(yuàn)意打的就是高手 開放包袱商人會(huì)帶備稀而物品給各位大俠購(gòu)買 本服轉(zhuǎn)身請(qǐng)登入官網(wǎng)轉(zhuǎn)身 本服遊戲幣個(gè)人上限是40億 如果帶多了 轉(zhuǎn)圖重登都會(huì)變回40億 全球最強(qiáng)防外掛系統(tǒng),打造2016年最公平的墨湘 本服承諾,絕無任何嚴(yán)重bug,保證遊戲穩(wěn)定運(yùn)行 本服禁止空白名,定期自動(dòng)清理帶空名的玩家
標(biāo)簽： 墨香
上傳時(shí)間： 2016-04-11
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臺(tái)灣數(shù)能NU510ES是 一款低壓線性恒流驅(qū)動(dòng)芯片，高達(dá)30V耐壓，高精度恒流，低壓差，功率電流可外掛電阻任意調(diào)節(jié)電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應(yīng)用場(chǎng)景如下： 一般 LED 照明 LCD 背光 商業(yè)照明 燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED 手電筒 RGB 顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車燈照明/轉(zhuǎn)向流星燈備註：雙色溫調(diào)光調(diào)色主要是通過改變 C1、C2 容量的大小，造成 VDD 的上電時(shí)間延時(shí)不同。多顆電容順序增大，就能產(chǎn)流量燈效果。 NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式，用戶可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選用，通常150mA 以下采用SOT23-6封裝，150-350mA采用SOP-8封裝。
標(biāo)簽： led 驅(qū)動(dòng)芯片 nu510
上傳時(shí)間： 2022-01-07
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這是一篇哈爾濱工業(yè)大學(xué)2012年 物理電子學(xué)工學(xué)博士的畢業(yè)論文。相干多普勒激光雷達(dá)是測(cè)量遙感風(fēng)場(chǎng)和運(yùn)動(dòng)目標(biāo)速度的有力工具。相干多普勒激光雷達(dá)的發(fā)射源普遍使用單縱模激光器，而鎖模激光所具有的寬頻譜、窄脈寬、高峰值功率等特性使其在作為相干激光雷達(dá)發(fā)射源方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。本文從理論上和實(shí)驗(yàn)上對(duì)基于鎖模激光的相干多普勒激光雷達(dá)進(jìn)行了研究。 理論上，在單頻外差探測(cè)原理的基礎(chǔ)上，考慮了具有 m+1 個(gè)模式、縱模間隔為 ω 的本振光，與發(fā)生了 Δω 頻移的信號(hào)光相干拍頻后的理論模型，證明了相位差恒定的鎖模激光可以實(shí)現(xiàn)相干混頻，并可以通過低通濾波或 FFT 頻譜分析的方式檢測(cè)出差頻信號(hào)。利用這一理論模型進(jìn)行了數(shù)值模擬計(jì)算，分析了信號(hào)光在不同的頻移值時(shí)的拍頻波形，討論了實(shí)現(xiàn)相干探測(cè)本振光與信號(hào)光應(yīng)滿足的條件。 基于相干多普勒激光雷達(dá)系統(tǒng)對(duì)發(fā)射光源的要求，進(jìn)行了鎖模激光器的實(shí)驗(yàn)研究。通過使用不同的鎖模器件得到鎖模激光輸出，其中主動(dòng)鎖模和調(diào) Q 主動(dòng)鎖模都獲得了單脈沖寬度在百皮秒量級(jí)、鎖模深度 100%、鎖模幾率 95%以上的穩(wěn)定的鎖模脈沖序列輸出。對(duì)被動(dòng)鎖模、主動(dòng)鎖模、調(diào) Q 主動(dòng)鎖模的激光輸出特性進(jìn)行了對(duì)比研究，主動(dòng)鎖模脈沖序列包絡(luò)時(shí)間較長(zhǎng)但峰值功率較低，而調(diào) Q 主動(dòng)鎖模峰值功率高但包絡(luò)時(shí)間較短，不同類型的激光輸出為后續(xù)的相干測(cè)速實(shí)驗(yàn)提供了多種選擇。 利用聲光移頻器模擬外差探測(cè)中信號(hào)光發(fā)生的多普勒頻移，進(jìn)行了鎖模激光拍頻實(shí)驗(yàn)研究，并與單縱模激光拍頻實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了比較。使用鎖模激光在頻移為 30 ~ 80 MHz 的范圍內(nèi)進(jìn)行了拍頻實(shí)驗(yàn)研究，拍頻波形及信號(hào)處理的結(jié)果均與理論分析相符， 測(cè)量結(jié)果的相對(duì)誤差在 0.5%以下。 分別使用脈寬為 10 ns和 16 ns 的調(diào) Q 單縱模脈沖進(jìn)行拍頻，在信號(hào)光頻移為 150 MHz 時(shí)測(cè)量結(jié)果的相對(duì)誤差分別為 3.7%和 1.6%。對(duì)比實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)，調(diào) Q 單縱模脈沖由于有限的脈寬限制了拍頻后包絡(luò)的數(shù)量，導(dǎo)致誤差相對(duì)較大，而鎖模脈沖序列由于具有較長(zhǎng)包絡(luò)時(shí)間，在測(cè)量較低頻移值時(shí)仍具有較高的精度，即測(cè)量低速目標(biāo)時(shí)更具有優(yōu)勢(shì)。在具有較長(zhǎng)包絡(luò)時(shí)間的同時(shí)，鎖模激光還具有高峰值功率和窄脈寬的特點(diǎn)。使用光纖耦合的方式進(jìn)行了相干拍頻實(shí)驗(yàn)，得到了穩(wěn)定的相干拍頻波形，F(xiàn)FT 頻譜分析的結(jié)果與設(shè)定值和理論分析相符。
標(biāo)簽： 激光雷達(dá)
上傳時(shí)間： 2022-02-12
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隨著光通信的蓬勃發(fā)展，光纖通信技術(shù)廣泛應(yīng)用于電信、電力、廣播等領(lǐng)域，對(duì)整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響，光纖已成為當(dāng)前最有前景的傳輸媒介。與此同時(shí)，光纖測(cè)試技術(shù)在光纖生產(chǎn)、現(xiàn)場(chǎng)鋪設(shè)與后期維護(hù)等工程領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。光時(shí)域反射儀（Optical Time Domain Reflectometer），又稱背向散射儀，是一種用于表征光纖鏈路物理特性的精密光學(xué)測(cè)試儀器，主要用于測(cè)試光纖鏈路長(zhǎng)度，精確定位斷點(diǎn)事件，計(jì)算光纖損耗，并提供與長(zhǎng)度有關(guān)的衰減細(xì)節(jié)。光纖鏈路中待測(cè)光纖的測(cè)量長(zhǎng)度范圍和測(cè)量精度，取決于OTDR的激光出纖功率和光脈寬。因此，需要設(shè)計(jì)合適的激光脈沖驅(qū)動(dòng)電源及配套的控制和探測(cè)系統(tǒng)，研究激光出纖功率和脈寬對(duì)測(cè)量長(zhǎng)度和測(cè)量精度的影響，從而獲得能滿足不同光纖鏈路測(cè)量需求的OTDR系統(tǒng)解決方案。文章在具體描述了光時(shí)域反射儀的工作機(jī)理以及影響其主要性能的關(guān)鍵參數(shù)的基礎(chǔ)上，提出以設(shè)計(jì)能提供大功率、窄脈沖電流信號(hào)的激光驅(qū)動(dòng)電源作為提高OTDR性能的主要手段。在掌握半導(dǎo)體激光驅(qū)動(dòng)原理的基礎(chǔ)上，經(jīng)過細(xì)致地比較與方案論證提出以 MOSFET作為激光脈沖驅(qū)動(dòng)電源的開關(guān)器件，以能量?jī)?chǔ)存法作為窄脈沖產(chǎn)生機(jī)制的脈沖電源設(shè)計(jì)方案，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)基于FPGA的觸發(fā)脈沖信號(hào)，并通過 Multisim對(duì)系統(tǒng)硬件電路仿真優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)激光脈沖驅(qū)動(dòng)大功率、窄脈寬輸出。以雪崩二極管作為光電探測(cè)系統(tǒng)關(guān)鍵響應(yīng)轉(zhuǎn)換器件驗(yàn)證驅(qū)動(dòng)電源性能，并完成光纖測(cè)距。最終成功研制出一套基于納秒脈沖激光和對(duì)應(yīng)光電探測(cè)系統(tǒng)的OTDR系統(tǒng)，并進(jìn)行了實(shí)際測(cè)試測(cè)試和研究結(jié)果顯示：所研制的脈沖激光電源能輸出的最小脈寬為33n，最小輸出峰值電流為1A，且峰值電流及頻率大小可調(diào)。大電流窄脈寬驅(qū)動(dòng)電源信號(hào)輸出可極大地增強(qiáng)光時(shí)域反射儀的動(dòng)態(tài)范圍以及分辨率，探測(cè)器分時(shí)調(diào)控測(cè)量技術(shù)可以極大地提高系統(tǒng)的測(cè)量精度和信噪比。
標(biāo)簽： 激光 驅(qū)動(dòng) 電源 光電探測(cè)
上傳時(shí)間： 2022-03-11
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靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD）是構(gòu)成集成電路可靠性的主要因素之一，存在于生產(chǎn)到使用的每一個(gè)環(huán)節(jié)，并成為開發(fā)新一代工藝技術(shù)的難點(diǎn)之一，近年來，對(duì)ESD的研究也因而越來越受到重視，仿真工具在ESD領(lǐng)域的應(yīng)用使得ESD防護(hù)的研究變得更為便利，可大幅縮短研發(fā)周期然而，由于ESD現(xiàn)象復(fù)雜的物理機(jī)制，極端的電場(chǎng)及溫度條件，以及ESD仿真中頻繁的不收斂現(xiàn)象，都使得FSD的仿真變得極為困難本文詳細(xì)闡述了ESD的來源、造成的危害以及如何測(cè)試集成電路的防靜電沖擊能力，并基于 Sentaurus軟件，對(duì)ESD防護(hù)器件展開了的分析、研究，內(nèi)容包括1）掌握ESD保護(hù)的基本理論、測(cè)試方法和防護(hù)機(jī)理2）研究了工藝仿真流程的步驟以及網(wǎng)格定義在工藝仿真中的重要性，并對(duì)網(wǎng)格定義的方法進(jìn)行了探討3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函數(shù)，并對(duì)描述同一物理機(jī)制的的各種不同模型展開對(duì)比分析.主要包括傳輸方程模型、能帶模型、各種遷移率退化模型、雪崩離化模型和復(fù)合模型4）研究了雙極型晶體管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防護(hù)器件的仿真，并通過對(duì)仿真結(jié)果的分析，研究了ESD保護(hù)器件在ESD應(yīng)力作用下的工作機(jī)理關(guān)鍵詞：靜電放電；網(wǎng)格；器件仿真；雙極型晶體管；可控硅
上傳時(shí)間： 2022-03-30
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直流穩(wěn)壓電源是最常用的儀器設(shè)備，也是電子儀器設(shè)備的一個(gè)重要組成部分，本文介紹了一種以AT89S51單片機(jī)為控制核心的數(shù)控直流穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)方案，給出了數(shù)控直流穩(wěn)壓電源的硬件電路和軟件系統(tǒng)。本穩(wěn)壓電源由單片機(jī)系統(tǒng)、鍵盤、顯示、D/A轉(zhuǎn)換、輔助電源、電壓輸出調(diào)整等模塊組成，實(shí)現(xiàn)了電壓的可預(yù)置、可步進(jìn)增減調(diào)整、輸出電壓信號(hào)可數(shù)字顯示等功能。本系統(tǒng)具有精度高、顯示直觀、使用方便等特點(diǎn)關(guān)鍵詞：直流穩(wěn)壓電源；單片機(jī)：數(shù)控；D/A電源設(shè)備是電子儀器的一個(gè)重要組成部分，在科研及實(shí)驗(yàn)中都是必不可少的，通?？煞譃橹绷麟妷涸?、直流電流源、交流電壓源、交流電流源等。在實(shí)際的工作環(huán)境下，特別是在一些工業(yè)場(chǎng)所，電磁環(huán)境十分惡劣，常常有異常情況出現(xiàn)，例如過電壓、瞬態(tài)脈沖沖擊波、強(qiáng)電磁輻射等，這些都有可能損壞電源，影響整個(gè)系統(tǒng)的工作人們已經(jīng)研制成了許多模擬電壓源，這些電壓源各有各的優(yōu)點(diǎn)，例如成本低、簡(jiǎn)單負(fù)載可以接地等。在自動(dòng)控制儀表中，常要求按一定輸入值輸出相應(yīng)精度電壓，但是一般的電壓源往往是固定的一種電壓值，或有限的數(shù)檔電壓值，不便于通用。常見的直流穩(wěn)壓電源，大都采用串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓原理，通過調(diào)整輸出端取樣電阻支路中的電位器來調(diào)整輸出電壓。由于電位器阻值變化的非線性和調(diào)整范圍窄，使普通直流穩(wěn)壓電源難以實(shí)現(xiàn)輸出電壓的精確調(diào)整。目前所使用的直流可調(diào)電源中，幾乎都為旋紐開關(guān)調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)精度不高，而且經(jīng)常跳變，使用麻煩。有些電壓源雖能實(shí)現(xiàn)數(shù)控但輸出電壓值往往比較小，且所設(shè)定的輸出電壓值是否準(zhǔn)確不經(jīng)測(cè)試無法知道等等
標(biāo)簽： 單片機(jī) 數(shù)控直流穩(wěn)壓 電源
上傳時(shí)間： 2022-03-31
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恒流源（vCCS）的研究歷經(jīng)數(shù)十年，從早期的晶體管恒流源到現(xiàn)在的集成電路恒流源恒定電流在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛使用激發(fā)起人們對(duì)恒流源的研究不斷深入和多樣化。穩(wěn)恒電流在加速器中的使用是加速器結(jié)構(gòu)改善的一個(gè)標(biāo)志。從早期的單一依靠磁場(chǎng)線圈到加入勻場(chǎng)環(huán)，到校正線圈的使用，束流輸運(yùn)系統(tǒng)的改進(jìn)有效地提高了束流的品質(zhì)，校正線圈是光刻于印制電路板上的導(dǎo)線圈，將其按照方位角放置在加速腔內(nèi)，通電后，載流導(dǎo)線產(chǎn)生的橫向磁場(chǎng)就可以起到校正偏心束流的作用。顯然，穩(wěn)定可調(diào)的恒流源是校正線圈有效工作的必要條件。針對(duì)現(xiàn)在加速粒子能量的提高，對(duì)校正線圈提出了新的供電需求，本文就這一需求研究了基于功率運(yùn)算放大器的兩種壓控恒流源，為工程應(yīng)用做技術(shù)儲(chǔ)備。1設(shè)計(jì)思路用于校正線圈的恒流源供聚焦和補(bǔ)償時(shí)使用輸出功率不大，但要求調(diào)節(jié)精度高，穩(wěn)定性好，紋波小。具體技術(shù)參數(shù)為：輸出電流0~5A調(diào)節(jié)范圍0.1~5.0A；調(diào)節(jié)精度5mA；負(fù)載電阻35；紋波穩(wěn)定度優(yōu)于1（相對(duì)5A）；基準(zhǔn)電壓模塊型號(hào)為REFo1而常用作恒流電源的電真空器件穩(wěn)定電流建立時(shí)間長(zhǎng)，場(chǎng)效應(yīng)管夾斷電壓高、擊穿電壓低恒流區(qū)域窄，因此，我們選取了體積小效率高電流調(diào)節(jié)范圍寬的放大器恒流源作為研究方向?qū)嶒?yàn)基本的設(shè)計(jì)思路是通過電源板將市電降壓、整流、濾波后送入高精度電壓基準(zhǔn)源得到直流電壓，輸入功率運(yùn)算放大器，在輸出端得到放大的電流輸出，如圖1所示。
標(biāo)簽： 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2022-04-24
上傳用戶：xsr1983
一、引言自1956年IBM推出第一臺(tái)硬盤驅(qū)動(dòng)器IBM RAMAC 350至今已有四十多年了，其間雖沒有CPU那種令人眼花繚亂的高速發(fā)展與技術(shù)飛躍，但我們也確實(shí)看到，在這幾十年里，硬盤驅(qū)動(dòng)器從控制技術(shù)、接口標(biāo)準(zhǔn)、機(jī)械結(jié)構(gòu)等方面都進(jìn)行了一系列改進(jìn)。正是這一系列技術(shù)上的研究與突破，使我們今天終于用上了容量更大、體積更小、速度更快、性能更可靠、價(jià)格更便宜的硬盤。如今，雖然號(hào)稱新一代驅(qū)動(dòng)器的JAZ，DVD-ROM，DVD-RAM，CD-RW，MO，PD等紛紛登陸大容量驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)，但硬盤以其容量大、體積小、速度快、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，依然當(dāng)之無愧地成為桌面電腦最主要的外部存儲(chǔ)器，也是我們每一臺(tái)PC必不可少的配置之一。二、硬盤磁頭技術(shù)1、磁頭磁頭是硬盤中最昂貴的部件，也是硬盤技術(shù)中最重要和最關(guān)鍵的一環(huán)。傳統(tǒng)的磁頭是讀寫合一的電碗感應(yīng)式磁頭，但是，硬盤的讀、寫卻是兩種截然不同的操作，為此，這種二合一磁頭在設(shè)計(jì)時(shí)必須要同時(shí)兼顧到讀/兩種特性，從而造成了硬盤設(shè)計(jì)上的局限。而MR磁頭（Magnetoresistive heads），即磁阻磁頭，采用的是分離式的磁頭結(jié)構(gòu)：寫入磁頭仍采用傳統(tǒng)的磁感應(yīng)磁頭（MR磁頭不能進(jìn)行寫操作），讀取磁頭則采用新型的MR磁頭，即所謂的感應(yīng)寫、磁阻讀。這樣，在設(shè)計(jì)時(shí)就可以針對(duì)兩者的不同特性分別進(jìn)行優(yōu)化，以得到最好的讀/寫性能。另外，MR磁頭是通過阻值變化而不是電流變化去感應(yīng)信號(hào)幅度，因而對(duì)信號(hào)變化相當(dāng)敏感，讀取數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性也相應(yīng)提高。而且由于讀取的信號(hào)幅度與磁道寬度無關(guān)，故磁道可以做得很窄，從而提高了盤片密度，達(dá)到200MB/英寸2，而使用傳統(tǒng)的磁頭只能達(dá)到20MB/英寸2，這也是MR磁頭被廣泛應(yīng)用的最主要原因。目前，MR磁頭已得到廣泛應(yīng)用，而采用多層結(jié)構(gòu)和磁阻效應(yīng)更好的材料制作的GMR磁頭（Giant Magnetoresistive heads）也逐漸普及。
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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