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等效<b>模型</b>

  • 蘇泊爾C21S02-B電磁爐電路圖

    蘇泊爾C21S02-B電磁爐電路圖,紅線標(biāo)注，重點(diǎn)模塊說(shuō)明！

    標(biāo)簽： 21 02 蘇泊爾 電磁爐電路圖

    上傳時(shí)間： 2013-06-22

    上傳用戶：huangzr5

  • ADS-B接收機(jī)DIY全套資料

    制作基于PIC Mcu 的ADS-B接收機(jī)的全套資料，包括SCH、PCB、源碼和PC端軟件。

    標(biāo)簽： ADS-B DIY 接收機(jī)

    上傳時(shí)間： 2013-04-24

    上傳用戶：cx111111

  • 2012TI杯陜西賽題B題--頻率補(bǔ)償電路

    2012TI杯陜西賽題H題,2012TI杯陜西賽題B題--頻率補(bǔ)償電路.

    標(biāo)簽： 2012 TI 頻率補(bǔ)償電路

    上傳時(shí)間： 2013-10-07

    上傳用戶：ysystc670

  • 四象限變流器的負(fù)載等效模型研究

    在高性能交-直-交變頻調(diào)速傳動(dòng)系統(tǒng)中，PWM 逆變器作為四象限變流器（4QC）的典型負(fù)載，其直流側(cè)的靜、動(dòng)態(tài)行為對(duì)于4QC 的建模、控制方法及靜動(dòng)態(tài)性能研究和系統(tǒng)設(shè)計(jì)都具有重要作用。通過(guò)研究逆變器與4QC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的統(tǒng)一性，將4QC 的狀態(tài)空間平均（SSA）模型經(jīng)過(guò)移植得到逆變器的SSA 模型，進(jìn)而提出四象限變流器的負(fù)載等效模型和近似簡(jiǎn)化等效模型；通過(guò)理論分析和仿真研究揭示四象限變流器的負(fù)載等效模型與逆變器及交流側(cè)電路參數(shù)之間的定量關(guān)系，并給出等效模型的參數(shù)設(shè)計(jì)公式。仿真與實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果證明了所建模型及理論分析的有效性。

    標(biāo)簽： 四象限變流器 負(fù)載 等效 模型研究

    上傳時(shí)間： 2013-11-07

    上傳用戶：大融融rr

  • PSHLY-B回路電阻測(cè)試儀

    PSHLY-B回路電阻測(cè)試儀介紹

    標(biāo)簽： PSHLY-B 回路 電阻測(cè)試儀

    上傳時(shí)間： 2013-11-05

    上傳用戶：木子葉1

  • 同地彈現(xiàn)象的分析和講解

    地彈的形成：芯片內(nèi)部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會(huì)有一個(gè)小電感。這個(gè)小電感正是地彈產(chǎn)生的根源，同時(shí)，地彈又是與芯片的負(fù)載情況密切相關(guān)的。下面結(jié)合圖介紹一下地彈現(xiàn)象的形成。 簡(jiǎn)單的構(gòu)造如上圖的一個(gè)小“場(chǎng)景”，芯片A為輸出芯片，芯片B為接收芯片，輸出端和輸入端很近。輸出芯片內(nèi)部的CMOS等輸入單元簡(jiǎn)單的等效為一個(gè)單刀雙擲開(kāi)關(guān)，RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗，均設(shè)為20歐。GNDA為芯片A內(nèi)部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內(nèi)部的地要通過(guò)芯片內(nèi)的引線和管腳才能接到GNDPCB，所以就會(huì)引入一個(gè)小電感LG，假設(shè)這個(gè)值為1nH。CR為接收端管腳電容，這個(gè)值取6pF。這個(gè)信號(hào)的頻率取200MHz。雖然這個(gè)LG和CR都是很小的值，不過(guò)，通過(guò)后面的計(jì)算我們可以看到它們對(duì)信號(hào)的影響。先假設(shè)A芯片只有一個(gè)輸出腳，現(xiàn)在Q輸出高電平，接收端的CR上積累電荷。當(dāng)Q輸出變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)候。CR、RL、LG形成一個(gè)放電回路。自諧振周期約為490ps，頻率為2GHz，Q值約為0.0065。使用EWB建一個(gè)仿真電路。（很老的一個(gè)軟件，很多人已經(jīng)不懈于使用了。不過(guò)我個(gè)人比較依賴它，關(guān)鍵是建模，模型參數(shù)建立正確的話仿真結(jié)果還是很可靠的，這個(gè)小軟件幫我發(fā)現(xiàn)和解決過(guò)很多實(shí)際模擬電路中遇到的問(wèn)題。這個(gè)軟件比較小，有比較長(zhǎng)的歷史，也比較成熟，很容易上手。建議電子初入門(mén)的同學(xué)還是熟悉一下。）因?yàn)橹魂P(guān)注下降沿，所以簡(jiǎn)單的構(gòu)建下面一個(gè)電路。起初輸出高電平，10納秒后輸出低電平。為方便起見(jiàn)，高電平輸出設(shè)為3.3V，低電平是0V。（實(shí)際200M以上芯片IO電壓會(huì)比較低，多采用1.5－2.5V。）

    標(biāo)簽： 分

    上傳時(shí)間： 2013-10-17

    上傳用戶：zhishenglu

  • TKS仿真器B系列快速入門(mén)

    TKS仿真器B系列快速入門(mén)

    標(biāo)簽： TKS 仿真器 快速入門(mén)

    上傳時(shí)間： 2013-10-31

    上傳用戶：aix008

  • 一個(gè)簡(jiǎn)單好用的B+樹(shù)算法實(shí)現(xiàn)

    一個(gè)簡(jiǎn)單好用的B+樹(shù)算法實(shí)現(xiàn)

    標(biāo)簽： 樹(shù) 算法

    上傳時(shí)間： 2015-01-04

    上傳用戶：縹緲

  • 一個(gè)用Basic實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

    一個(gè)用Basic實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

    標(biāo)簽： B-Tree Basic 算法

    上傳時(shí)間： 2013-12-30

    上傳用戶：ccclll

  • 一個(gè)用Java applet實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

    一個(gè)用Java applet實(shí)現(xiàn)的B-Tree算法

    標(biāo)簽： B-Tree applet Java 算法

    上傳時(shí)間： 2013-12-25

    上傳用戶：qiao8960

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