p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意...
等效模型技術(shù)資料
?? 資源總數(shù)：5144
?? 技術(shù)文檔：1
?? 源代碼：5864
?? 電路圖：1
等效模型是電子工程中不可或缺的分析工具，通過簡化復(fù)雜系統(tǒng)為易于理解和計(jì)算的形式，廣泛應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)、信號處理及系統(tǒng)仿真等領(lǐng)域。掌握等效模型技術(shù)不僅能夠幫助工程師快速定位問題所在，還能有效提升設(shè)計(jì)方案的效率與準(zhǔn)確性。本頁面匯集了5144份精選資源，涵蓋從基礎(chǔ)理論到高級應(yīng)用的全方位知識體系，助力您深入理解并靈活運(yùn)用這一強(qiáng)大工具，在項(xiàng)目實(shí)踐中取得突破性進(jìn)展。
?? 等效模型熱門資料
查看全部5144個(gè)資源 ?量子點(diǎn)接觸器件電勢準(zhǔn)3D數(shù)值模型和模擬方法
采用三維泊松方程和二維薛定諤方程自洽求解方法,建立量子點(diǎn)接觸器件（QPC）內(nèi)的電勢分布和二維電子氣層的電子密度分布的準(zhǔn)三維模型及模擬方法,并將模擬結(jié)果與傳統(tǒng)的Buttiker鞍型電勢分布進(jìn)行比較。 ...
電子設(shè)備電磁兼容仿真模型研究
針時(shí)引起電磁干技的主要因素一縫隙．本文提出了縫隙轉(zhuǎn)移阻抗等效建模方法，并在文中詳細(xì)論述，為快速、正確預(yù)測電于設(shè)備中電磁兼容的性能提供方法和理論依據(jù)。 ...
MOS管驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)和時(shí)間功耗計(jì)算
MOS關(guān)模型 Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個(gè)Vds電壓的函數(shù)。Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結(jié)電容，也是和電壓相...
信號完整性知識基礎(chǔ)(pdf)
現(xiàn)代的電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的復(fù)雜度、時(shí)鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢，但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場的時(shí)間要求給設(shè)計(jì)師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預(yù)見設(shè)計(jì)中可能出現(xiàn)的各種問題，并及時(shí)給出合理的解決方案，對于高速的數(shù)字電路...
?? 等效模型技術(shù)文檔
查看更多 ??? 等效模型源代碼
查看更多 ??? 等效模型資料分類