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等效采樣

  • 含獨(dú)立源電路的等效

    標(biāo)簽: 獨(dú)立源 電路 等效

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶:wwwwwen5

  • HVFS-5型變頻電源裝置說(shuō)明書(shū)

    性能與用途 HVFS型變頻電源裝置是串聯(lián)諧振成套試驗(yàn)系統(tǒng)和局部放電試驗(yàn)系統(tǒng)的重要組成部分,本裝置采用調(diào)頻調(diào)壓方式,進(jìn)行交流耐壓以及局部放電試驗(yàn)。 本裝置利用串聯(lián)諧振的原理,通過(guò)改變?cè)囼?yàn)回路的頻率,利用較小容量的供電電源可以完成等效于供電電源 30~150 倍的試驗(yàn),大大緩解了現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)電源的容量不足問(wèn)題。

    標(biāo)簽: HVFS 變頻電源 裝置 說(shuō)明書(shū)

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶:gundamwzc

  • 同步整流技術(shù)簡(jiǎn)單介紹

    同步整流技術(shù)簡(jiǎn)單介紹大家都知道,對(duì)于開(kāi)關(guān)電源,在次級(jí)必然要有一個(gè)整流輸出的過(guò)程。作為整流電路的主要元件,通常用的是整流二極管(利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動(dòng)式器件:只要有足夠的正向電壓它就開(kāi)通,而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高,快恢復(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個(gè)壓降完全是做的無(wú)用功,并且整流二極管是一種固定壓降的器件,舉個(gè)例子:如有一個(gè)管子壓降為0.7V,其整流為12V時(shí)它的前端要等效12.7V電壓,損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當(dāng)其為3.3V整流時(shí),損耗為0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可見(jiàn)此類器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低,損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管進(jìn)而開(kāi)關(guān)電源的溫度上升、機(jī)箱溫度上升--------有時(shí)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個(gè)高溫所賜。隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展,如GeForce 8800GTX顯卡,其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V輸出電流各高達(dá)24A)的電源轉(zhuǎn)換器。而當(dāng)前世界的能源緊張問(wèn)題的凸現(xiàn),為廣大用戶提供更高轉(zhuǎn)換效率(如多核R80,完全符合80PLUS標(biāo)準(zhǔn))的電源轉(zhuǎn)換器就是我們整個(gè)開(kāi)關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會(huì)責(zé)任了。如何解決這些問(wèn)題?尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻(幾毫歐到十幾毫歐)極低的專用功率MOSFET就是在這個(gè)時(shí)刻走上開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺(tái)了!作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件,功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系。因?yàn)橛霉β蔒OSFET做整流器時(shí),要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動(dòng)式器件,必須要在其控制極(柵極)有一定電壓才能允許電流通過(guò),這種復(fù)雜的控制要求得到的回報(bào)就是極小的電流損耗。在實(shí)際應(yīng)用中,一般在通過(guò)20-30A電流時(shí)才有0.2-0.3V的壓降損耗。因?yàn)槠鋲航档扔陔娏髋c通態(tài)電阻的乘積,故小電流時(shí),其壓降和恒定壓降的肖特基不同,電流越小壓降越低。這個(gè)特性對(duì)于改善輕載效率(20%)尤為有效。這在80PLUS產(chǎn)品上已成為一種基本的解決方案了。對(duì)于以上提到的兩種整流方案,我們可以通過(guò)灌溉農(nóng)田來(lái)理解:肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒(méi)有鋪水泥的灌溉用的水道,從源頭下來(lái)的水源在中途滲漏了很多,十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道,除了一點(diǎn)點(diǎn)被太陽(yáng)曬掉的損失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。我們的多核F1,多核R80,其3.3V整流電路采用了通態(tài)電阻僅為0.004歐的功率MOSFET,在通過(guò)24A峰值電流時(shí)壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時(shí)的3.3V電流為10A,則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V,損耗比例為0.04/4=1%,比之于傳統(tǒng)肖特基加磁放大整流技術(shù)17.5%的損耗,其技術(shù)的進(jìn)步已不僅僅是一個(gè)量的變化,而可以說(shuō)是有了一個(gè)質(zhì)的飛躍了。也可以說(shuō),我們?yōu)橛脩粜藿艘粭l嚴(yán)絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。

    標(biāo)簽: 同步整流

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:杏簾在望

  • 純滯后環(huán)對(duì)數(shù)字電源環(huán)路影響的研究

    研究了滯后環(huán)對(duì)數(shù)字電源的影響和滯后環(huán)的等效簡(jiǎn)化模型,給出了基于Matlab數(shù)字電源補(bǔ)償器的設(shè)計(jì)步驟。仿真和實(shí)驗(yàn)表明,通過(guò)該方法設(shè)計(jì)的數(shù)字電源環(huán)路穩(wěn)定性得到了有效保證。

    標(biāo)簽: 對(duì)數(shù) 電源環(huán)路

    上傳時(shí)間: 2014-04-15

    上傳用戶:dvfeng

  • 用超低功耗MSP430單片機(jī)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

    用 超 低 功 耗 M SP430單 片 機(jī) 設(shè) 計(jì) 數(shù) 據(jù) 采 集 系 統(tǒng)

    標(biāo)簽: MSP 430 超低功耗 單片機(jī)設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-10-19

    上傳用戶:源弋弋

  • 基于PIC16F688的隨鉆儀器鋰電池監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

    為了充分利用石油鉆井井下隨鉆儀器中鋰電池的有限電量,延長(zhǎng)隨鉆儀器單次連續(xù)工作時(shí)間,采用以PIC16F688單片機(jī)作為控制核心,對(duì)主、從兩組鋰電池進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控的原理進(jìn)行軟硬件設(shè)計(jì)。系統(tǒng)包括電流采樣、電壓采樣、總線接口和EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)4個(gè)模塊,具有主從電池的自動(dòng)切換、電量統(tǒng)計(jì)、存儲(chǔ)、傳輸?shù)裙δ堋Mㄟ^(guò)石油井下現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用,該系統(tǒng)將隨鉆儀器中鋰電池電量的使用效率提高至90%,安全可靠,具有很好的工程應(yīng)用價(jià)值。

    標(biāo)簽: F688 PIC 16F 688

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:euroford

  • DS18B20溫度采集芯片的簡(jiǎn)單應(yīng)用

    DS18B20采溫芯片的簡(jiǎn)單應(yīng)用

    標(biāo)簽: 18B B20 DS 18

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

    上傳用戶:q3290766

  • 單片機(jī)跑馬燈c語(yǔ)言程序

    多采的單片機(jī)跑馬燈資料

    標(biāo)簽: 單片機(jī) c語(yǔ)言 跑馬燈 程序

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:xingisme

  • CPLD和MSP430單片機(jī)在導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)中的應(yīng)用

    導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)是一種利用時(shí)域反射原理實(shí)現(xiàn)的高性能物位計(jì)。為了實(shí)現(xiàn)導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)這一高精度時(shí)差測(cè)量系統(tǒng),采用了CPLD和MSP430單片機(jī)協(xié)同工作的電路設(shè)計(jì)。CPLD為信號(hào)收發(fā)模塊的核心,為發(fā)射電路中提供窄脈沖產(chǎn)生電路的周期觸發(fā)信號(hào),并在接收電路中控制可編程延時(shí)器件AD9500實(shí)現(xiàn)等效時(shí)間采樣,把高頻的回波脈沖信號(hào)在時(shí)間軸上放大為低頻信號(hào)。以MSP430為核心的信號(hào)處理模塊根據(jù)收發(fā)模塊傳來(lái)的信號(hào)計(jì)算物位,并把物位信息以4~20 mA信號(hào)、串口等方式輸出,同時(shí)MSP430還對(duì)液晶屏、按鍵等外圍器件進(jìn)行控制。實(shí)際試驗(yàn)表明系統(tǒng)各模塊的工作狀態(tài)與理論分析相符。

    標(biāo)簽: CPLD 430 MSP 單片機(jī)

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

    上傳用戶:hphh

  • 單片機(jī)電路常識(shí)及設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn).rar

      本資料是關(guān)于單片機(jī)電路設(shè)計(jì)的一些經(jīng)驗(yàn),希望對(duì)大家有所幫助。。。   前言 MCU發(fā)展趨勢(shì)   未來(lái)以及相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),單片機(jī)應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)為:   1、全盤(pán)CMOS化   CMOS 電路具有眾多的優(yōu)點(diǎn),如極寬的工作電壓范圍、極佳的本質(zhì)低功耗及功耗管理特征,形成了嵌入式系統(tǒng)獨(dú)特的低功耗及功耗管理應(yīng)用技術(shù)。   2、最大化的SoC設(shè)計(jì)   目前單片機(jī)已逐漸向片上系統(tǒng)發(fā)展,原有的單片機(jī)逐漸發(fā)展成通用型SoC 單片機(jī)(如C8051F 系列)或SoC 的標(biāo)準(zhǔn)IP 內(nèi)核(如DW8051_core),以及各種專用的SoC 單片機(jī)。   3、以串行方式為主的外圍擴(kuò)展   目前單片機(jī)外圍器件普遍提供了串行擴(kuò)展方式。串行擴(kuò)展具有簡(jiǎn)單、靈活、電路系統(tǒng)簡(jiǎn)單、占用I/O資源少等優(yōu)點(diǎn),是一種流行的擴(kuò)展方式。   4、8位機(jī)仍有巨大發(fā)展空間   電路常識(shí)性概念(1)-輸入、輸出阻抗   1、輸入阻抗   輸入阻抗是指一個(gè)電路輸入端的等效阻抗。在輸入端上加上一個(gè)電壓源U,測(cè)量輸入端的電流I,則輸入阻抗Rin=U/I。你可以把輸入端想象成一個(gè)電阻的兩端,這個(gè)電阻的阻值,就是輸入阻抗。   輸入阻抗跟一個(gè)普通的電抗元件沒(méi)什么兩樣,它反映了對(duì)電流阻礙作用的大小。   對(duì)于電壓驅(qū)動(dòng)的電路,輸入阻抗越大,則對(duì)電壓源的負(fù)載就越輕,因而就越容易驅(qū)動(dòng),也不會(huì)對(duì)信號(hào)源有影響;而對(duì)于電流驅(qū)動(dòng)型的電路,輸入阻抗越小,則對(duì)電流源的負(fù)載就越輕。因此,我們可以這樣認(rèn)為:如果是用電壓源來(lái)驅(qū)動(dòng)的,則輸入阻抗越大越好;如果是用電流源來(lái)驅(qū)動(dòng)的,則阻抗越小越好(注:只適合于低頻電路,在高頻電路中,還要考慮阻抗匹配問(wèn)題。另外如果要獲取最大輸出功率時(shí),也要考慮阻抗匹配問(wèn)題。)

    標(biāo)簽: 單片機(jī)電路 常識(shí) 設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶:元宵漢堡包

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