采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間: 2013-11-21
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隨著我國通信、電力事業的發展,通信、電力網絡的規模越來越大,系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中,傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發達的國家,各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
上傳時間: 2014-03-24
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適用于51單片機的串口發n
上傳時間: 2014-12-25
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89c51一種用N+1條線實現矩陣鍵盤
標簽: 矩陣鍵盤
上傳時間: 2014-12-26
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單片機作為一種微型計算機,其內部具有一定的存儲單元(8031除外),但由于其內部存儲單元及端口有限,很多情況下難以滿足實際需求。為此介紹一種新的擴展方法,將數據線與地址線合并使用,通過軟件控制的方法實現數據線與地址線功能的分時轉換,數據線不僅用于傳送數據信號,還可作為地址線、控制線,用于傳送地址信號和控制信號,從而實現單片機與存儲器件的有效連接。以單片機片外256KB數據存儲空間的擴展為例,通過該擴展方法,僅用10個I/O端口便可實現,與傳統的擴展方法相比,可節約8個I/O端口。 Abstract: As a micro-computer,the SCM internal memory has a certain units(except8031),but because of its internal storage units and the ports are limited,in many cases it can not meet the actual demand.So we introduced a new extension method,the data line and address lines combined through software-controlled approach to realize the time-conversion functions of data lines and address lines,so the data lines not only transmited data signals,but also served as address lines and control lines to transmit address signals and control signals,in order to achieve an effective connection of microcontroller and memory chips.Take microcontroller chip with256KB of data storage space expansion as example,through this extension method,with only10I/O ports it was achieved,compared with the traditional extension methods,this method saves8I/O ports.
上傳時間: 2014-12-26
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摘要: 用磷酸氧鈦鉀(KTP)作為倍頻晶體,對Nd∶YAG聲光調Q激光的環形腔外腔倍頻技術進行了實驗和理論的研究,利用最大平均功率50W、聲光調Q、輸出頻率1005Hz、燈抽運Nd∶YAG激光器做為基頻光光源,在基頻輸入功率35W時,獲得了大約為31.4%的光光轉換效率的綠光輸出。從實驗結果分析了環形腔倍頻的特性,指出了該方法的優缺點。從光束質量和聚焦光斑直徑方面,對基頻光和二次諧波進行了比較,提供了利用CCD測得光斑的部分圖片,分析了環形腔倍頻的工作原理,解決了困擾倍頻技術的轉換效率問題和光束質量問題。關鍵詞: 激光技術;倍頻;環形腔;轉換效率;光束質量
上傳時間: 2013-11-19
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介紹了一種基于8051內核的無線射頻傳輸芯片nRF9E5,采用該芯片制作了撲翼微型飛行器的遙控系統,對遙控系統的收發裝置進行了硬件設計,并對設計出的硬件系統進行了軟件編程和系統的調試,實驗表明,該系統具有成本少、功耗低、尺寸小的特點,能以較高質量在100~150米范圍內進行信號的無線傳輸。
上傳時間: 2013-11-17
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本文設計了一種基于無線收發芯片Si4432和C8051F930單片機的無線射頻收發系統。該系統由發送模塊和接收模塊組成。發送模塊主要將要發送的數據經C8051F930處理后,通過Si4432發送出去;在接收模塊中,Si4432則將數據正確接收后通過液晶顯示出來,從而實現短距離的無線通信。該系統實現了低功耗、小體積、高靈敏度條件下的高質量無線數據傳輸。
上傳時間: 2013-10-09
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PIC 單片機的組成習題解答 解答部分1. PIC 單片機指令的執行過程遵循著一種全新哈佛總線體系結構的原則,充分利用了計算機系統在程序存儲器和數據存儲器之間地址空間的相互獨立性,取指過程和執行指令過程可以流水線操作同時進行。因此,當PIC 時鐘頻率為4MHZ時,執行一條非轉移類指令需要4 個系統時鐘周期,即1us,但其指令執行的真實時間應為2us(在執行n—1 條指令時取第n 條指令,然后執行第n 條指令)。所以選項B 正確2. 端口RE 共有3 個引腳RE0~RE2,它們除了用做普通I/O 引腳和第5~7 路模擬信號輸入引腳外,還依次分別承擔并行口讀出/寫入/片選控制端引腳。A. 對。讀出/寫入(REO~RE1)。B.錯。同步串行的相關引腳與端口C 有關。C.錯。通用異步/同步串行的相關引腳與端口C有關。D. 錯。CCP模塊的相關引腳也是與端口C有關。所以選項A正確。3. 上電延時電路能提供一個固定的72ms 上電延時,從而使VDD有足夠的時間上繁榮昌盛到單片機合適的工作電壓。所以選項B 正確。
上傳時間: 2013-11-09
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at91rm9200啟動過程教程 系統上電,檢測BMS,選擇系統的啟動方式,如果BMS為高電平,則系統從片內ROM啟動。AT91RM9200的ROM上電后被映射到了0x0和0x100000處,在這兩個地址處都可以訪問到ROM。由于9200的ROM中固化了一個BOOTLOAER程序。所以PC從0X0處開始執行這個BOOTLOAER(準確的說應該是一級BOOTLOADER)。這個BOOTLOER依次完成以下步驟: 1、PLL SETUP,設置PLLB產生48M時鐘頻率提供給USB DEVICE。同時DEBUG USART也被初始化為48M的時鐘頻率; 2、相應模式下的堆棧設置; 3、檢測主時鐘源(Main oscillator); 4、中斷控制器(AIC)的設置; 5、C 變量的初始化; 6、跳到主函數。 完成以上步驟后,我們可以認為BOOT過程結束,接下來的就是LOADER的過程,或者也可以認為是裝載二級BOOTLOER。AT91RM9200按照DATAFLASH、EEPROM、連接在外部總線上的8位并行FLASH的順序依次來找合法的BOOT程序。所謂合法的指的是在這些存儲設備的開始地址處連續的存放的32個字節,也就是8條指令必須是跳轉指令或者裝載PC的指令,其實這樣規定就是把這8條指令當作是異常向量表來處理。必須注意的是第6條指令要包含將要裝載的映像的大小。關于如何計算和寫這條指令可以參考用戶手冊。一旦合法的映像找到之后,則BOOT程序會把找到的映像搬到SRAM中去,所以映像的大小是非常有限的,不能超過16K-3K的大小。當BOOT程序完成了把合法的映像搬到SRAM的任務以后,接下來就進行存儲器的REMAP,經過REMAP之后,SRAM從映設前的0X200000地址處被映設到了0X0地址并且程序從0X0處開始執行。而ROM這時只能在0X100000這個地址處看到了。至此9200就算完成了一種形式的啟動過程。如果BOOT程序在以上所列的幾種存儲設備中找到合法的映像,則自動初始化DEBUG USART口和USB DEVICE口以準備從外部載入映像。對DEBUG口的初始化包括設置參數115200 8 N 1以及運行XMODEM協議。對USB DEVICE進行初始化以及運行DFU協議。現在用戶可以從外部(假定為PC平臺)載入你的映像了。在PC平臺下,以WIN2000為例,你可以用超級終端來完成這個功能,但是還是要注意你的映像的大小不能超過13K。一旦正確從外部裝載了映像,接下來的過程就是和前面一樣重映設然后執行映像了。我們上面講了BMS為高電平,AT91RM9200選擇從片內的ROM啟動的一個過程。如果BMS為低電平,則AT91RM9200會從片外的FLASH啟動,這時片外的FLASH的起始地址就是0X0了,接下來的過程和片內啟動的過程是一樣的,只不過這時就需要自己寫啟動代碼了,至于怎么寫,大致的內容和ROM的BOOT差不多,不同的硬件設計可能有不一樣的地方,但基本的都是一樣的。由于片外FLASH可以設計的大,所以這里編寫的BOOTLOADER可以一步到位,也就是說不用像片內啟動可能需要BOOT好幾級了,目前AT91RM9200上使用較多的bootloer是u-boot,這是一個開放源代碼的軟件,用戶可以自由下載并根據自己的應用配置。總的說來,筆者以為AT91RM9200的啟動過程比較簡單,ATMEL的服務也不錯,不但提供了片內啟動的功能,還提供了UBOOT可供下載。筆者寫了一個BOOTLODER從片外的FLASHA啟動,效果還可以。 uboot結構與使用uboot是一個龐大的公開源碼的軟件。他支持一些系列的arm體系,包含常見的外設的驅動,是一個功能強大的板極支持包。其代碼可以 http://sourceforge.net/projects/u-boot下載 在9200上,為了啟動uboot,還有兩個boot軟件包,分別是loader和boot。分別完成從sram和flash中的一級boot。其源碼可以從atmel的官方網站下載。 我們知道,當9200系統上電后,如果bms為高電平,則系統從片內rom啟動,這時rom中固化的boot程序初始化了debug口并向其發送'c',這時我們打開超級終端會看到ccccc...。這說明系統已經啟動,同時xmodem協議已經啟動,用戶可以通過超級終端下載用戶的bootloader。作為第一步,我們下載loader.bin.loader.bin將被下載到片內的sram中。這個loder完成的功能主要是初始化時鐘,sdram和xmodem協議,為下載和啟動uboot做準備。當下載了loader.bin后,超級終端會繼續打印:ccccc....。這時我們就可以下在uboot了。uboot將被下載到sdram中的一個地址后并把pc指針調到此處開始執行uboot。接著我們就可以在終端上看到uboot的shell啟動了,提示符uboot>,用戶可以uboot>help 看到命令列表和大概的功能。uboot的命令包含了對內存、flash、網絡、系統啟動等一些命令。 如果系統上電時bms為低電平,則系統從片外的flash啟動。為了從片外的flash啟動uboot,我們必須把boot.bin放到0x0地址出,使得從flash啟動后首先執行boot.bin,而要少些boot.bin,就要先完成上面我們講的那些步驟,首先開始從片內rom啟動uboot。然后再利用uboot的功能完成把boot.bin和uboot.gz燒寫到flash中的目的,假如我們已經啟動了uboot,可以這樣操作: uboot>protect off all uboot>erase all uboot>loadb 20000000 uboot>cp.b 20000000 10000000 5fff uboot>loadb 21000000 uboot>cp.b 210000000 10010000 ffff 然后系統復位,就可以看到系統先啟動boot,然后解壓縮uboot.gz,然后啟動uboot。注意,這里uboot必須壓縮成.gz文件,否則會出錯。 怎么編譯這三個源碼包呢,首先要建立一個arm的交叉編譯環境,關于如何建立,此處不予說明。建立好了以后,分別解壓源碼包,然后修改Makefile中的編譯器項目,正確填寫你的編譯器的所在路徑。 對loader和boot,直接make。對uboot,第一步:make_at91rm9200dk,第二步:make。這樣就會在當前目錄下分別生成*.bin文件,對于uboot.bin,我們還要壓縮成.gz文件。 也許有的人對loader和boot搞不清楚為什么要兩個,有什么區別嗎?首先有區別,boot主要完成從flash中啟動uboot的功能,他要對uboot的壓縮文件進行解壓,除此之外,他和loader并無大的區別,你可以把boot理解為在loader的基礎上加入了解壓縮.gz的功能而已。所以這兩個并無多大的本質不同,只是他們的使命不同而已。 特別說名的是這三個軟件包都是開放源碼的,所以用戶可以根據自己的系統的情況修改和配置以及裁減,打造屬于自己系統的bootloder。
上傳時間: 2013-10-27
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