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機(jī)器學(xué)習(xí)課件-6.0M-PPT版.zip

專輯類-機(jī)器人相關(guān)專輯-51冊(cè)-805M 機(jī)器學(xué)習(xí)課件-6.0M-PPT版.zip

標(biāo)簽： M-PPT 6.0 zip 機(jī)器學(xué)習(xí)

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數(shù)字信號(hào)處理課件-886頁(yè)-13.2M-pdf版.zip

專輯類-數(shù)字處理及顯示技術(shù)專輯-106冊(cè)-9138M 數(shù)字信號(hào)處理課件-886頁(yè)-13.2M-pdf版.zip

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單片機(jī)精品課件-教程-試題庫(kù)-實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)-31.9M-pdf版.zip

專輯類-單片機(jī)專輯-258冊(cè)-4.20G 單片機(jī)精品課件-教程-試題庫(kù)-實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)-31.9M-pdf版.zip

標(biāo)簽： M-pdf 31.9 zip 單片機(jī)

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單片機(jī)實(shí)用技術(shù)教程-27.4M-728頁(yè)-ppt課件.zip

專輯類-單片機(jī)專輯-258冊(cè)-4.20G 單片機(jī)實(shí)用技術(shù)教程-27.4M-728頁(yè)-ppt課件.zip

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電流型雙端反激式開關(guān)電源的研究.rar

該文主要研究開發(fā)了適用于電力有源濾波器、開關(guān)磁阻電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)等現(xiàn)代電力電子裝置的開關(guān)穩(wěn)壓電源.該電源采用雙端反激式功率變換電路,降低了功率MOSFET截止期間的所承受電壓應(yīng)力,減小了管子的耐壓要求.該文首先詳細(xì)分析了多輸出電流型雙端反激式開關(guān)電源的基本工作原理,并在此基礎(chǔ)上建立了一套系統(tǒng)的、準(zhǔn)確的穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)模型及動(dòng)態(tài)小信號(hào)模型.根據(jù)所建立的數(shù)學(xué)模型,結(jié)合自動(dòng)控制原理,對(duì)閉環(huán)控制系統(tǒng)進(jìn)行了穩(wěn)定性分析研究,提出了穩(wěn)定運(yùn)行條件,給出了閉環(huán)系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)計(jì).然后根據(jù)已建立的數(shù)學(xué)模型,利用MATLAB軟件仿真分析了系統(tǒng)的穩(wěn)定性,同時(shí)建立了PSPICE實(shí)時(shí)仿真電路模型,進(jìn)行了深入細(xì)致的計(jì)算機(jī)仿真研究,驗(yàn)證了理論設(shè)計(jì)的正確性、合理性.最后設(shè)計(jì)了一套38W、六路輸出的原理樣機(jī),給出了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)波形和實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析.

標(biāo)簽： 電流型雙端反激式開關(guān)電源

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高速永磁電機(jī)的機(jī)械和電磁特性研究.rar

本課題是國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目“微型燃?xì)廨啓C(jī)一高速發(fā)電機(jī)分布式發(fā)電與能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究”(50437010)的部分研究?jī)?nèi)容。高速電機(jī)的體積小、功率密度大和效率高，正在成為電機(jī)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。高速電機(jī)的主要特點(diǎn)有兩個(gè)：一是轉(zhuǎn)子的高速旋轉(zhuǎn)，二是定子繞組電流和鐵心中磁通的高頻率，由此決定了不同于普通電機(jī)的高速電機(jī)特有的關(guān)鍵技術(shù)。本文針對(duì)高速永磁電機(jī)的機(jī)械與電磁特性及其關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了深入地研究，主要包括以下內(nèi)容：首先，進(jìn)行了高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與強(qiáng)度分析。根據(jù)永磁體抗壓強(qiáng)度遠(yuǎn)大于抗拉強(qiáng)度的特點(diǎn)，提出了一種采用整體永磁體外加非導(dǎo)磁高強(qiáng)度合金鋼護(hù)套的新型轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)。永磁體與護(hù)套之間采用過盈配合，用護(hù)套對(duì)永磁體施加的靜態(tài)預(yù)壓力抵消高速旋轉(zhuǎn)離心力產(chǎn)生的拉應(yīng)力，使永磁體高速旋轉(zhuǎn)時(shí)仍承受一定的壓應(yīng)力，從而保證永磁轉(zhuǎn)子的安全運(yùn)行。基于彈性力學(xué)厚壁筒理論與有限元接觸理論，建立了新型高速永磁轉(zhuǎn)子應(yīng)力計(jì)算模型，確定了護(hù)套和永磁體之間的過盈量，計(jì)算了永磁體和護(hù)套中的應(yīng)力分布。該種轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度計(jì)算方法已應(yīng)用于高速永磁電機(jī)的樣機(jī)設(shè)計(jì)。其次，進(jìn)行了高速永磁轉(zhuǎn)子的剛度分析和磁力軸承—轉(zhuǎn)子系統(tǒng)的臨界轉(zhuǎn)速計(jì)算。基于電磁場(chǎng)理論分析了磁力軸承支承的各向同性，利用氣隙靜態(tài)偏置磁通密度計(jì)算了磁力軸承的線性支承剛度，在對(duì)高速電機(jī)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)離散化的基礎(chǔ)上建立了磁力軸承—轉(zhuǎn)子系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)方程，采用有限元法計(jì)算了高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子的臨界轉(zhuǎn)速。利用該計(jì)算方法設(shè)計(jì)的1臺(tái)采用磁力軸承的高速電機(jī)，已成功實(shí)現(xiàn)60000r/min的運(yùn)行。再次，進(jìn)行了高速永磁電機(jī)的定子設(shè)計(jì)，提出了一種新型環(huán)形繞組結(jié)構(gòu)。環(huán)型繞組線圈的下層邊放在定子鐵心的6個(gè)槽中，而上層邊分布在定子鐵心軛部外緣的24個(gè)槽中，不但增加了定子表面的通風(fēng)散熱面積，使冷卻氣流直接冷卻定子繞組，更為重要的是，解決了傳統(tǒng)2極電機(jī)繞組端部軸向過長(zhǎng)的難題，使轉(zhuǎn)子軸向長(zhǎng)度大為縮短，從而增加了高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子系統(tǒng)的剛度。然后，采用場(chǎng)路耦合以及解析與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法，分析計(jì)算了高速永磁電機(jī)的損耗和溫升，并對(duì)高速永磁發(fā)電機(jī)的電磁特性進(jìn)行了仿真。高速電機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是體積小和功率密度大，然而隨之而來的缺點(diǎn)是單位體積的損耗大，以及因散熱面積小造成的散熱困難。損耗和溫升的準(zhǔn)確計(jì)算對(duì)高速電機(jī)的安全運(yùn)行至關(guān)重要。為了準(zhǔn)確計(jì)算高速電機(jī)的高頻鐵耗，對(duì)定子鐵心所采用的各向異性冷軋電工鋼片制作的試件，進(jìn)行了不同頻率和不同軋制方向的導(dǎo)磁性能和損耗系數(shù)測(cè)定。然后采用場(chǎng)路耦合的方法，分析計(jì)算了高速電機(jī)的定子鐵耗和銅耗、轉(zhuǎn)子護(hù)套和永磁體內(nèi)的高頻附加損耗以及轉(zhuǎn)子表面的風(fēng)磨損耗。在損耗分析的基礎(chǔ)上，計(jì)算了高速電機(jī)的溫升。最后，設(shè)計(jì)制造了一臺(tái)額定轉(zhuǎn)速為60000r/min的高速永磁電機(jī)試驗(yàn)樣機(jī)，并進(jìn)行了初步的試驗(yàn)研究。測(cè)量了電機(jī)在不同轉(zhuǎn)速下空載運(yùn)行時(shí)的定、轉(zhuǎn)子溫升及定子繞組的反電動(dòng)勢(shì)波形。通過與仿真結(jié)果的對(duì)比，部分驗(yàn)證了高速永磁電機(jī)理論分析和設(shè)計(jì)方法的正確性。在此基礎(chǔ)上，提出一種高速永磁電機(jī)的改進(jìn)設(shè)計(jì)方案，為進(jìn)一步的研究工作打下了基礎(chǔ)。

標(biāo)簽： 永磁電機(jī) 機(jī)械電磁

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電路原理課件.rar

丘關(guān)源電路原理課件從第一章到第七章全是經(jīng)典希望大家喜歡

標(biāo)簽： 電路原理

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射頻與微波功率放大器設(shè)計(jì).rar

本書主要闡述設(shè)計(jì)射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計(jì)技巧，以及將分析計(jì)算與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。這些方法提高了設(shè)計(jì)效率，縮短了設(shè)計(jì)周期。本書內(nèi)容覆蓋非線性電路設(shè)計(jì)方法、非線性主動(dòng)設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計(jì)、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì)。　本書適合從事射頻與微波動(dòng)功率放大器設(shè)計(jì)的工程師、研究人員及高校相關(guān)專業(yè)的師生閱讀。作者簡(jiǎn)介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設(shè)計(jì)工程師，他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國(guó)際微波年會(huì)論文集。目錄第1章　雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 　1.1　傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 　1.2　散射參數(shù) 　1.3　雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換　1.4　雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接　1.5　實(shí)際的雙口電路　　1.5.1　單元件網(wǎng)絡(luò) 　　1.5.2　π形和T形網(wǎng)絡(luò) 　1.6　具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò) 　1.7　傳輸線　參考文獻(xiàn) 第2章　非線性電路設(shè)計(jì)方法　2.1　頻域分析　　2.1.1　三角恒等式法　　2.1.2　分段線性近似法　　2.1.3　貝塞爾函數(shù)法　2.2　時(shí)域分析　2.3　NewtOn.Raphscm算法　2.4　準(zhǔn)線性法　2.5　諧波平衡法　參考文獻(xiàn) 第3章　非線性有源器件模型　3.1　功率MOSFET管　　3.1.1　小信號(hào)等效電路　　3.1.2　等效電路元件的確定　　3.1.3　非線性I—V模型　　3.1.4　非線性C.V模型　　3.1.5　電荷守恒　　3.1.6　柵一源電阻　　3.1.7　溫度依賴性　3.2　GaAs MESFET和HEMT管　　3.2.1　小信號(hào)等效電路　　3.2.2　等效電路元件的確定　　3.2.3　CIJrtice平方非線性模型　　3.2.4　Curtice.Ettenberg立方非線性模型　　3.2.5　Materka—Kacprzak非線性模型　　3.2.6　Raytheon(Statz等)非線性模型　　3.2.7　rrriQuint非線性模型　　3.2.8　Chalmers(Angek)v)非線性模型　　3.2.9　IAF(Bemth)非線性模型　　3.2.10　模型選擇　3.3　BJT和HBT汀管　　3.3.1　小信號(hào)等效電路　　3.3.2　等效電路中元件的確定　　3.3.3　本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換　　3.3.4　非線性雙極器件模型　參考文獻(xiàn) 第4章　阻抗匹配　4.1　主要原理　4.2　Smith圓圖　4.3　集中參數(shù)的匹配　　4.3.1　雙極UHF功率放大器　　4.3.2　M0SFET VHF高功率放大器　4.4　使用傳輸線匹配　　4.4.1　窄帶功率放大器設(shè)計(jì) 　　4.4.2　寬帶高功率放大器設(shè)計(jì) 　4.5　傳輸線類型　　4.5.1　同軸線　　4.5.2　帶狀線　　4.5.3　微帶線　　4.5.4　槽線　　4.5.5　共面波導(dǎo) 　參考文獻(xiàn) 第5章　功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器　5.1　基本特性　5.2　三口網(wǎng)絡(luò) 　5.3　四口網(wǎng)絡(luò) 　5.4　同軸電纜變換器和合成器　5.5　wilkinson功率分配器　5.6　微波混合橋　5.7　耦合線定向耦合器　參考文獻(xiàn) 第6章　功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 　6.1　主要特性　6.2　增益和穩(wěn)定性　6.3　穩(wěn)定電路技術(shù) 　　6.3.1　BJT潛在不穩(wěn)定的頻域　　6.3.2　MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域　　6.3.3　一些穩(wěn)定電路的例子　6.4　線性度　6.5　基本的工作類別：A、AB、B和C類　6.6　直流偏置　6.7　推挽放大器　6.8　RF和微波功率放大器的實(shí)際外形　參考文獻(xiàn) 第7章　高效率功率放大器設(shè)計(jì) 　7.1　B類過激勵(lì) 　7.2　F類電路設(shè)計(jì) 　7.3　逆F類　7.4　具有并聯(lián)電容的E類　7.5　具有并聯(lián)電路的E類　7.6　具有傳輸線的E類　7.7　寬帶E類電路設(shè)計(jì) 　7.8　實(shí)際的高效率RF和微波功率放大器　參考文獻(xiàn) 第8章寬帶功率放大器　8.1　Bode—Fan0準(zhǔn)則　8.2　具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 　8.3　使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 　8.4　具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò) 　　8.5　有耗匹配網(wǎng)絡(luò) 　8.6　實(shí)際設(shè)計(jì)一瞥　參考文獻(xiàn) 第9章　通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì) 　9.1　Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù) 　9.2　包絡(luò)跟蹤　9.3　異相功率放大器　9.4　Doherty功率放大器方案　9.5　開關(guān)模式和雙途徑功率放大器　9.6　前饋線性化技術(shù) 　9.7　預(yù)失真線性化技術(shù) 　9.8　手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器　參考文獻(xiàn)

標(biāo)簽： 射頻微波功率放大器設(shè)計(jì)

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本質(zhì)安全型單端反激變換器的分析與設(shè)計(jì).rar

應(yīng)用于煤礦、石化等易燃易爆環(huán)境的電子設(shè)備必須滿足防爆的要求，本質(zhì)安全型是最佳的防爆形式。本質(zhì)安全型開關(guān)電源具有重量輕、體積小、制造工藝簡(jiǎn)單、成本低、安全性能高等優(yōu)點(diǎn)，因而具有廣闊的發(fā)展前景。單端反激變換器是開關(guān)變換器的一種基本的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在實(shí)際中應(yīng)用比較廣泛，因此對(duì)單端反激變換器進(jìn)行本質(zhì)安全特性分析是本質(zhì)安全開關(guān)電源設(shè)計(jì)的重要基礎(chǔ)。本質(zhì)安全型開關(guān)變換器的設(shè)計(jì)，主要是對(duì)變換器中的儲(chǔ)能元件進(jìn)行設(shè)計(jì)，即變換器中的電感和輸出濾波電容進(jìn)行設(shè)計(jì)。本文對(duì)變換器的靜態(tài)特性進(jìn)行了深入分析，指出反激變換器存在三種工作模式：CISM-CCM、IISM-CCM和DCM：得出了變換器工作在整個(gè)動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的最大輸出紋波電壓、最大電感電流和最大輸出短路釋放能量。對(duì)單端反激變換器的本質(zhì)安全特性進(jìn)行了分析，得出輸出本質(zhì)安全型單端反激變換器的非爆炸判斷方法，并通過安全火花試驗(yàn)裝置對(duì)變換器進(jìn)行爆炸性試驗(yàn)，驗(yàn)證了輸出本安判據(jù)的正確性。得出輸出本質(zhì)安全型單端反激變換器的設(shè)計(jì)方法，以同時(shí)滿足輸出紋波電壓和輸出本安要求作為約束條件，得到了本質(zhì)安全型單端反激變換器電感、電容參數(shù)的設(shè)計(jì)范圍。給出了具體實(shí)例，并進(jìn)行仿真和試驗(yàn)研究，仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了理論分析的正確性和設(shè)計(jì)方法的可行性。

標(biāo)簽： 本質(zhì)安全單端反激分

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上傳用戶：水中浮云
FPGA中多標(biāo)準(zhǔn)可編程IO端口的設(shè)計(jì).rar

現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA，F(xiàn)ield Programmable Gate Array)是可編程邏輯器件的一種，它的出現(xiàn)是隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，設(shè)計(jì)與制造集成電路的任務(wù)已不完全由半導(dǎo)體廠商來獨(dú)立承擔(dān)。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師們更愿意自己設(shè)計(jì)專用集成電路(ASIC，Application Specific Integrated Circuit)．芯片，而且希望ASIC的設(shè)計(jì)周期盡可能短，最好是在實(shí)驗(yàn)室里就能設(shè)計(jì)出合適的ASIC芯片，并且立即投入實(shí)際應(yīng)用之中。現(xiàn)在，F(xiàn)PGA已廣泛地運(yùn)用于通信領(lǐng)域、消費(fèi)類電子和車用電子。本文中涉及的I/O端口模塊是FPGA中最主要的幾個(gè)大模塊之一，它的主要作用是提供封裝引腳到CLB之間的接口，將外部信號(hào)引入FPGA內(nèi)部進(jìn)行邏輯功能的實(shí)現(xiàn)并把結(jié)果輸出給外部電路，并且根據(jù)需要可以進(jìn)行配置來支持多種不同的接口標(biāo)準(zhǔn)。FPGA允許使用者通過不同編程來配置實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能，在IO端口中它可以通過選擇配置方式來兼容不同信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)的I/O緩沖器電路。總體而言，可選的I/O資源的特性包括：IO標(biāo)準(zhǔn)的選擇、輸出驅(qū)動(dòng)能力的編程控制、擺率選擇、輸入延遲和維持時(shí)間控制等。本文是關(guān)于FPGA中多標(biāo)準(zhǔn)兼容可編程輸入輸出電路(Input/Output Block)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，該課題是成都華微電子系統(tǒng)有限公司FPGA大項(xiàng)目中的一子項(xiàng)，目的為在更新的工藝水平上設(shè)計(jì)出能夠兼容單端標(biāo)準(zhǔn)的I/O電路模塊；同時(shí)針對(duì)以前設(shè)計(jì)的I/O模塊不支持雙端標(biāo)準(zhǔn)的缺點(diǎn)，要求新的電路模塊中擴(kuò)展出雙端標(biāo)準(zhǔn)的部分。文中以低壓雙端差分標(biāo)準(zhǔn)(LVDS)為代表構(gòu)建雙端標(biāo)準(zhǔn)收發(fā)轉(zhuǎn)換電路，與單端標(biāo)準(zhǔn)比較，LVDS具有很多優(yōu)點(diǎn)： (1)LVDS傳輸?shù)男盘?hào)擺幅小，從而功耗低，一般差分線上電流不超過4mA，負(fù)載阻抗為100Ω。這一特征使它適合做并行數(shù)據(jù)傳輸。 (2)LVDS信號(hào)擺幅小，從而使得該結(jié)構(gòu)可以在2.5V的低電壓下工作。 (3)LVDS輸入單端信號(hào)電壓可以從0V到2.4V變化，單端信號(hào)擺幅為400mV，這樣允許輸入共模電壓從0.2V到2.2V范圍內(nèi)變化，也就是說LVDS允許收發(fā)兩端地電勢(shì)有±1V的落差。本文采用0.18μm1.8V/3.3V混合工藝，輔助Xilinx公司FPGA開發(fā)軟件ISE，設(shè)計(jì)完成了可以用于Virtex系列各低端型號(hào)FPGA的IOB結(jié)構(gòu)，它有靈活的可配置性和出色的適應(yīng)能力，能支持大量的I/O標(biāo)準(zhǔn)，其中包括單端標(biāo)準(zhǔn)，也包括雙端標(biāo)準(zhǔn)如LVDS等。它具有適應(yīng)性的優(yōu)點(diǎn)、可選的特性和考慮到被文件描述的硬件結(jié)構(gòu)特征，這些特點(diǎn)可以改進(jìn)和簡(jiǎn)化系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)，為最終的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)打下基礎(chǔ)。設(shè)計(jì)中對(duì)包括20種IO標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)的各電器參數(shù)按照用戶手冊(cè)描述進(jìn)行仿真驗(yàn)證，性能參數(shù)已達(dá)到預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)。

標(biāo)簽： FPGA 標(biāo)準(zhǔn) 可編程

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