晶體管電路設(shè)計(jì)(上).pdf
標(biāo)簽： 晶體管 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：qlpqlq
I2C 的上拉電阻可以是1.5K，2.2K，4.7K， 電阻的大小對(duì)時(shí)序有一定影響，對(duì)信號(hào)的上升時(shí)間和下降時(shí)間也有影響，一般接1.5K 或2.2K.
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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PID控制器由比例單元(P)、積分單元(I)和微分單元(D)組成。其輸入e (t)與輸出u (t)的關(guān)系為 u(t)=kp[e(t)+1/TI∫e(t)dt+TD*de(t)/dt] 式中積分的上下限分別是0和t 因此它的傳遞函數(shù)為：G(s)=U(s)/E(s)=kp[1+1/(TI*s)+TD*s] 其中kp為比例系數(shù); TI為積分時(shí)間常數(shù); TD為微分時(shí)間常數(shù).
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
標(biāo)簽： 單端應(yīng)用 差分 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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基于MDK RTX 的COrtex—M3 多任務(wù)應(yīng)用設(shè)計(jì) 武漢理工大學(xué) 方安平 武永誼 摘要：本文描述了如何在Cortex—M3 上使用MDK RL—RTX 的方法，并給出了一個(gè)簡(jiǎn)單的多任務(wù)應(yīng)用設(shè)計(jì)。 關(guān)鍵詞：MDK RTX，Cortex，嵌入式，ARM， STM32F103VB 1 MDK RL—RTX 和COrtex—M3 概述 MDK 開(kāi)發(fā)套件源自德國(guó)Keil 公司，是ARM 公司目前最新推出的針對(duì)各種嵌入式處理器 的軟件開(kāi)發(fā)工具。MDKRL—IUX 是一個(gè)實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)內(nèi)核，完全集成在MDK 編譯器中。廣泛應(yīng)用于ARM7、ARM9 和Cortex-M3 設(shè)備中。它可以靈活解決多任務(wù)調(diào)度、維護(hù)和時(shí)序安排等問(wèn)題。基于RL—I 訂X 的程序由標(biāo)準(zhǔn)的C 語(yǔ)言編寫，由Real—View 編譯器進(jìn)行編譯。操作系統(tǒng)依附于C 語(yǔ)言使聲明函數(shù)更容易，不需要復(fù)雜的堆棧和變量結(jié)構(gòu)配置，大大簡(jiǎn)化了復(fù)雜的軟件設(shè)計(jì)，縮短了項(xiàng)目開(kāi)發(fā)周期。
標(biāo)簽： COrtex-M MDK RTX 多任務(wù)
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：Yue Zhong
摘要: 介紹了時(shí)鐘分相技術(shù)并討論了時(shí)鐘分相技術(shù)在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的作用。 關(guān)鍵詞: 時(shí)鐘分相技術(shù); 應(yīng)用 中圖分類號(hào): TN 79 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào): 025820934 (2000) 0620437203 時(shí)鐘是高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)之一, 系統(tǒng)時(shí)鐘的性能好壞, 直接影響了整個(gè)電路的 性能。尤其現(xiàn)代電子系統(tǒng)對(duì)性能的越來(lái)越高的要求, 迫使我們集中更多的注意力在更高頻率、 更高精度的時(shí)鐘設(shè)計(jì)上面。但隨著系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的升高。我們的系統(tǒng)設(shè)計(jì)將面臨一系列的問(wèn) 題。 1) 時(shí)鐘的快速電平切換將給電路帶來(lái)的串?dāng)_(Crosstalk) 和其他的噪聲。 2) 高速的時(shí)鐘對(duì)電路板的設(shè)計(jì)提出了更高的要求: 我們應(yīng)引入傳輸線(T ransm ission L ine) 模型, 并在信號(hào)的匹配上有更多的考慮。 3) 在系統(tǒng)時(shí)鐘高于100MHz 的情況下, 應(yīng)使用高速芯片來(lái)達(dá)到所需的速度, 如ECL 芯 片, 但這種芯片一般功耗很大, 再加上匹配電阻增加的功耗, 使整個(gè)系統(tǒng)所需要的電流增大, 發(fā) 熱量增多, 對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和集成度有不利的影響。 4) 高頻時(shí)鐘相應(yīng)的電磁輻射(EM I) 比較嚴(yán)重。 所以在高速數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)中對(duì)高頻時(shí)鐘信號(hào)的處理應(yīng)格外慎重, 盡量減少電路中高頻信 號(hào)的成分, 這里介紹一種很好的解決方法, 即利用時(shí)鐘分相技術(shù), 以低頻的時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)高頻的處 理。 1 時(shí)鐘分相技術(shù) 我們知道, 時(shí)鐘信號(hào)的一個(gè)周期按相位來(lái)分, 可以分為360°。所謂時(shí)鐘分相技術(shù), 就是把 時(shí)鐘周期的多個(gè)相位都加以利用, 以達(dá)到更高的時(shí)間分辨。在通常的設(shè)計(jì)中, 我們只用到時(shí)鐘 的上升沿(0 相位) , 如果把時(shí)鐘的下降沿(180°相位) 也加以利用, 系統(tǒng)的時(shí)間分辨能力就可以 提高一倍(如圖1a 所示)。同理, 將時(shí)鐘分為4 個(gè)相位(0°、90°、180°和270°) , 系統(tǒng)的時(shí)間分辨就 可以提高為原來(lái)的4 倍(如圖1b 所示)。 以前也有人嘗試過(guò)用專門的延遲線或邏輯門延時(shí)來(lái)達(dá)到時(shí)鐘分相的目的。用這種方法產(chǎn)生的相位差不夠準(zhǔn)確, 而且引起的時(shí)間偏移(Skew ) 和抖動(dòng) (J itters) 比較大, 無(wú)法實(shí)現(xiàn)高精度的時(shí)間分辨。 近年來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展, 使高質(zhì)量的分相功能在一 片芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)成為可能, 如AMCC 公司的S4405, CY2 PRESS 公司的CY9901 和CY9911, 都是性能優(yōu)異的時(shí)鐘 芯片。這些芯片的出現(xiàn), 大大促進(jìn)了時(shí)鐘分相技術(shù)在實(shí)際電 路中的應(yīng)用。我們?cè)谶@方面作了一些嘗試性的工作: 要獲得 良好的時(shí)間性能, 必須確保分相時(shí)鐘的Skew 和J itters 都 比較小。因此在我們的設(shè)計(jì)中, 通常用一個(gè)低頻、高精度的 晶體作為時(shí)鐘源, 將這個(gè)低頻時(shí)鐘通過(guò)一個(gè)鎖相環(huán)(PLL ) , 獲得一個(gè)較高頻率的、比較純凈的時(shí)鐘, 對(duì)這個(gè)時(shí)鐘進(jìn)行分相, 就可獲得高穩(wěn)定、低抖動(dòng)的分 相時(shí)鐘。 這部分電路在實(shí)際運(yùn)用中獲得了很好的效果。下面以應(yīng)用的實(shí)例加以說(shuō)明。2 應(yīng)用實(shí)例 2. 1 應(yīng)用在接入網(wǎng)中 在通訊系統(tǒng)中, 由于要減少傳輸 上的硬件開(kāi)銷, 一般以串行模式傳輸 圖3 時(shí)鐘分為4 個(gè)相位 數(shù)據(jù), 與其同步的時(shí)鐘信號(hào)并不傳輸。 但本地接收到數(shù)據(jù)時(shí), 為了準(zhǔn)確地獲取 數(shù)據(jù), 必須得到數(shù)據(jù)時(shí)鐘, 即要獲取與數(shù) 據(jù)同步的時(shí)鐘信號(hào)。在接入網(wǎng)中, 數(shù)據(jù)傳 輸?shù)慕Y(jié)構(gòu)如圖2 所示。 數(shù)據(jù)以68MBös 的速率傳輸, 即每 個(gè)bit 占有14. 7ns 的寬度, 在每個(gè)數(shù)據(jù) 幀的開(kāi)頭有一個(gè)用于同步檢測(cè)的頭部信息。我們要找到與它同步性好的時(shí)鐘信號(hào), 一般時(shí)間 分辨應(yīng)該達(dá)到1ö4 的時(shí)鐘周期。即14. 7ö 4≈ 3. 7ns, 這就是說(shuō), 系統(tǒng)時(shí)鐘頻率應(yīng)在300MHz 以 上, 在這種頻率下, 我們必須使用ECL inp s 芯片(ECL inp s 是ECL 芯片系列中速度最快的, 其 典型門延遲為340p s) , 如前所述, 這樣對(duì)整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)很多的困擾。 我們?cè)谶@里使用鎖相環(huán)和時(shí)鐘分相技術(shù), 將一個(gè)16MHz 晶振作為時(shí)鐘源, 經(jīng)過(guò)鎖相環(huán) 89429 升頻得到68MHz 的時(shí)鐘, 再經(jīng)過(guò)分相芯片AMCCS4405 分成4 個(gè)相位, 如圖3 所示。 我們只要從4 個(gè)相位的68MHz 時(shí)鐘中選擇出與數(shù)據(jù)同步性最好的一個(gè)。選擇的依據(jù)是: 在每個(gè)數(shù)據(jù)幀的頭部(HEAD) 都有一個(gè)8bit 的KWD (KeyWord) (如圖1 所示) , 我們分別用 這4 個(gè)相位的時(shí)鐘去鎖存數(shù)據(jù), 如果經(jīng)某個(gè)時(shí)鐘鎖存后的數(shù)據(jù)在這個(gè)指定位置最先檢測(cè)出這 個(gè)KWD, 就認(rèn)為下一相位的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)的同步性最好(相關(guān))。 根據(jù)這個(gè)判別原理, 我們?cè)O(shè)計(jì)了圖4 所示的時(shí)鐘分相選擇電路。 在板上通過(guò)鎖相環(huán)89429 和分相芯片S4405 獲得我們所要的68MHz 4 相時(shí)鐘: 用這4 個(gè) 時(shí)鐘分別將輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行移位, 將移位的數(shù)據(jù)與KWD 作比較, 若至少有7bit 符合, 則認(rèn)為檢 出了KWD。將4 路相關(guān)器的結(jié)果經(jīng)過(guò)優(yōu)先判選控制邏輯, 即可輸出同步性最好的時(shí)鐘。這里, 我們運(yùn)用AMCC 公司生產(chǎn)的 S4405 芯片, 對(duì)68MHz 的時(shí)鐘進(jìn)行了4 分 相, 成功地實(shí)現(xiàn)了同步時(shí)鐘的獲取, 這部分 電路目前已實(shí)際地應(yīng)用在某通訊系統(tǒng)的接 入網(wǎng)中。 2. 2 高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用 高速、高精度的模擬- 數(shù)字變換 (ADC) 一直是高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的關(guān)鍵部 分。高速的ADC 價(jià)格昂貴, 而且系統(tǒng)設(shè)計(jì) 難度很高。以前就有人考慮使用多個(gè)低速 圖5 分相技術(shù)應(yīng)用于采集系統(tǒng) ADC 和時(shí)鐘分相, 用以替代高速的ADC, 但由 于時(shí)鐘分相電路產(chǎn)生的相位不準(zhǔn)確, 時(shí)鐘的 J itters 和Skew 比較大(如前述) , 容易產(chǎn)生較 大的孔徑晃動(dòng)(Aperture J itters) , 無(wú)法達(dá)到很 好的時(shí)間分辨。 現(xiàn)在使用時(shí)鐘分相芯片, 我們可以把分相 技術(shù)應(yīng)用在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中: 以4 分相后 圖6 分相技術(shù)提高系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集率 的80MHz 采樣時(shí)鐘分別作為ADC 的 轉(zhuǎn)換時(shí)鐘, 對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行采樣, 如圖5 所示。 在每一采集通道中, 輸入信號(hào)經(jīng)過(guò) 緩沖、調(diào)理, 送入ADC 進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換, 采集到的數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器(M EM )。各個(gè) 采集通道采集的是同一信號(hào), 不過(guò)采樣 點(diǎn)依次相差90°相位。通過(guò)存儲(chǔ)器中的數(shù) 據(jù)重組, 可以使系統(tǒng)時(shí)鐘為80MHz 的采 集系統(tǒng)達(dá)到320MHz 數(shù)據(jù)采集率(如圖6 所示)。 3 總結(jié) 靈活地運(yùn)用時(shí)鐘分相技術(shù), 可以有效地用低頻時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于高頻時(shí)鐘的時(shí)間性能, 并 避免了高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中一些問(wèn)題, 降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的難度。
標(biāo)簽： 時(shí)鐘 分相 技術(shù)應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-12-17
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緒論 3線性及邏輯器件新產(chǎn)品優(yōu)先性計(jì)算領(lǐng)域4PCI Express®多路復(fù)用技術(shù)USB、局域網(wǎng)、視頻多路復(fù)用技術(shù)I2C I/O擴(kuò)展及LED驅(qū)動(dòng)器RS-232串行接口靜電放電(ESD)保護(hù)服務(wù)器/存儲(chǔ)10GTL/GTL+至LVTTL轉(zhuǎn)換PCI Express信號(hào)開(kāi)關(guān)多路復(fù)用I2C及SMBus接口RS-232接口靜電放電保護(hù)消費(fèi)醫(yī)療16電源管理信號(hào)調(diào)節(jié)I2C總線輸入/輸出擴(kuò)展電平轉(zhuǎn)換靜電放電保護(hù) 手持設(shè)備22電平轉(zhuǎn)換音頻信號(hào)路由I2C基帶輸入/輸出擴(kuò)展可配置小邏輯器件靜電放電保護(hù)鍵區(qū)控制娛樂(lè)燈光顯示USB接口工業(yè)自動(dòng)化31接口——RS-232、USB、RS-485/422繼電器及電機(jī)控制保持及控制：I2C I/O擴(kuò)展信號(hào)調(diào)節(jié)便攜式工業(yè)（掌上電腦/掃描儀） 36多路復(fù)用USB外設(shè)卡接口接口—RS-232、USB、RS-485/422I2C控制靜電放電保護(hù) 對(duì)于任意外部接口連接器的端口來(lái)說(shuō)，靜電放電的沖擊一直是對(duì)器件可靠性的威脅。許多低電壓核心芯片或系統(tǒng)級(jí)的特定用途集成電路(ASIC)提供了器件級(jí)的人體模型(HBM)靜電放電保護(hù)，但無(wú)法應(yīng)付系統(tǒng)級(jí)的靜電放電。一個(gè)卓越的靜電放電解決方案應(yīng)該是一個(gè)節(jié)省空間且經(jīng)濟(jì)高效的解決方案，可保護(hù)系統(tǒng)的相互連接免受外部靜電放電的沖擊。
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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PROTEL上電子元件圖的繪制
上傳時(shí)間： 2013-11-02
上傳用戶：xlcky
書(shū)上永遠(yuǎn)學(xué)不到的接插件知識(shí)（附電路圖詳解）
上傳時(shí)間： 2014-01-22
上傳用戶：大灰狼123456
最新的HDMI I.3（高清晰度多媒體接口1.3）標(biāo)準(zhǔn)把以前的HDMI 1.0 - 1.2標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的數(shù)據(jù)傳送速度提高了一倍，每對(duì)差動(dòng)信號(hào)線的速度達(dá)到3.4 Gbps。由于數(shù)據(jù)傳送速度這么高，要求電路板的電容小，確保信號(hào)的素質(zhì)很好，這給電路板的設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。在解決這個(gè)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)可靠的靜電放電（ESD）保護(hù)時(shí)，這點(diǎn)尤其重要。在HDMI系統(tǒng)設(shè)計(jì)中增加ESD保護(hù)時(shí)，如果選用合適的辦法，就可以把問(wèn)題簡(jiǎn)化。泰科電子的ESD和過(guò)電流保護(hù)參考設(shè)計(jì)，符合3.4 GHz的HDMI 1.3規(guī)范，達(dá)到IEC 61000-4-2關(guān)于ESD保護(hù)的要求，并且可以優(yōu)化電路板的空間，所有這些可以幫助設(shè)計(jì)人員減少風(fēng)險(xiǎn)。本文探討在HDMI 1.3系統(tǒng)中設(shè)計(jì)ESD保護(hù)的要求和容易犯的錯(cuò)誤。 概述 在高清晰度視頻系統(tǒng)中增加ESD保護(hù)，提出了許多復(fù)雜而且令人為難的問(wèn)題，這會(huì)增加成本，會(huì)延長(zhǎng)產(chǎn)品上市的時(shí)間。人們?cè)谶x擇ESD保護(hù)方案時(shí)，往往是根據(jù)解決這個(gè)問(wèn)題的辦法實(shí)現(xiàn)起來(lái)是否容易。不過(guò)，最簡(jiǎn)單的辦法也許不可能提供充分的ESD保護(hù)，或者在電路板上占用的空間不能讓人最滿意。有些時(shí)候，在開(kāi)始時(shí)看上去是解決ESD保護(hù)問(wèn)題的最好辦法，到了后來(lái)，會(huì)發(fā)現(xiàn)需要使用多種電路板材來(lái)保證時(shí)基信號(hào)達(dá)到要求。在實(shí)現(xiàn)一個(gè)充分的靜電放電保護(hù)時(shí)，往往需要在尺寸、靜電放電保護(hù)的性能以及實(shí)現(xiàn)起來(lái)是否容易這幾方面進(jìn)行折衷。一直到現(xiàn)在仍然是這樣。
標(biāo)簽： ESD 保護(hù)技術(shù) 白皮書(shū)
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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