1引言隨著高r能永磁材料、電力電了技術、大規模集成電路和計算機技術的發展，永同步電機PMSMD）的應用領城不擴大。由于對電機控制性能的要求越來越高，因此如何建立有效的仿真模型越來受到人們的關注。本文在分析永司步電機數學模型的基礎上，提出了一種PMSM控制系統建模的方法，在此仿真模型基礎上，可以十分便捷地實現和驗證控制算法。因此，它為分析和設計PMSM控制系統提供了有效的手段，也為實際電機控制系統的設計和調試提供了新的思路。2永磁同步電機的數學模型[]水磁同步電動機三相繞組分別為U.v.w，各相繞組平面的軸線在與轉子軸垂直的平面上，三相繞組的電壓回路方程如下；式中，U L，為各相繞組兩端的電壓14A為各相的線電流，中uoyow為相統組的總磁鏈，R為定子每相繞組的電陽：P為微外算子（d/at）.磁鏈方程為：
上傳時間： 2022-06-22
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MSPFET配置及使用KIYA 設計的TXE610P、TXE690U、TXP700U、TXE705U、TXE708U、TXE709U工具可適應MSPFET環境的編程與加密應用。MSPFET 是俄羅斯工程師發布的一款免費編程環境，支持JTAG和BSL編程、熔斷熔絲加密；支持TI 及其兼容工具。最新版本為V1.6.1007 。現在聯線PC + TX工具 + 目標板。在[Setup] 中配置通信接口，從uv 均可選擇LPT并口應用于TXE610P；從v 可選擇[TIUSB] 接口應用TXE690U、TXE705U、TXE708U、TXE709U；選w 可應用于TXE690U、TXP700U。點應用筆記查看關于MSPFET環境特別注意事項。從
上傳時間： 2022-06-22
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這包 BSP 支持了NUC970 系列芯片. 新唐科技的 NUC970 系列芯片是以 ARM926EJS 為核心的系統級單芯片. 包含了 16kB I-Cache 以及 16kB D-Cache 以及MMU 記憶體管理模塊. 最高支援到 300MHz 的頻率, 並且提供了豐富的外設接口周邊. 有USB 快速Host/Device, SDHC, 支援TFT LCD介面, 網路接口 和I2S audio介面, 有11 組UART…等. 並可以由 NAND flash, SPI Flash 開機.
標簽： NUC970
上傳時間： 2022-06-23
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ITU-T的H.323標準[1規定了如何在沒有QoS保證的分組網上實現多媒體通信的具體技術要求和規程，它為在IP網絡上進行聲音、視頻和數據通信建立了基礎。因為，目前IP網絡不能完全滿足會議系統所要求的多點對多點通信控制功能，需要有多點控制單元MCU處理多點視聽信號的分配、切換和管理。在Internet迅速發展和PC極為普及且性能較高的背景下，基于PC和IP網絡的桌面型視頻會議將有較好的應用前景。整個系統包括：終端、網關、網守和MCU，都是基于PC和Windows系統用VC+ +實現的。1 MCU的總體設計MCU支持同時舉行多個會議，會議的個數沒有限制，每個會議可以接入多個終端。MCU可接入終端的數量理論上只限制于Windows操作系統下可使用的SOCKET端口的數量，實際上主要的限制在于MCU接入的網絡帶寬和MCU主機的處理能力如CPU、內存等。
標簽： mcu
上傳時間： 2022-06-26
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能產生幅值相等、頻，相等、姐位互差120。電勢的發電機稱為三相發t機：以三相發電機作為t遊，稱為三相電源；以三相電源供電的t路，稱為三相電路；U，v.w稱為三相，相與相之間的，壓是線電壓，電壓為380V：相與中性線之間稱為相電壓，電壓是220V.1，三相電源與單相電源的區別：發電機發出的電源都是三相的，三相電源的每一相與其中性點都可以構成一個單相回路為用戶提供電力能源。注意在這里交流回路中不能稱做正極或負極，應該叫線端（民用電中稱火線）和中性線（民用電中稱零線）.2，按照規定，380伏（三相）的民用電源的中性點是不應該在進戶端接地的（在變壓器端接地，這個接地是考慮到不能因懸浮點位造成高于電源電壓的點位，用戶端的接地與變壓器端的接地在大地中是存在一定的電阻的），供電方式是一根火線和一根零線（中性點引出線）構成回路，在單相三芯的電源插孔中還接有一根接地線，這是考慮到漏電保護器功能的實現，（漏電保護器的工作原理是：如果有人體觸摸到電源的線端即火線，或電器設備內部漏電，這時電流從火線通過人體或電器設備外殼流入大地，而不流經零線，火線和零線的電流就會不相等，漏電保護器檢測到這部分電流差別后立刻跳間保護人身和電器的安全，一般這個差流選擇在幾十毫安）如果，把電源的中性點直接接地（這在民用電施工中是不允許的），漏電保護器就失去了作用，不能保護人身和電器設備的短路了.
標簽： 三相電
上傳時間： 2022-06-26
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<h2>原理圖schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（pmos）和nmos4（pmos4）兩種nmos（pmos）。其中nmos（pmos）表示襯底（B）和源極（S）相連。mos和mos4能調整的屬性不同，如圖：本例中要設置mos管的W-0.18u，L=0.18u，選用nmos4和pmos4.<h3>布線<h3>如圖1，其中，mos管Gate靠近的那一極好像是 Source，所以PMOS要ctrl+R，ctrl+R，Ctr+.2，注意加電路名稱，功能（如果需要），參數設定。<h2>封裝<h2>電路設計采用層次化的方式，為了上層電路的調用，往往把底層的電路做好后進行封裝，其實進行封裝不僅有利于上層電路調用，還有利于測試。建一個New Symbol，該Symbol里的pin的名稱必須和封裝電路中的一樣。ctrl + A（Attribute Editor中Symbol Type選Block，其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意：令.asy和.asc文件命名相同，并放在一個文件夾下即可，不需特別關聯。
上傳時間： 2022-06-27
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系統原理說明：結構上，該逆變器采用模塊化的設計思想，分別為升壓模塊、逆變模塊、低通濾波器等。通過升壓模塊M1進行DC/DC變化，將輸入110VDC電壓轉換350VDC，然后通過逆變模塊M2進行DC/AC變換，輸出三相200VAC的SPWM波，最后經過輸出濾波器濾波后輸出三相200V正弦波。逆變器僅在緊急情況下使用，系統上采用了簡潔、可靠的設計思想，對外接口只有電壓110V輸入一組，3相交流輸出一組，啟動信號一組和故障指示一組，見圖2:110V+為110V電源輸入正極；110VG為110V電源輸入負極；START1與START2為緊急逆變器啟動控制；FAULT1與FAULT2為緊急逆變器故障報警信號端口；U、V、W為逆變器的3相200V輸出端。逆變器長期處于冷待機狀態，當接收到啟動信號之后，緊急逆變器開始工作。當空調主電源無法為空調提供電源的時候，地鐵車輛內的控制器將吸合內部的無源觸頭作為緊急逆變器的啟動信號（即圖2中START1與START2閉合導通時，緊急逆變器啟動）。緊急逆變器啟動信號回路形成后，如果輸入電壓正常、逆變器無故障時，緊急逆變器將在20s內完成啟動并開始穩定工作。緊急逆變器正常工作時，故障報警觸點處于吸合狀態；緊急逆變器出現故障時，三相輸出停止，故障報警觸點斷開。（即：正常時，FAULT1與FAULT2閉合導通；故障時，FAULT1與FAULT2開路。）
上傳時間： 2022-07-01
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程序：LCD12664液晶顯示原理unsigned int/W/圖形編碼，也可以把圖形代碼存為頭文件。該程序經過調試。PROTEUS原理圖見截圖unsigned char code table1[][64]={/*-調入了一幅圖像：D:\Desktop\新建文件夾（2）l.bmp--*//*-寬度x高度=128×64一*材0x00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0x80，0x80，0xD0，0XE0，0XE0，0xC0，0xF0，0xF8，OXF C，0xF8，0xF8，0xB8，0x3C，0x78，0XFO，0XFA，0XFC，0XFC，0xCC，Ox1E，0X3C，OxF8，0xF0，0XE0，0x DO，0×00，0x80，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0x00，0x00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0x00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0x00，0×00，0×00，0×00，0x00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0x00，0x00，0x00，0×00，0x00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0×00，0x00，0×00，0×00，0x00，0×00，0×00，
上傳時間： 2022-07-04
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影響共面波導特性阻抗的主要因素有，基材介電常數（通常為 4.2～4.6，這里取 4.4）、信號層與參考地間距 H、線寬 W、對地間隙 S、銅皮厚度 T。表 1 列出了不同信號層與參考地間距 H 和銅皮厚度 T=0.035mm時，50 歐姆特性阻抗對應的線寬 W 及對地間隙 S 推薦值：表 1：不同信號層與參考地間距所對應的 50 歐姆共面波導線寬及對地間距推薦值如果是 2 層板，信號層為 Top 層，參考地為 Bottom 層，如下圖 3。如果是 4 層板，參考地可以是第 2層、第 3 層或者第 4 層。若參考地是第 3 層，信號層正下方第 2 層要禁鋪，禁鋪區域的寬度至少是信號線寬的 5 倍，如下圖 4。若參考地是第 4 層，信號層正下方第 2 層和第 3 層都要禁鋪，禁鋪區域的寬度至少是信號線寬的 5 倍，如下圖 5。如果是 6 層板以上以此類推。
標簽： 射頻
上傳時間： 2022-07-17
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半導體器件物理考試考試范圍 現更改為Physics of Semiconductor Devices/Third Edition，S. M. Sze， KWOK K.NG， John Wiley & Sons，2006 半導體器件物理，施 敏，伍國玨，西安交通大學出版社，2010。
標簽： 半導體器件
上傳時間： 2022-07-23
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