開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)資料
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源 設(shè)計(jì)實(shí)例 調(diào)試
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：李哈哈哈
線性卷積和線性相關(guān)的FFT算法：一 實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1：掌握FFT基2時(shí)間（或基2頻率）抽選法，理解其提高減少乘法運(yùn)算次數(shù)提高運(yùn)算速度的原理。 2：掌握FFT圓周卷積實(shí)現(xiàn)線性卷積的原理 二 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及要求 1.對(duì)N=2048或4096點(diǎn)的離散時(shí)間信號(hào)x(n)，試用Matlab語(yǔ)言編程分別以DFT和FFT計(jì)算N個(gè)頻率樣值X(k), 比較兩者所用時(shí)間的大小。 2.對(duì)N/2點(diǎn)長(zhǎng)的x(n)和N/2點(diǎn)長(zhǎng)的h(n)，試用Matlab語(yǔ)言編程實(shí)現(xiàn)以圓周卷積代替線性卷積，并比較圓周卷積法和直接計(jì)算線性卷積兩者的運(yùn)算速度。 三預(yù)做實(shí)驗(yàn) 1.FFT與DFT計(jì)算時(shí)間的比較 （1）FFT提高運(yùn)算速度的原理 （2）實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與結(jié)論 2.圓周卷積代替線性卷積的有效性實(shí)驗(yàn) （1）圓周卷積代替線性卷積的原理 （2）實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和結(jié)論 FFT提高運(yùn)算速度的原理 FFT算法將長(zhǎng)序列的DFT分解為短序列的DFT。N點(diǎn)的DFT先分解為2個(gè)N/2點(diǎn)的DFT，每個(gè)N/2點(diǎn)的DFT又分解為N/4點(diǎn)的DFT，等等。最小變換的點(diǎn)數(shù)即所謂的“基數(shù)”。因此，基數(shù)為2的FFT算法的最小變換（或稱蝶型）是2點(diǎn)的DFT。一般地，對(duì)N點(diǎn)FFT，對(duì)應(yīng)于N個(gè)輸入樣值，有N個(gè)頻域樣值與之對(duì)應(yīng)。
上傳時(shí)間： 2013-10-26
上傳用戶：erkuizhang
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
隨著我國(guó)通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來(lái)越大，系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來(lái)越重要。在中國(guó)通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國(guó)家，各大通信運(yùn)營(yíng)商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。
標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景
上傳時(shí)間： 2014-03-24
上傳用戶：alan-ee
當(dāng)今電子系統(tǒng)如高端處理器及記憶體，對(duì)電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應(yīng)用。同時(shí)、對(duì)負(fù)載的反應(yīng)速度也要提高。因此功率系統(tǒng)工程師要面對(duì)的挑戰(zhàn)，是要設(shè)計(jì)出符合系統(tǒng)要求的細(xì)小、價(jià)廉但高效率的電源系統(tǒng)。而這些要求都不是傳統(tǒng)功率架構(gòu)能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(gòu)(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉(zhuǎn)換方案，應(yīng)付以上提及的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。這些功率元件稱為V•I晶片。
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶：yan2267246
TLC2543是TI公司的12位串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器，使用開(kāi)關(guān)電容逐次逼近技術(shù)完成A/D轉(zhuǎn)換過(guò)程。由于是串行輸入結(jié)構(gòu)，能夠節(jié)省51系列單片機(jī)I/O資源；且價(jià)格適中，分辨率較高，因此在儀器儀表中有較為廣泛的應(yīng)用。 TLC2543的特點(diǎn) （1）12位分辯率A/D轉(zhuǎn)換器； （2）在工作溫度范圍內(nèi)10μs轉(zhuǎn)換時(shí)間； （3）11個(gè)模擬輸入通道； （4）3路內(nèi)置自測(cè)試方式； （5）采樣率為66kbps； （6）線性誤差±1LSBmax； （7）有轉(zhuǎn)換結(jié)束輸出EOC； （8）具有單、雙極性輸出； （9）可編程的MSB或LSB前導(dǎo)； （10）可編程輸出數(shù)據(jù)長(zhǎng)度。 TLC2543的引腳排列及說(shuō)明 TLC2543有兩種封裝形式：DB、DW或N封裝以及FN封裝，這兩種封裝的引腳排列如圖1，引腳說(shuō)明見(jiàn)表1 TLC2543電路圖和程序欣賞 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double sum_final1; double sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; void delay(unsigned char b) //50us { unsigned char a; for(;b>0;b--) for(a=22;a>0;a--); } void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) { P0=duan[a]|0x80; P2=wei[0]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[b]; P2=wei[1]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[c]; P2=wei[2]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[d]; P2=wei[3]; delay(5); P2=0xff; } uint read(uchar port) { uchar i,al=0,ah=0; unsigned long ad; clock=0; _cs=0; port<<=4; for(i=0;i<4;i++) { d_in=port&0x80; clock=1; clock=0; port<<=1; } d_in=0; for(i=0;i<8;i++) { clock=1; clock=0; } _cs=1; delay(5); _cs=0; for(i=0;i<4;i++) { clock=1; ah<<=1; if(d_out)ah|=0x01; clock=0; } for(i=0;i<8;i++) { clock=1; al<<=1; if(d_out) al|=0x01; clock=0; } _cs=1; ad=(uint)ah; ad<<=8; ad|=al; return(ad); } void main() { uchar j; sum=0;sum1=0; sum_final=0; sum_final1=0; while(1) { for(j=0;j<128;j++) { sum1+=read(1); display(a1,b1,c1,d1); } sum=sum1/128; sum1=0; sum_final1=(sum/4095)*5; sum_final=sum_final1*1000; a1=(int)sum_final/1000; b1=(int)sum_final%1000/100; c1=(int)sum_final%1000%100/10; d1=(int)sum_final%10; display(a1,b1,c1,d1); } }
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：shen1230
HT45F23 MCU 為用戶提供兩組獨(dú)立的比較器，並都由軟體控制，輸入輸出口安排靈活，均 與I/O 共用引腳。本文著重介紹HT45F23 比較器的功能使用的相關(guān)設(shè)定與應(yīng)用方式。
標(biāo)簽： Comparator 45F F23 HT
上傳時(shí)間： 2013-10-16
上傳用戶：songkun
HT45F23 MCU 含有兩個(gè)運(yùn)算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號(hào)處理，通 過(guò)控制暫存器，OPA 相關(guān)的應(yīng)用可以很容易實(shí)現(xiàn)。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設(shè)定 以及基本OPA 應(yīng)用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運(yùn)算放大器OPA1/OPA2 具有多個(gè)開(kāi)關(guān)，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此 外OPA2 內(nèi)部有8 種增益選項(xiàng)，直接通過(guò)軟體設(shè)定。適應(yīng)於各種廣泛的應(yīng)用。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：immanuel2006
適用于51單片機(jī)的串口發(fā)n
標(biāo)簽： 51單片機(jī) 串口 字節(jié)
上傳時(shí)間： 2014-12-25
上傳用戶：qingzhuhu
89c51一種用N+1條線實(shí)現(xiàn)矩陣鍵盤
標(biāo)簽： 矩陣鍵盤
上傳時(shí)間： 2014-12-26
上傳用戶：lhw888
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