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430各模塊例程包

主要講430單片機(jī)各模塊學(xué)習(xí)經(jīng)典例程，并通過例程分析，介入了對(duì)相關(guān)單片機(jī)的接軌。對(duì)各模塊代碼進(jìn)行典型分析，是具有針對(duì)性地學(xué)習(xí)選擇

標(biāo)簽： 430 模塊

上傳時(shí)間： 2013-04-24

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STM32 單片機(jī)例程

stm32 單片機(jī) 新手入門中級(jí)登記 相關(guān)例程

標(biāo)簽： STM 32 單片機(jī)

上傳時(shí)間： 2013-05-23

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多線程與多進(jìn)程的優(yōu)缺點(diǎn)比較

描述了操作系統(tǒng)中多線程和多進(jìn)程的主要優(yōu)缺點(diǎn)，對(duì)于學(xué)習(xí)操作系統(tǒng)有很好幫助。

標(biāo)簽： 多線程 進(jìn)程 比較

上傳時(shí)間： 2013-04-24

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2812例程以及 控制直流無刷電機(jī)程序

2812例程以及控制直流無刷電機(jī)程序ICETEK-F2812-BCM：該文件夾里有個(gè)在DSP_F2812平臺(tái)下建立起來的無刷直流電機(jī)顯式模型預(yù)測控制的實(shí)驗(yàn)工程，路徑是\ICETEK-F2812-BCM\DMC31\c28\v32x\sys\Lab4-SpeedPID，可以作為學(xué)習(xí)和參考。

標(biāo)簽： 2812 控制 直流無刷電機(jī) 程序

上傳時(shí)間： 2013-04-24

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51單片機(jī)實(shí)驗(yàn)例程

51單片機(jī)開發(fā)例程，有圖片和文字說明，配合hc6800開發(fā)板使用更佳

標(biāo)簽： 51單片機(jī)實(shí)驗(yàn)

上傳時(shí)間： 2013-04-24

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FPGA開發(fā)板上自帶的LED測試?yán)?/a>

標(biāo)簽： FPGA LED 開發(fā)板 測試

上傳時(shí)間： 2013-08-13

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arm7例程：proteus的ARM學(xué)習(xí)歷程

arm7例程：proteus的ARM學(xué)習(xí)歷程，有相關(guān)的電路和仿真程序，方便初學(xué)者的仿真學(xué)習(xí)。

標(biāo)簽： proteus arm7 ARM

上傳時(shí)間： 2013-08-17

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Allegro鼠標(biāo)例程

鼠標(biāo)例程\r\n\r\ninstall_mouse \r\nremove_mouse \r\nmouse_x \r\nmouse_y \r\nmouse_b \r\nmouse_pos \r\nshow_mouse \r\nscare_mouse \r\nunscare_mouse \r\nfreeze_mouse_flag \r\nposition_mouse \r\nset_mouse_range \r\nset_mouse_speed \r\nset_mouse_sprite \r\nset_mou

標(biāo)簽： Allegro 鼠標(biāo)

上傳時(shí)間： 2013-09-06

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IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝 制程

上傳時(shí)間： 2014-01-20

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透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

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