<bdo id="qmsam"></bdo>
SIFT算法具有旋轉、平移、尺度縮放和亮度的變化保持不變性的優點，也有算法復雜、計算時間長的缺點。本文提出了以街區距離代替歐式距離的新方法，來提高SIFT特征匹配效率，縮短匹配時間，提高SIFT算法的實時性。實驗結果表明，該方法在保持圖像匹配率和算法魯棒性的同時，可以減少運算時間。
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：zhangzhenyu
自適應信號處理的理論和技術已經成為人們常用濾波和去噪技術。文中講述了自適應濾波的原理以及LMS算法和RLS算法兩種基本自適應算法的原理及步驟。并用MATLAB分別對兩種算法進行了自適應濾波仿真和實現。
上傳時間： 2013-11-26
上傳用戶：1051290259
關于multisim如何自定義元器件
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：zw380105939
基于圖形處理器單元（GPU）提出了一種幀間差分與模板匹配相結合的運動目標檢測算法。在CUDA-SIFT（基于統一計算設備架構的尺度不變特征變換）算法提取圖像匹配特征點的基礎上，優化隨機采樣一致性算法（RANSAC）剔除圖像中由于目標運動部分產生的誤匹配點，運用背景補償的方法將靜態背景下的幀間差分目標檢測算法應用于動態情況，實現了動態背景下的運動目標檢測，通過提取目標特征與后續多幀圖像進行特征匹配的方法最終實現自動目標檢測。實驗表明該方法對運動目標較小、有噪聲、有部分遮擋的圖像序列具有良好的目標檢測效果。
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：ifree2016
在本課題中，兼顧了效率及線性度，采用自適應預失真前饋復合線性化系統來改善高功率放大器的線性度。由于加入自適應控制模塊，射頻電路不受溫度、時漂、輸入功率等的影響，可始終處于較佳工作狀態，這使得整個放大系統更為實用，也更具有拓展價值。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：xauthu
負反饋放大電路之所以能夠產生自激振蕩，是因為在放大電路中存在 RC 環節。于是在放大電路的高頻或低頻段會產生附加相移DjAF ，如DjAF的足夠大，使負反饋變成正反饋。
上傳時間： 2014-01-26
上傳用戶：lizhen9880
【開源】線性CCD自適應性算法攻略
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：forzalife
要想獲得最低的失調和漂移性能，斬波穩定(自穩零)放大器可能是唯一的解決方案。最好的雙極性放大器的失調電壓為25 V，漂移為0.1 V/ºC。斬波放大器盡管存在一些不利影響，但可提供低于5 V的失調電壓，而且不會出現明顯的失調漂移，
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：z754970244
Protel 自定義Title Block方法
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：yl1140vista
Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配.下面以一個電路設計為例，簡單介紹一下PCB仿真軟件在設計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設計)，其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度，低8bit還經過3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高，設計過程中我們需要考慮DRAM的數據、地址和控制線是否需加串阻。下面，我們以數據線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面，我們開始導入主芯片DSP的數據線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標志，出現未知管腳，然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術論壇 http://www.elecfans.com 電子發燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣，一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數據線對應管腳和3245的對應管腳IBIS模型加上(DSP輸出，3245高阻，DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線，增添傳輸線，然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板，在表層走線，所以要選用“Microstrip”，然后點“Value”進行屬性編輯。這里，我們要編輯一些PCB的屬性，布線長度、寬度和層間距等，屬性編輯界面如下：再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch，對線長為1.7inch)。現在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了，按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭：為發現更多的信息，我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M，數據單沿采樣，數據翻轉最高頻率為66.7M，對應位寬為7.58ns。所以設置參數如下：之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關心的是接收端(DRAM)信號，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V，輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信號(不長于3ns)：按下邊紅線路徑配置眼圖模板：低8位數據線沒有串阻可以滿足設計要求，而其他的56位都是一對一，經過仿真沒有串阻也能通過。于是數據線不加串阻可以滿足設計要求，但有一點需注意，就是寫數據時因為存在回沖，DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導致電平判決裕量較小，抗干擾能力差一些，如果調試過程中發現寫RAM會出錯，還需要改版加串阻。
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：dudu121
<input id="4i6gy"></input>