電源管理芯片選用思考 • 選用生產工藝成熟、品質優秀的生產廠家產品; • 選用工作頻率高的芯片,以降低成本周邊電路的應用成本; • 選用封裝小的芯片,以滿足便攜產品對體積的要求; • 選用技術支持好的生產廠家,方便解決應用設計中的問題; • 選用產品資料齊全、樣品和DEMO 申請用易、能大量供貨的芯片; • 選用產品性能/價格比好的芯片;
上傳時間： 2014-01-12
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DM11C 是專為LED 顯示應用所設計的沈入電流式恒流驅動芯片。內建移位緩存器，數據鎖存器，以及恒流電路組件于硅CMOS 芯片上。8 個輸出通道的電流可由一外掛電阻調整。內建開/短路偵測電路組件幫助使用者偵測LED 異常(開路與短路)。系統可藉由讀回串行輸出端的偵測數據與原始數據進行比對以判定哪一通道發生異常。過溫斷電功能則可保護芯片避免在高溫環境使用下而毀損
上傳時間： 2013-11-09
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本發明的LED 光源包含矩形的LED 芯片和內藏該芯片的透明樹脂封裝體。樹脂封裝體具有用于將LED 芯片發出的光射出到封裝體的外部的鏡界面。
上傳時間： 2013-12-14
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什么是DC/DC 轉換器? 什么是DC(Direct Current)呢?它表示的是直流電源，諸如干電池或車載電池之類。家庭用的100V電源是交流電源(AC) 。若通過一個轉換器能將一個直流電壓(3.0V)轉換成其他的直流電壓(1.5V或5.0V)，這個轉換器被稱為DC/DC轉換器或稱之為開關電源或開關調整器。 DC/DC轉換器一般由控制芯片，電感線圈，二極管，三極管，電容器構成。 DC/DC轉換器為轉變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉換器。DC/DC轉換器分為三類：升壓型DC/DC轉換器、降壓型DC/DC轉換器以及升降壓型DC/DC轉換器。根據需求可采用三類控制。PWM控制型效率高并具有良好的輸出電壓紋波和噪聲。PFM控制型即使長時間使用，尤其小負載時具有耗電小的優點。PWM/PFM轉換型小負載時實行PFM控制，且在重負載時自動轉換到PWM控制。目前DC-DC轉換器廣泛應用于手機、MP3、數碼相機、便攜式媒體播放器等產品中。
上傳時間： 2014-12-24
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摘要:簡述了在系統可編程電源管理芯片ispPAC-POWER1208的結構、功能和開發環境PAC-De2signer,給出了基于該器件的多電壓系統的電源管理應用實例,并主要討論了電源時序管理和監控的實現,比較了對供電異常情況處理的兩種方法,同時簡要介紹了設計仿真。該器件可使多電壓供電系統的設計大為簡化,縮短開發時間。 關鍵詞:可編程邏輯器件;電源管理;多電壓供電;時序
上傳時間： 2013-12-29
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符合全球標準的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導軌安裝• 安全標準 ： UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上傳時間： 2014-04-17
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DM634 16通道LED恒流驅動芯片可編程PWM輸出
上傳時間： 2013-11-04
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AC通用輸入(100~240V AC)全球對應型電源1
上傳時間： 2014-04-15
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本文針對6KV中壓電網三相平衡負載的無功功率補償，結合二極管箝位多電平逆變器和H橋級聯多電平逆變器的特點，提出了一種能夠直接并入電網的新型主從式的逆變器結構：主逆變器采用二極管箝位三電平逆變器，從逆變器采用三個H橋(即全橋)逆變器。主逆變器和H橋逆變器采用級聯的形式連接，最后構成一個五電平的混聯逆變器。從逆變器負責產生一個方波電壓，構成輸礎正弦電壓的基本成分：主逆變器產生輸出電壓的補償部分以及負責消除低次諧波。對于主逆變器直流側電容電壓的平衡問題，本文提出了一種采用硬件電路平衡的方法，從而降低了PWM調制時控制方法的復雜性。因為集成門極換相晶閘管(IGCT)這種新型電力電子器件具有開關頻率高、無緩沖電路、耐壓高等優點，主電路選用IGCT作為開關器件。本文詳細分析了用于STATCOM的主從型逆變器電路結構，同時給出了電路參數的確定方法，并對STATCOM逆變器輸出電壓的諧波進行了理論分析。根據本文提出的主從型逆交器結構特點，建立了基于瞬時無功理論的STATCOM系統動態控制模型，并給出了一種解藕反饋控制方法。最后通過仿真結果證明了所提出的這種主從型逆變器STA’rC0^I結構在消除諧波方面的優越性。
上傳時間： 2013-10-31
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采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
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