常用三星單片機(jī)燒寫電壓設(shè)置參考表
燒寫電壓說(shuō)明:Vdd 電壓指燒寫時(shí)加載到芯片Vdd 端子的邏輯電壓,Vpp 電壓指燒寫時(shí)加載到芯片Vpp(Test)端子的編程電壓, Vpp=12V 是編程器的默認(rèn)燒寫電壓,無(wú)須特別設(shè)置. 由于編程器的默認(rèn)輸出Vpp 電壓均為12V,因此在燒寫Vpp=3.3V/5.0V 的芯片時(shí),需要對(duì)燒寫轉(zhuǎn)換適配器作以下改動(dòng):將燒寫器燒寫座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在適配器上將Vdd端子直接連接Vpp 端即可.當(dāng)用戶采用在PCB板上燒寫方式時(shí),建議最好能在PCB芯片端的Vpp腳并接一個(gè)104 的電容入地,可有效保護(hù)在燒寫電壓加載時(shí)板子電路共同作用產(chǎn)生的瞬間過(guò)壓脈沖不會(huì)輸入到Vpp 腳而造成Vpp 擊穿.S3F84K4 燒寫特別說(shuō)明,由于三星半導(dǎo)體DATA SHEET 要求在對(duì)該芯片進(jìn)行燒寫時(shí),須在Vpp 腳加接一個(gè)101 的電容到地,因此在使用我站各款燒寫器燒寫84K4 時(shí),須將燒寫器主板上的Vpp 端原來(lái)并接的10uf/50V-電解電容和104 電容去掉,另行并接一個(gè)101 電容入地即可.不過(guò),據(jù)本人特別測(cè)試結(jié)果,其實(shí)不做以上處理對(duì)燒寫過(guò)程沒有任何影響, 估計(jì)可能是三星半導(dǎo)體對(duì)芯片有做過(guò)改版,老版本的84K4 才會(huì)有以上特別要求,新版本是沒有這個(gè)要求的.
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三星
單片機(jī)
燒寫
電壓設(shè)置
上傳時(shí)間：
2013-10-10
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