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薄膜硅電池

硅光電池實驗輸出光強不穩定現象的研究

摘要: 研究用內腔式He- Ne 激光器做光源時, 硅光電池實驗中光電檢流計讀數不穩定的現象。利用硅光電池分別觀測在不加偏振片、加上偏振片時內腔式He- Ne 激光器輸出的光強度, 得到激光經偏振片后輸出光強隨時間而變。利用共焦掃描干涉儀掃描出激光束的各個縱模, 實驗表明, 內腔式He- Ne 激光器每個縱模的偏振方向隨時間緩慢變化, 引起了實驗中輸出的光強變化。

標簽： 硅光電池實驗光強輸出

上傳時間： 2013-11-17

上傳用戶：ArmKing88
怎樣制備高轉換效率的太陽能薄膜

當光照較弱時漏電電阻對光電流的影響較小，而對開路電壓的影響較大當光照較強時，二極管電流遠大于漏電電流，此時并聯電阻對光電池影響較小，串聯電阻對開路電壓機會沒有影響，但對短路電流影響很大。所以要制備并聯電阻較大但串聯電阻較小的光電池，提高其填充因子FF。砷化鎵電池的旁路電阻大于1K，對輸出特情基本沒有影響，當總串聯電阻增加到5時，電池的轉換效率就要下降30%，可見串聯電阻對砷化鎵太陽能電池的影響是較大的，最近對于硅電池，要求實用化的產品的串聯電阻在0.5以下。影響太陽能電池轉換效率的一些因素主要以硅電池為例光生電流的光學損失，有三種：

標簽： 轉換效率太陽能薄膜

上傳時間： 2014-01-21

上傳用戶：離殤
代替石英晶體的硅MEMS振蕩器介紹

石英具有非凡的機械和壓電特性, 使得從19 世紀40 年代中期以來一直作為基本的時鐘器件. 盡管在陶瓷, 硅晶和RLC電路方面有60 多年的研究, 在此之前沒有哪種材料或技術能替代石英振蕩器, 鑒于其異常的溫度穩定性和相位噪聲特性. 估計2006 年將有100億顆石英振蕩器被制造出來并放置到汽車, 數碼相機, 工業設備, 游戲設備, 寬帶設備,蜂窩電話, 以及事實上每一種數字產品當中. 石英振蕩器的制造數量比地球上的人口還要多.

標簽： MEMS 石英晶體振蕩器硅

上傳時間： 2013-10-17

上傳用戶：xinshou123456
硅基片上光互連技術

硅基片上光互連技術

標簽： 硅基片光互連技術

上傳時間： 2013-12-14

上傳用戶：ysystc699
MSP40-V1.2-CHS[1]微硅壓力傳感器

MSP40-V1.2-CHS[1]微硅壓力傳感器。

標簽： MSP 1.2 CHS 40

上傳時間： 2013-11-13

上傳用戶：ddddddd
新型傳感器原理及應用pdf

書籍名稱：新型傳感器技術及應用作者：劉廣玉陳明出版社：北京航空航天大學出版社書籍來源：網友推薦文件格式：PDG 內容簡介：本書系綜合目前國內外有關文獻及作者的研究成果編著而成。主要內容有：傳感器敏感材料；微機械加工技術；傳感器建模；硅電容式集成傳感器；諧振式傳感器；聲表面波傳感器；薄膜傳感器；光纖傳感器；場效應管型化學傳感器；固態成象傳感器；Smart傳感器等十一章。從敏感材料、微機械加工技術到一些先進傳感器的設計原理、應用和發展情況作了較全面、深入的討論。前言第一章新型傳感器綜述第一節新型傳感效應第二節新型敏感材料第三節新加工工藝第二章新型固態光電傳感器第一節普通光敏器件陣列第二節自掃描光電二極管陣列 SSPD第三節光電位置傳感器 PSD第四節輸液監測中的光電傳感器第三章電荷耦合器件 CCD第一節CCD的物理基礎第二節CCD的工作原理第三節CCD器件第四節CCD在測量中的應用第四章光纖傳感器第一節光纖傳感原理第二節常見光纖傳感器第三節光纖傳感器的應用第五章集成傳感器第一節集成壓敏傳感器第二節集成溫敏傳感器第三節集成磁敏傳感器第四節集成傳感器應用實例第六章化學傳感器第一節離子敏傳感器第二節氣敏傳感器第三節濕敏傳感器第四節工業廢水拜謝的自動監測第七章機器人傳感器第一節機器人傳感器的功能與分類第二節機器人視覺傳感器第三節機器人觸覺傳感器第四節機器人接近覺傳感器第九章傳感器的信號處理第一節信號處理概述第二節傳感器的信號引出第三節信號補償電路第四節精密放大電路第十章新型傳感器在幾何量測量中的應用第一節光學透鏡心偏差的測量第二節超光滑表面微觀輪廓的測量第三節光學表面疵病度的測量附錄參考文獻

標簽： 傳感器原理

上傳時間： 2013-11-10

上傳用戶：mickey008
Linux下一種高性能定時器池的實現

提出Linux用戶空間下的一種高性能定時器池的實現方法。主要基于時間輪、紅黑樹及Linux內核提供了一種利于管理的定時器句柄Timerfd。結合紅黑樹、位圖、時間輪等技術，設計一種高性能級定時器池。池中定時器的粒度可達到40 ms，滿足用戶空間低延時的應用需求，同時又可以方便地管理一定數量的定時器。

標簽： Linux 性能定時器

上傳時間： 2014-12-29

上傳用戶：lht618
高頻硅PNP晶體管3CG120高溫失效機理研究

　　為了保證在高溫條件下，正確使用高頻硅PNP晶體管3CG120，文中對3CG120在不同溫度段的失效機理進行了研究。通過對硅PNP型晶體管3CG120進行170~340 ℃溫度范圍內序進應力加速壽命試驗，發現在170~240 ℃，240~290 ℃，以及290~340 ℃分別具有不同的失效機理，并通過分析得到了保證加速壽命試驗中與室溫相同的失效機理溫度應力范圍。

標簽： PNP 3CG 120 CG

上傳時間： 2013-10-15

上傳用戶：bensonlly
硅半導體工藝數據手冊

本書介紹了半導體器件設計和制造中用到的有關硅的一些物質性質的主要數據和公式.

標簽： 硅半導體工藝數據手冊

上傳時間： 2013-11-25

上傳用戶：erkuizhang
什么是導熱硅脂？

導熱硅脂的介紹

標簽： 導熱硅脂

上傳時間： 2014-12-04

上傳用戶：chongchong1234