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薄膜電容

  • 第三章-GE-FANUC-PLC-指令集-一-繼電器指令.pdf

    專(zhuān)輯類(lèi)-實(shí)用電子技術(shù)專(zhuān)輯-385冊(cè)-3.609G 第三章-GE-FANUC-PLC-指令集-一-繼電器指令.pdf

    標(biāo)簽: GE-FANUC-PLC 指令集 指令

    上傳時(shí)間: 2013-06-18

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  • 變?nèi)荻O管的應(yīng)用-334頁(yè)-5.3M.pdf

    專(zhuān)輯類(lèi)-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專(zhuān)輯-120冊(cè)-2.15G 變?nèi)荻O管的應(yīng)用-334頁(yè)-5.3M.pdf

    標(biāo)簽: 334 5.3 變?nèi)荻O管

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶(hù):thesk123

  • 納米粒子與納米結(jié)構(gòu)薄膜-448頁(yè)-19.6M.pdf

    專(zhuān)輯類(lèi)-微波相關(guān)專(zhuān)輯-共31冊(cè)-341M 納米粒子與納米結(jié)構(gòu)薄膜-448頁(yè)-19.6M.pdf

    標(biāo)簽: 19.6 448 納米粒子

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • KAR高精薄膜貼片系列-KAT.pdf

    專(zhuān)輯類(lèi)-元器件樣本專(zhuān)輯-116冊(cè)-3.03G KAR高精薄膜貼片系列-KAT.pdf

    標(biāo)簽: KAR KAT 薄膜

    上傳時(shí)間: 2013-06-20

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  • 拓迪電子-阻-容-三極管-二極管-12.6M.zip

    專(zhuān)輯類(lèi)-元器件樣本專(zhuān)輯-116冊(cè)-3.03G 拓迪電子-阻-容-三極管-二極管-12.6M.zip

    標(biāo)簽: 12.6 zip 電子 三極管

    上傳時(shí)間: 2013-07-19

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  • 小型DC/DC開(kāi)關(guān)電源容性負(fù)載的研究.rar

    在DC/DC開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用中,輸出負(fù)載端外接電容能起到濾波、抑制干擾的作用,在某些大容性負(fù)載動(dòng)態(tài)跳變的設(shè)備中,要求電源輸出端有快速響應(yīng),這就要求開(kāi)關(guān)電源有較強(qiáng)的帶容性負(fù)載的能力,并且有好的穩(wěn)定性能。在開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中,要充分理解并實(shí)現(xiàn)客戶(hù)負(fù)載使用的特殊要求,必須分析開(kāi)關(guān)電源容性負(fù)載能力的兩種不同狀態(tài)要求。

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源 容性負(fù)載

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶(hù):branblackson

  • (臺(tái)達(dá))開(kāi)關(guān)電源基本原理與設(shè)計(jì)介紹

    (臺(tái)達(dá))開(kāi)關(guān)電源基本原理與設(shè)計(jì)介紹,比較實(shí)用

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源

    上傳時(shí)間: 2013-06-15

    上傳用戶(hù):ybysp008

  • 基于ARM的壓電薄膜軸的車(chē)輛動(dòng)態(tài)稱(chēng)重系統(tǒng)嵌入式研究與設(shè)計(jì)

    WIM動(dòng)態(tài)稱(chēng)重系統(tǒng)的研究對(duì)于保護(hù)公路的正常使用有著非常重要的經(jīng)濟(jì)利益和社會(huì)價(jià)值。針對(duì)我國(guó)公路WIM系統(tǒng)的研究現(xiàn)狀和存在的問(wèn)題,提出了新的思路、解決辦法和改進(jìn)措施,用以提高整個(gè)WIM系統(tǒng)的各項(xiàng)性能指標(biāo)。 基于ARM的壓電薄膜軸的車(chē)輛動(dòng)態(tài)稱(chēng)重系統(tǒng)的嵌入式研究與設(shè)計(jì),致力于提高WIM系統(tǒng)精度等各項(xiàng)性能指標(biāo),其采用了高新的軟硬件技術(shù),是一個(gè)比較有研究意義的課題。 本文首先從分析稱(chēng)重原理入手,提出了一個(gè)改進(jìn)的系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)方案,在該方案的前提下,通過(guò)不斷地試驗(yàn)修改,搭建了一個(gè)基于Labview的現(xiàn)場(chǎng)模擬實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),為下一步研究和整個(gè)系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。本文所做的具體工作,概括起來(lái)有如下幾點(diǎn): 第一,簡(jiǎn)要地介紹了基于壓電薄膜軸的WIM系統(tǒng)原理、影響因素以及課題研究的意義等; 第二,給出了系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)方案,并設(shè)計(jì)了多個(gè)信號(hào)調(diào)理電路,諸如電荷放大電路,隔離電路以及濾波電路等; 第三,采用了32位的微處理器,并采用了一種比較完善的數(shù)據(jù)處理方法,提高了系統(tǒng)的軟硬件技術(shù),在此基礎(chǔ)上研究設(shè)計(jì)了基于ARM-μgC/OS-Ⅱ的WIM嵌入式系統(tǒng)平臺(tái),完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及操作系統(tǒng)移植; 最后,設(shè)計(jì)并實(shí)地進(jìn)行了一個(gè)新的試驗(yàn),即基于LabVIEW8.2的數(shù)據(jù)采集卡的現(xiàn)場(chǎng)模擬試驗(yàn),給出了試驗(yàn)結(jié)果和分析。該試驗(yàn)方便于測(cè)量與數(shù)據(jù)采集,可得到較為精準(zhǔn)的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù),為后續(xù)的數(shù)據(jù)處理打下了基礎(chǔ);

    標(biāo)簽: ARM 壓電 動(dòng)態(tài)稱(chēng)重系統(tǒng) 薄膜

    上傳時(shí)間: 2013-07-29

    上傳用戶(hù):源弋弋

  • 阻容降壓電路及計(jì)算

    在非隔離時(shí),經(jīng)常會(huì)用到阻容降壓的方式進(jìn)行供電,這樣大大節(jié)省了電路成本

    標(biāo)簽: 阻容降壓 電路 計(jì)算

    上傳時(shí)間: 2013-06-13

    上傳用戶(hù):neu_liyan

  • 數(shù)字容性隔離器的磁場(chǎng)抗擾度

    數(shù)字容性隔離器的應(yīng)用環(huán)境通常包括一些大型電動(dòng)馬達(dá)、發(fā)電機(jī)以及其他產(chǎn)生強(qiáng)電磁場(chǎng)的設(shè)備。暴露在這些磁場(chǎng)中,可引起潛在的數(shù)據(jù)損壞問(wèn)題,因?yàn)殡妱?shì)(EMF,即這些磁場(chǎng)形成的電壓)會(huì)干擾數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸。由于存在這種潛在威脅,因此許多數(shù)字隔離器用戶(hù)都要求隔離器具備高磁場(chǎng)抗擾度 (MFI)。許多數(shù)字隔離器技術(shù)都聲稱(chēng)具有高 MFI,但容性隔離器卻因其設(shè)計(jì)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)擁有幾乎無(wú)窮大的MFI。本文將對(duì)其設(shè)計(jì)進(jìn)行詳細(xì)的介紹。

    標(biāo)簽: 數(shù)字 隔離器 磁場(chǎng)抗擾度

    上傳時(shí)間: 2013-10-26

    上傳用戶(hù):litianchu

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