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虛擬激光鍵盤(pán)

  • 四軸同款傳感器方案設(shè)計(jì)ICM20602+AK8975+SPL06-001

     四軸起飛時(shí),發(fā)出觸發(fā)信號(hào)使導(dǎo)航模塊開始工作,同時(shí)讀取ICM20602的加速度計(jì)、陀螺儀數(shù)據(jù),對(duì)數(shù)據(jù)卡爾曼濾波后姿態(tài)解算,對(duì)角度與角速度采取串級(jí)PID調(diào)節(jié)。控制系統(tǒng)算法設(shè)計(jì)主要有ICM20602濾波算法,姿態(tài)解算算法、串級(jí)PID控制算法和定高部分控制算法。礙于篇幅所限,下面介紹最重要的串級(jí)PID控制算法和定高部分控制算法。地理坐標(biāo)系中重力的水平分量為零,僅用三軸陀螺儀和三軸加速度計(jì)無(wú)法計(jì)算出航向角,由于巡線機(jī)器人保持穩(wěn)定飛行只需要橫滾角(roll)和俯仰角(pitch),所以四元數(shù)轉(zhuǎn)換成歐拉角。定高控制算法采用的是增量式PID控制,定高控制的輸出最后與姿態(tài)控制的輸出疊加到四個(gè)電機(jī)的控制中。數(shù)據(jù)濾波使用的是低通濾波,采用近三次的平均值。為了防止姿態(tài)對(duì)激光測(cè)距的影響及減小高度控制對(duì)姿態(tài)控制的干擾使用歐拉角來(lái)校正高度值,即Hight=(float)Hight*(cos(roll)* cos(pitch))。將四元數(shù)轉(zhuǎn)換后的歐拉角與陀螺儀測(cè)出來(lái)的角速度進(jìn)行串級(jí)PID控制,其中歐拉角作為外環(huán),角速度作為內(nèi)環(huán)。外環(huán)的PID以及內(nèi)環(huán)的PD設(shè)定值為測(cè)試數(shù)據(jù)值。由于內(nèi)環(huán)的角速度控制不需要無(wú)靜差,所以內(nèi)環(huán)采用PD控制,為防止測(cè)量的誤差造成較大影響,外環(huán)積分需要限幅。

    標(biāo)簽: 傳感器

    上傳時(shí)間: 2022-06-24

    上傳用戶:默默

  • GaN基LED材料特性研究及芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

    本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后,從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分,介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍,然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片,包括GaN多量子阱,重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形,分析了他們對(duì)材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜,并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分,本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),分別是基于雙光子晶體的LED芯片,基于微球模型的LED芯片,基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論,蒙特卡羅理論及激光剝離理論,本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ),并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層,出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來(lái)大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。

    標(biāo)簽: led

    上傳時(shí)間: 2022-06-25

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  • 整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則

    整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則電子愛好者經(jīng)常要用二極管。二極管具有單向?qū)щ娦裕?主要用于整流、穩(wěn)壓和混頻等電路中。本文介紹整流二極管和穩(wěn)壓二極管的參數(shù)及選擇原則。(一)整流二極管的主要參數(shù)1.IF— 最大平均整流電流。指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)允許通過(guò)的最大正向平均電流。該電流由PN 結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時(shí)應(yīng)注意通過(guò)二極管的平均電流不能大于此值, 并要滿足散熱條件。例如1N4000 系列二極管的IF 為1A。2.VR — 最大反向工作電壓。指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值, 則反向電流(IR)劇增,二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模?從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB) 的一半作為(VR)。例如1N4001 的VR 為50V,1N4007 的VR 為1OOOV.3.IR— 反向電流。指二極管未擊穿時(shí)反向電流值。溫度對(duì)IR 的影響很大。例如1N4000 系列二極管在100°C 條件IR 應(yīng)小于500uA; 在25°C 時(shí)IR 應(yīng)小于5uA 。4.VR — 擊穿電壓。指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r(shí), 則指給定反向漏電流條件下的電壓值。

    標(biāo)簽: 整流二極管 穩(wěn)壓二極管

    上傳時(shí)間: 2022-06-26

    上傳用戶:xsr1983

  • 基于通用MCU的智能SFP光模塊設(shè)計(jì)

    1、引言SFP光模塊的數(shù)字診斷監(jiān)測(cè)主要是對(duì)光模塊的供電電壓、模塊溫度、偏置電流、接收光功率、發(fā)射光功率等5個(gè)模擬參量和各種監(jiān)控信號(hào)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。通過(guò)分析數(shù)字化測(cè)量結(jié)果判斷光模塊的通信工作狀況,這有利于光通信鏈路的維護(hù)目前大部分設(shè)計(jì)方案是采用MAXIM公司的DS1859,該芯片完全兼容SFF-8472協(xié)議,功能齊全,軟件編程簡(jiǎn)便,但是該芯片價(jià)格比較貴,同樣很多空間已固定,不靈活,擴(kuò)展性不好,對(duì)于以后版本的升級(jí)不方便。本方案采用一片MCU,EEPROM,數(shù)字控制電位器(DCP)替代DS1859,使用軟件編程達(dá)到滿足SFF-8472協(xié)議要求,用FLASH存儲(chǔ)A2H地址內(nèi)容以及內(nèi)外部校準(zhǔn)相結(jié)合的新校準(zhǔn)思想,具有性價(jià)比高,可靠性好,擴(kuò)展性好,校準(zhǔn)快速簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)本文首先介紹五個(gè)模擬量的一種新校準(zhǔn)原理,接若分析DDM系統(tǒng)的控制器MCU、限幅放大器、激光驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)單元、DCP的原理與作用,然后給出軟件的設(shè)計(jì)思路和實(shí)現(xiàn)方案,最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)驗(yàn)證該方案的可行性。2、參量校準(zhǔn)原理根據(jù)SFF-8472協(xié)議,光模塊的供電電壓等五個(gè)模擬參量有內(nèi)部校準(zhǔn)和外部校準(zhǔn)兩種方式,內(nèi)部校準(zhǔn)的參數(shù)固化在程序里面,雖然可以通過(guò)外部界面設(shè)置改變,但是不同型號(hào)激光器PD響應(yīng)度不一樣,內(nèi)部校準(zhǔn)就很不靈活。外部校準(zhǔn),克服了內(nèi)部校準(zhǔn)的缺點(diǎn),但是,由于要測(cè)量slope和offet兩個(gè)參數(shù),需人工手調(diào),在批量生產(chǎn)的情況下,測(cè)量效率低下。而使用內(nèi)外部校準(zhǔn)相結(jié)合的校準(zhǔn)方式可以克服上述的缺點(diǎn)

    標(biāo)簽: mcu 光模塊

    上傳時(shí)間: 2022-06-26

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  • 光模塊電路系統(tǒng)的研究

    近年來(lái),隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,光纖通信己成為當(dāng)今信息社會(huì)不可或缺的通信系統(tǒng)。光電子器件以及光模塊是光通信系統(tǒng)中將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)或?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的關(guān)鍵部件,是光傳輸系統(tǒng)的心臟。本課題研究從有源光器件的工作特性入手,描述了光收發(fā)合一模塊的工作原理、器件結(jié)構(gòu)、耦合封裝、高速數(shù)字信號(hào)布線以及各種光模塊的現(xiàn)狀和發(fā)展。分析了半導(dǎo)體激光驅(qū)動(dòng)器的輸入輸出結(jié)構(gòu)及其高速調(diào)制特性,并對(duì)光模塊中高速電路傳輸線理論進(jìn)行了詳細(xì)的分析。本文在理論上對(duì)光有源器件的特性、光模塊以及光收發(fā)器的工藝問題作了深入的探討。對(duì)傳輸線理論作了深入的研究,并將其應(yīng)用于高速電路的布線上。所研究的光模塊具有性價(jià)比高、實(shí)用性強(qiáng)、接口標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用面寬的特點(diǎn),并且構(gòu)成了系列產(chǎn)品,能廣泛應(yīng)用于不同的場(chǎng)合。

    標(biāo)簽: 光模塊 電路系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2022-07-09

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  • CMOS模擬集成溫度傳感器的設(shè)計(jì)

    本文先設(shè)計(jì)了一種高性能的CMOS模擬集成溫度傳感器,并在電路中設(shè)計(jì)了ESD保護(hù)電路和啟動(dòng)電路,以保證電路工作點(diǎn)正常與性能優(yōu)良。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作電壓低、電源抑制比高和線性度良好的特點(diǎn)。采用HSPICE對(duì)該溫度傳感器電路進(jìn)行了模擬仿真,仿真結(jié)果表明其電源抑制比可以達(dá)到64dB,在-50℃~150℃溫度范圍內(nèi),電壓溫度系數(shù)可以達(dá)到2.9mV/K,線性度良好。而后在原集成溫度傳感器電路研究成果的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了一種用于CMOS集成溫度傳感器二次非線性項(xiàng)修正的曲率校正電路,該電路有效解決了CMOS溫度傳感電路中電阻溫度系數(shù)和PN結(jié)電壓二次非線性項(xiàng)對(duì)輸出線性度的影響。應(yīng)用了該校正電路的CMOS 溫度傳感系統(tǒng)已在0.6um 標(biāo)準(zhǔn) CMOS工藝中研制實(shí)現(xiàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在-50℃~+150℃的溫度范圍內(nèi)該溫度傳感系統(tǒng)的最大誤差小于1.5℃。該研究的成果可用于一些高精度的應(yīng)用場(chǎng)所,比如冷暖空調(diào)、醫(yī)療儀器,自檢測(cè)系統(tǒng)等諸多領(lǐng)域中,具有顯著的研究意義和廣泛的應(yīng)用前景。

    標(biāo)簽: cmos 溫度傳感器

    上傳時(shí)間: 2022-07-12

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  • 光模塊中PCB布局和阻抗匹配設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)

    光學(xué)模塊為不斷發(fā)展的電信市場(chǎng)提供了極具吸引力的高速解決方案。數(shù)據(jù)速率范圍從155 Mbps到6 Gbps,現(xiàn)在接近10 Gbps。在這種超高速頻率區(qū)域,必須密切關(guān)注PCB布局和阻抗匹配,因?yàn)檫@些問題會(huì)嚴(yán)重影響輸出性能并破壞結(jié)果。通常,阻抗匹配通過(guò)軟件模擬或手動(dòng)計(jì)算來(lái)建模。然而,光學(xué)模塊是具有若干約束因素的應(yīng)用:頻率超過(guò)Gbps;激光驅(qū)動(dòng)器模型的變化;實(shí)際的傳輸線;最重要的是激光TOSA。這些因素通常使得難以精確地模擬阻抗匹配。因此,即使有良好的模型來(lái)預(yù)測(cè)相對(duì)精確的操作條件,設(shè)計(jì)人員通常也不能輕易獲得與實(shí)際測(cè)量結(jié)果完全匹配的結(jié)果。在本文檔中討論的光學(xué)設(shè)計(jì)方法中,阻抗不匹配導(dǎo)致反射。我們將使用10-G直接模塊激光器(DML)模塊板作為示例。圖1顯示了使用此類DML板時(shí)出現(xiàn)的四個(gè)反射點(diǎn)。

    標(biāo)簽: 光模塊 pcb 阻抗匹配

    上傳時(shí)間: 2022-07-12

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  • GBT7247.13-2018激光產(chǎn)品的安全 第13部分:激光產(chǎn)品的分類測(cè)量

    電子電氣類的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),行業(yè)人士可以借鑒、使用。

    標(biāo)簽: 激光產(chǎn)品

    上傳時(shí)間: 2022-07-17

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  • 激光測(cè)距芯片基于STM32的開發(fā)工具介紹與演示

    ? VL53L1X OverView? VL53L1X Software Package? Default and FAST mode? Ultra light driver.? VL53L1X GUI? VL53L1X Multi sensor design? STM32 FW: Import, Compile, Run, Debug…? What is Xtalk?? Cover Window and ID design? How about Human and object reflectance at 940 nm ?

    標(biāo)簽: 激光測(cè)距芯片 stm32

    上傳時(shí)間: 2022-07-17

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  • MIPI調(diào)試總結(jié) For Lattice FPGA

    文將簡(jiǎn)要地介紹基于Lattice FPGA(XO2/XO3/ECP3/ECP5/CrossLink)器件的,MIPI CSI/DSI調(diào)試心得。如有不足,請(qǐng)指正。第一步、確認(rèn)硬件設(shè)計(jì)、接口連接1.1、可以使用示波器測(cè)量相關(guān)器件的MIPI輸出信號(hào)(可分別在靠近輸出端和靠近接收器件接收端測(cè)量,進(jìn)而分析信號(hào)傳輸問題),來(lái)確認(rèn)信號(hào)連接是否正常;1.2、如信號(hào)質(zhì)量較差(衰減嚴(yán)重、反射現(xiàn)象等等),請(qǐng)先檢查器件焊接是否牢靠,傳輸線上阻抗是否匹配等;1.3、如果信號(hào)一切正常,但是仍然無(wú)法找到SoT(B8),請(qǐng)確認(rèn)差分線PN是否接反了;注:Lattice FPGA暫時(shí)未支持NP翻轉(zhuǎn)功能,不能通過(guò)軟件設(shè)置,實(shí)現(xiàn)類似SerDes支持的PN翻轉(zhuǎn)功能。1.4、針對(duì)非CrossLink器件,請(qǐng)檢查電路連接是否正確。具體請(qǐng)參考本文附件,以及Lattice各個(gè)器件的相關(guān)手冊(cè);1.5、如果是MIPI N進(jìn)1出的設(shè)計(jì)(N合一),建議各個(gè)輸入器件采用用一個(gè)時(shí)鐘發(fā)生器(晶振),即同源。同時(shí)FPGA MIPI Tx所需要的時(shí)鐘源,最好也與其同源。如果不同源,建議Tx的時(shí)鐘要略高于Rx的時(shí)鐘(如Pixel Clock);1.6、如果條件允許,可以通過(guò)示波器分析眼圖,以獲得更多的信號(hào)完整性信息。

    標(biāo)簽: mipi調(diào)試 FPGA

    上傳時(shí)間: 2022-07-19

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