IBIS模型之第2部分-IBIS模型總質(zhì)量的確定
本文是三部曲系列文章的第 2 部分。第 1 部分（請(qǐng)見參考文獻(xiàn) 1）討論了數(shù)字輸入/輸出緩沖器信息規(guī)范 (IBIS) 仿真模型的基本要素，以及它們?cè)?SPICE 環(huán)境中的產(chǎn)生過(guò)程。本文（第 2 部...
視覺模型技術(shù)資料
?? 資源總數(shù)：5084
?? 源代碼：5822
?? 視覺模型全部資料 (5084個(gè))
IBIS模型第3部分-利用IBIS模型研究信號(hào)完整性問(wèn)題
本文是關(guān)于在印刷電路板 (PCB) 開發(fā)階段使用數(shù)字輸入/輸出緩沖信息規(guī)范(IBIS) 模擬模型的系列文章之第 3 部分（共三部分）。“第 1 部分”討論了 IBIS仿真模...
STD標(biāo)準(zhǔn)中信號(hào)模型同步和門控機(jī)制研究
隨著對(duì)IEEE1641標(biāo)準(zhǔn)研究的逐漸深入，信號(hào)的構(gòu)建成為了研究重點(diǎn)。對(duì)信號(hào)模型進(jìn)行同步和門控控制，可以影響到TSF（測(cè)試信號(hào)框架）模型的輸出，從而達(dá)到控制信號(hào)的目的，使測(cè)試需求更加完善以及測(cè)試過(guò)程更加...
基于仿射變換模型的圖像跟蹤系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
文中設(shè)計(jì)研制了一種新型的基于仿射變換模型的實(shí)時(shí)圖像跟蹤系統(tǒng)。本跟蹤系統(tǒng)已經(jīng)通過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)，能夠穩(wěn)定的、準(zhǔn)確的、快速的跟蹤目標(biāo)。并且系統(tǒng)有很大的升級(jí)潛力，除了能夠滿足仿射變換跟蹤的要求之外，還能適用于其他...
基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法
為了提高圖像去噪效果，提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先將待去噪圖像進(jìn)行循環(huán)平移，使用Contourlet域HMT模型對(duì)平移后的圖像進(jìn)行降噪處理，然...
場(chǎng)效應(yīng)管的h參數(shù)等效模型
主要介紹場(chǎng)效應(yīng)管H參數(shù)的模型...
亳米波微帶環(huán)行器設(shè)計(jì)模型
本文依據(jù)微波電磁場(chǎng)理論概述了微帶鐵氧體器件在毫米波頻率下的工作模式, 探討了毫米波微帶鐵氧體器件的電參數(shù)的設(shè)計(jì)考慮, 對(duì)從事毫米波微帶鐵氧體器件的研究, 提供了基本的設(shè)計(jì)模型, 以期引起進(jìn)一步的探...
p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 ...
量子點(diǎn)接觸器件電勢(shì)準(zhǔn)3D數(shù)值模型和模擬方法
采用三維泊松方程和二維薛定諤方程自洽求解方法,建立量子點(diǎn)接觸器件（QPC）內(nèi)的電勢(shì)分布和二維電子氣層的電子密度分布的準(zhǔn)三維模型及模擬方法,并將模擬結(jié)果與傳統(tǒng)的Buttiker鞍型電勢(shì)分布進(jìn)行比較。 ...
DC_DC變換器的PWA模型及預(yù)測(cè)控制
利用v自步離散法，得到變換器輸入控制變量與狀態(tài)變量之間的直接映射關(guān)系，基于混雜系統(tǒng)理論分析系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)方程，建立其分段仿射模型。在此模型的基礎(chǔ)上，結(jié)合非線性預(yù)測(cè)控制算法，通過(guò)模型預(yù)測(cè)系統(tǒng)的輸出，利用反饋...