SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。 ...
使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。 ...
關(guān)于相位噪聲專題的信息有很多,包括相位噪聲特性1、相位噪聲測量方法2以及它對系統(tǒng)性能的影響3。眾所周知,振蕩器和時(shí)鐘的相位噪聲已成為導(dǎo)致現(xiàn)代無線電系統(tǒng)性能降低的因素之一。然而,大多數(shù)傳統(tǒng)相位噪聲分析僅將重點(diǎn)放在單載波無線電系統(tǒng)中正弦波信號的降低,而相位噪聲對多載波接收機(jī)、寬帶系...
基于探索 RLC串聯(lián)電路諧振特性仿真實(shí)驗(yàn)技術(shù)的目的,采用Multisim10仿真軟件對RLC串聯(lián)電路諧振特性進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)測試,給出了幾種Multisim仿真實(shí)驗(yàn)方案,介紹了諧振頻率、上限頻率、下限頻率及品質(zhì)因數(shù)的測試和計(jì)算方法,討論了電阻大小對品質(zhì)因數(shù)的影響。結(jié)論是仿真實(shí)驗(yàn)可直觀形象地描述RL...
分析了調(diào)幅信號和載波信號之間的相位差與調(diào)制信號的極性的對應(yīng)關(guān)系,得出了相敏檢波電路輸出電壓的極性與調(diào)制信號的極性有對應(yīng)關(guān)系的結(jié)論。為了驗(yàn)證相敏檢波電路的這一特性,給出3 個電路方案,分別選用理想元件和實(shí)際元件,采用Multisim 對其進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn),直觀形象地演示了相敏檢波電路的鑒相特性,是傳統(tǒng)的實(shí)...
摘要:從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā),對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度,對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動功率進(jìn)行了研究,提出了有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法,并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,所得出的結(jié)論對于功率MOSFE...