亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

SiCOI MESFET的特性分析

使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對(duì)SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過(guò)調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門(mén)極柵長(zhǎng)、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對(duì)器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。

標(biāo)簽： MESFET SiCOI 特性分析

上傳時(shí)間： 2013-10-23

上傳用戶(hù)：PresidentHuang