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SiCOI MESFET的特性分析

使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學特性進行模擬分析。結果表明,通過調整器件結構參數,例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區厚度等,對器件轉移特性、輸出特性有較大影響。

標簽： MESFET SiCOI 特性分析

上傳時間： 2013-10-23

上傳用戶：PresidentHuang