恒流源（vCCS）的研究歷經數十年，從早期的晶體管恒流源到現在的集成電路恒流源恒定電流在各個領域的廣泛使用激發起人們對恒流源的研究不斷深入和多樣化。穩恒電流在加速器中的使用是加速器結構改善的一個標志。從早期的單一依靠磁場線圈到加入勻場環，到校正線圈的使用，束流輸運系統的改進有效地提高了束流的品質，校正線圈是光刻于印制電路板上的導線圈，將其按照方位角放置在加速腔內，通電后，載流導線產生的橫向磁場就可以起到校正偏心束流的作用。顯然，穩定可調的恒流源是校正線圈有效工作的必要條件。針對現在加速粒子能量的提高，對校正線圈提出了新的供電需求，本文就這一需求研究了基于功率運算放大器的兩種壓控恒流源，為工程應用做技術儲備。1設計思路用于校正線圈的恒流源供聚焦和補償時使用輸出功率不大，但要求調節精度高，穩定性好，紋波小。具體技術參數為：輸出電流0~5A調節范圍0.1~5.0A；調節精度5mA；負載電阻35；紋波穩定度優于1（相對5A）；基準電壓模塊型號為REFo1而常用作恒流電源的電真空器件穩定電流建立時間長，場效應管夾斷電壓高、擊穿電壓低恒流區域窄，因此，我們選取了體積小效率高電流調節范圍寬的放大器恒流源作為研究方向實驗基本的設計思路是通過電源板將市電降壓、整流、濾波后送入高精度電壓基準源得到直流電壓，輸入功率運算放大器，在輸出端得到放大的電流輸出，如圖1所示。
標簽： 運算放大器
上傳時間： 2022-04-24
上傳用戶：xsr1983
一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協會所訂立的內嵌式存儲器標準規格，主要是針對手機產品為主。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器， 它提供標準接口并管理閃存， 使得手機廠商就能專注于產品開發的其它部分，并縮短向市場推出產品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優點eMMC目前是最當紅的移動設備本地存儲解決方案，目的在于簡化手機存儲器的設計，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時，都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計，過去并沒有哪個技術能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術改朝換代，包括70 納米演進至50 納米，再演進至40 納米或30 納米制程技術，手機客戶也都要重新設計， 但半導體產品每1 年制程技術都會推陳出新， 存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風行起來。eMMC的設計概念，就是為了簡化手機內存儲器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設計成1 顆MCP芯片，手機客戶只需要采購eMMC芯片，放進新手機中，不需處理其它繁復的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優點是縮短新產品的上市周期和研發成本，加速產品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術變化很快，特別是TLC 技術和制程下降到20nm階段后，對Flash 的管理是個巨大挑戰，使用eMMC產品，主芯片廠商和客戶就無需關注Flash 內部的制成和產品變化，只要通過eMMC的標準接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產品開發的難度和加快產品上市時間。eMMC可以很好的解決對MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯機制(Error Correcting Code) 、區塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲存區塊技術 (Wear Leveling) 、區塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優點在于生產廠商可節省許多管理NAND Flash 芯片的時間，不必關心NAND Flash 芯片的制程技術演變和產品更新換代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產品上市的時間，保證產品的穩定性和一致性。
標簽： emmc
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：jiabin
基于Proteus仿真前言：本文詳細介紹了DS18B20原理，并在后面舉例說明了其在單片機中的應用，所舉例子包含Proteus仿真電路圖，源程序，程序注釋詳細清楚。1、DS18B20簡介：DS18B20溫度傳感器是DALLAS公司生產的1-wire式單總線器件，具有線路簡單，體積小的特點，用它組成的溫度測量系統線路非常簡單，只要求一個端口即可實現通信。溫度測量范圍在一55℃~+125℃之間，分辨率可以從9~12位選擇，內部還有溫度上、下限報警設置。每個DS18B20芯片都有唯一的序列號，所以可以利用多個DS18B20同時連接在同一條總線上，組成多點測溫系統。但最多只能連接8個，如果數量過多，會使供電電源電壓過低，從而造成信號傳輸的不穩定。2、DS18B20結構：如右圖所示，DS18B20有三只引腳，VCC、DQ和GND。DQ為數字信號輸入/輸出端（DQ一般接控制器（單片機）的一個1/0口上，由于單總線為開漏所以需要外接一個4.7K的上拉電阻）；GND為電源地；VDD為外接供電電源輸入端（在寄生電源接線方式時接地）。DS18B20內部結構主要由四部分組成：64位光刻ROM、溫度傳感器、非揮發的溫度報警觸發器TH和TL、配置寄存器。光刻ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。64位光刻ROM的排列是：開始8位是產品類型標號，接著的48位是該DS1B20自身的序列號，最后8位是前面56位的CRC校驗碼（循環冗余校驗碼）。光刻ROM的作用是使每一個DS18B20都各不相同，這樣就可以實現一根總線上掛接多個DS18B20的目的。溫度傳感器可完成對溫度的測量，以12位轉化為例，用16位符號擴展的二進制補碼讀數形式提供。
上傳時間： 2022-07-02
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本書是一部介紹半導體集成電路和器件技術的專業書籍。其英文版在半導體領域享有很高的聲譽．被列為業界最暢銷的書籍之一，第五版的出版就是最好的證明。 本書的范圍包括半導體工藝的每個階段．從原材料制備到封裝、測試以及傳統和現代工藝。每章包含有習題和復習總結，并輔以豐富的術語表。本書主要特點是簡潔明了，避開了復雜的數學理論．非常便于讀者理解。本書與時俱進地加入了半導體業界的最新成果．可使讀者了解工藝技術發展的最新趨勢。本書可作為離等院校電子科學與技術專業和職業技術培訓的教材，也可作為半導體專業人員的參考書。本版新增內容? 納米技術? "綠色”工藝和器件? 300 mm 昆圖 工藝? 新的制造技術提升? 下一代光刻技術
上傳時間： 2022-07-16
上傳用戶：fliang
本人自已寫的一個24點的計算器 希望大家多多的幫我改正。 有什麼更好的算法，還請指點!
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：z754970244
對多維的矩陣,做大量矩陣的的計算,來試探實際效能以及處理時間.
標簽： 效能
上傳時間： 2015-03-26
上傳用戶：許小華
此為簡單的32進制轉換技巧,善加瞭解後知道要點後,即可製做出不同的進制計算需求.
標簽：
上傳時間： 2015-03-28
上傳用戶：wweqas
計算機:使用java開機之計算機,功能比windows所附的簡易計算機還強大
上傳時間： 2013-12-31
上傳用戶：songyue1991
組合語言的大數加減乘除 適合組語初學者訓練計算機科學的運算邏輯
標簽：
上傳時間： 2015-05-01
上傳用戶：waitingfy
計算複利息,初學者看了一定明白,因為十1分易學易明易睇
標簽： 分
上傳時間： 2015-08-04
上傳用戶：zhengjian
