STM 32 教學(xué) (神州I號(hào) 用戶手冊(cè))
標(biāo)簽： stm32
上傳時(shí)間： 2022-06-30
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採(cǎi)用ROM監(jiān)控器的調(diào)試技巧分析
上傳時(shí)間： 2015-02-23
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一個(gè)LCD燈的小程序。不是我寫的。我只負(fù)責(zé)了調(diào)試。適用在ACEXEP1K30QC208-3上。我跑了SIMULATOR，管腳連接標(biāo)示了。我也下在電路板上試過了，沒有問題。要用到實(shí)驗(yàn)板上的兄弟們把CLK1改到TESTOUT3或者0就好了。綫幫助新手，人人有責(zé)。
標(biāo)簽： SIMULATOR ACEXEP LCD 208
上傳時(shí)間： 2015-04-10
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dsp程序開發(fā)---matlab調(diào)試及直接目標(biāo)代碼生成
上傳時(shí)間： 2016-05-29
上傳用戶：wpwpwlxwlx
移植 uCGUI 調(diào)試筆記--好講的不錯(cuò)
上傳時(shí)間： 2016-06-15
上傳用戶：www240697738
VHDL語(yǔ)言實(shí)驗(yàn)數(shù)字鍾功能,可手動(dòng)調(diào)時(shí),設(shè)定閙鍾等
標(biāo)簽： VHDL
上傳時(shí)間： 2014-12-20
上傳用戶：2467478207
在Delphi 環(huán)境下編寫的串口調(diào)試程序 ,能與下位機(jī)(MSP430F147)實(shí)現(xiàn)串口485通訊.完成對(duì)下位機(jī)狀態(tài)的檢測(cè).校準(zhǔn). 對(duì)於使用Delphi的串口編程有一定的作用.
上傳時(shí)間： 2017-05-05
上傳用戶：asasasas
機(jī)械工程設(shè)計(jì)---上冊(cè)
標(biāo)簽： 機(jī)械 工程設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-07-05
上傳用戶：eeworm
基于手姿態(tài)的人機(jī)交互是以實(shí)現(xiàn)自然的人機(jī)交互為研究目標(biāo)，可提高計(jì)算機(jī)的可操作性，同時(shí)使計(jì)算機(jī)能夠完成更加復(fù)雜的任務(wù)。而基于ARM的嵌入式系統(tǒng)具有功耗低、體積小、集成度高等特點(diǎn)，嵌入式與具體應(yīng)用有機(jī)地結(jié)合在一起，具有較長(zhǎng)的生命周期，能夠根據(jù)特定的需求對(duì)軟硬件進(jìn)行合理剪裁。結(jié)合嵌入式技術(shù)的手姿態(tài)跟蹤設(shè)備能夠?qū)崟r(shí)的檢測(cè)出人機(jī)交互系統(tǒng)中人手的位置與角度等數(shù)據(jù)，并將這些數(shù)據(jù)及時(shí)反饋給計(jì)算機(jī)虛擬系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行人機(jī)交互，提高跟蹤設(shè)備的可靠性和空間跟蹤精度。 通過對(duì)嵌入式開發(fā)過程以及對(duì)控制系統(tǒng)構(gòu)成的分析，確定了手姿態(tài)信號(hào)輸入方案及系統(tǒng)的軟硬件總體設(shè)計(jì)方案。通過對(duì)目前流行的眾多嵌入式處理器的研究、分析、比較選擇了S3C2440處理器作為系統(tǒng)開發(fā)硬件核心，詳細(xì)介紹了S3C2440的相關(guān)模塊的設(shè)計(jì)，包括存儲(chǔ)單元模塊、通信接口模塊、JATG接口電路。同時(shí)設(shè)計(jì)了系統(tǒng)的外圍電路像系統(tǒng)時(shí)鐘電路、電源電路、系統(tǒng)復(fù)位電路。 選擇更適合于ARM開發(fā)的Linux系統(tǒng)作為軟件開發(fā)平臺(tái)。實(shí)現(xiàn)了Linux系統(tǒng)向開發(fā)板的移植、Bootloader的啟動(dòng)與編譯、設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序的開發(fā)；根據(jù)手姿態(tài)信號(hào)輸入方案系統(tǒng)采用分模塊、分層次的方法設(shè)計(jì)了系統(tǒng)的應(yīng)用程序——串口通信程序及手姿態(tài)識(shí)別子程序。通過分析常用的手姿態(tài)識(shí)別算法，系統(tǒng)采用基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的動(dòng)態(tài)時(shí)間規(guī)整與模板匹配相結(jié)合的動(dòng)態(tài)手姿態(tài)識(shí)別算法。并依據(jù)相應(yīng)的軟硬件測(cè)試方法對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了分模塊調(diào)試及系統(tǒng)的集成。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
上傳用戶：songyuncen
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
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