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調(diào)試命令

  • PROE2001基本命令學(xué)習(xí)筆記.doc

    PROE2001基本命令學(xué)習(xí)筆記.doc

    標(biāo)簽: PROE 2001 命令

    上傳時(shí)間: 2013-05-25

    上傳用戶:eeworm

  • 12個(gè)PROE特殊命令使用-視頻教程-209M-avi版.zip

    專輯類-Pro-E教程及相關(guān)資料專輯-134冊-38.9G 12個(gè)PROE特殊命令使用-視頻教程-209M-avi版.zip

    標(biāo)簽: M-avi PROE 209 zip

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:ZHWKLIU

  • LINUX常用命令.rar

    常用的linux命令 能夠方便的查閱 即使不是新手 也值得翻著看看

    標(biāo)簽: LINUX 命令

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:jrsoft

  • C語言命令詳解(第二版).rar

    詳細(xì)的介紹語言命令,是初學(xué)者的標(biāo)準(zhǔn)教材也是高級(jí)程序員的有價(jià)值的參考書籍

    標(biāo)簽: C語言 命令

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:huql11633

  • SIM900A_AT命令手冊_V1.03

    SIM900A_AT命令手冊_V1.03,GPRS上網(wǎng),短信,電話撥號(hào),等指令

    標(biāo)簽: 1.03 A_AT SIM 900

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:sz_hjbf

  • 使用凌陽單片機(jī)的多命令語音識(shí)別范例

    ·詳細(xì)說明:使用凌陽單片機(jī)的多命令語音識(shí)別范例- The use insults the positive monolithic integrated circuit the multi- orders speech recognition model 文件列表:   Recognise_SD   ............\bsrSD.h   ............\

    標(biāo)簽: 凌陽單片機(jī) 命令 語音識(shí)別 范例

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:moshushi0009

  • linux命令大全

    linux命令大全,197頁指令,說明應(yīng)用,面面俱到!

    標(biāo)簽: linux 命令

    上傳時(shí)間: 2013-06-14

    上傳用戶:sqq

  • PowerPCB快捷命令

    PowerPCB快捷命令

    標(biāo)簽: PowerPCB 命令

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:a296386173

  • 含CAD命令,與AutoCAD類似的中望CAD教程

    本書是按最新推出的中望CAD 軟件2006 版編寫,每章均附有該章小結(jié)及練習(xí),小結(jié)是這一章內(nèi)容的概括歸納和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)總結(jié),對讀者學(xué)習(xí)有很大幫助,練習(xí)題目豐富,便于讀者掌握。書中提供了典型操作舉例,講述了操作的全過程。附錄部分收集了實(shí)用資料,包括常見問題的處理等。本書適合具備計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)知識(shí)的工程師、設(shè)計(jì)師、高校學(xué)生以及其他對中望CAD軟件感興趣的讀者。只要具有中學(xué)文化基礎(chǔ),都可用本教材來學(xué)習(xí)中望CAD 軟件。本書主要講述的內(nèi)容有:中望CAD 基礎(chǔ)知識(shí);中望CAD 的繪圖、編輯命令;繪圖環(huán)境設(shè)置、顯示控制;文本書寫、尺寸標(biāo)注;圖塊與屬性的使用;數(shù)據(jù)交換;打印與規(guī)劃圖紙;工程圖綜合繪制;三維繪圖;中望CAD 用戶化與開發(fā)等知識(shí)。本書可作為各高等院校、高工專、高職及中專的教材,也可作為工程技術(shù)人員培訓(xùn)或自學(xué)的參考書。

    標(biāo)簽: CAD AutoCAD 命令 教程

    上傳時(shí)間: 2013-11-17

    上傳用戶:miaochun888

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

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