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變焊機(jī)

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 反激式控制器改善了多輸出應用的交叉調節性能

    反激式轉換器通常應用於具有多個輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個反激式轉換器,多輸出僅增加極少的成本或復雜度––– 每個額外的輸出僅要求另一個變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。

    標簽: 反激式控制器 輸出 調節 性能

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:3294322651

  • 采用集成電流檢測來監視和保護汽車系統

    對於集成電路而言,汽車是一種苛刻的使用環境,這裡,引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C,而且,在電池電壓總線上出現大瞬變偏移也是預料之中的事

    標簽: 集成 電流檢測 保護 汽車系統

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:zhaiye

  • 準確的電源排序可防止系統受損

    諸如電信設備、存儲模塊、光學繫統、網絡設備、服務器和基站等許多復雜繫統都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數字 IC,這些電壓軌必須以一個特定的順序進行啟動和停機操作,否則 IC 就會遭到損壞。

    標簽: 電源排序 防止

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:packlj

  • 反激式控制器簡化了低輸入電壓DCDC轉換器的設計

    LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓,但可通過采用一個 VCC 穩壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉換器的輸入範圍向上擴展。

    標簽: DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉換器

    上傳時間: 2013-11-01

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  • 熱插拔解決方案符合AMC和MicroTCA標準

    LTC®4223 是一款符合微通信計算架構 (MicroTCA) 規範電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器,該規範於近期得到了 PCI 工業計算機制造商組織 (PICMG) 的批準。

    標簽: MicroTCA AMC 熱插拔 方案

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:我累個乖乖

  • 四相升壓型轉換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業和電信行業的設計師當中,使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗),以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要

    標簽: 348W 升壓型轉換器 功率 散熱器

    上傳時間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時,還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應力越小,電源效率也就越高。

    標簽: 輸入電容 電流

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

  • 靜電傳感器電極與屏蔽罩間電容值的計算

    在靜電傳感器測量氣/固兩相流參數的基礎上,以J.B.Gajewski教授的成果為基礎,對電容的計算進行了研究。將靜電傳感器電極與屏蔽罩間的電容cp看作圓柱型電容,對其建立的靜電傳感器數學模型中的感應電極與屏蔽罩間電容值進行探討,并得到了這個電容的計算式。

    標簽: 靜電傳感器 電極 屏蔽罩 電容值

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:erkuizhang

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